【摘要】：氧化鋅(ZnO)作為一種Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,室溫下直接帶隙寬度為3.37eV,并具有較大的激子束縛能(60meV),在光學、電子學等領域有著廣泛的應用。同時ZnO還具備其他優(yōu)異的性質,比如化學及熱穩(wěn)定性較好、電子遷移率較高、光敏感性以及氣體敏感性較高等特點,是迄今應用最為廣泛的半導體敏感材料之一。目前,多種ZnO微納結構氣敏器件被研制出來,其中一維ZnO微米線器件因其較高的比表面積和表面活性等獨特的性質,成為氣敏領域關注的熱點。然而,通�；赯nO材料的氣敏傳感器存在著耗能較高,恢復時間較長等缺點,影響了其進一步的推廣使用。本論文圍繞一維ZnO微米線的可控生長、ZnO微米線氣體傳感器的制備、性能和氣敏機理分析等相關問題,展開了一系列的研究工作,主要內容包括以下幾部分：(1)通過調控實驗參數(shù),利用化學氣相沉積法(CVD)生長表面光滑、線徑均勻可控、c軸取向性好的標準六方纖鋅礦結構的ZnO微米線(ZnO HMW);利用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)和光致發(fā)光譜(PL)等表征手段對其形貌、結構、成分及發(fā)光特性等進行測試分析。(2)將單根ZnO微米線固定在載玻片上制成酒精氣體傳感器件。通過測量電信號,得到室溫下氣敏器件的傳感響應、響應和恢復時間、重復性、靈敏度、穩(wěn)定性以及選擇性等重要氣敏參數(shù),并重點研究了ZnO微米線在室溫下的酒精氣敏反應機理。(3)通過在反應源中加大石墨粉末比例,利用CVD方法生長出曲邊ZnO微米線(ZnOCMW),其橫截面為曲邊六邊形,線徑可控。分析表明,ZnO CMW是由反應源中石墨粉比例增加,成核過快引起微米線徑向方向的非線性生長導致的。由于ZnO CMW的比表面積比同樣線徑的Zn0 HMW的大,并且特殊的表面形貌使其載流子密度增大。這些變化使Zn0CMW氣敏器件在傳感響應、響應時間等酒精傳感性能方面都有相應提高。(4)利用離子濺射法對制備的Zn0微米線進行Au納米粒子修飾,得到表面改性的Au/ZnO微米線(Au/ZnO MW)。改性后的Au/ZnO微米線的酒精氣敏性能得到了全面改善,尤其是在恢復時間以及靈敏度方面有著較大的提高,可以快速測量低濃度酒精氣體,在酒精快速檢測方面具有良好的應用前景。分析表明,通過自然光照射,Au納米粒子在Zn0微米線表面產(chǎn)生等離子共振效應,提高了Zn0微米線的電導率。并且Au納米粒子作為活性中心,能夠加速H原子反溢流速度,加快酒精分子的解吸附過程。同時Au納米粒子層會降低Zn0微米線的表面光滑程度,從而也有利于提高器件的氣敏性能。
[Abstract]:As a kind of 鈪，

本文編號：2174285