本文關(guān)鍵詞：直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《河北工業(yè)大學(xué)》 2008年

電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究

崔會英  

【摘要】： 直拉硅經(jīng)電子輻照后,進(jìn)入硅中的電子會與硅原子發(fā)生碰撞從而產(chǎn)生間隙原子(硅)和空穴等缺陷,這些缺陷之間會發(fā)生相互作用,從而產(chǎn)生次級缺陷。這些缺陷并不穩(wěn)定,通過200～500℃退火即會陸續(xù)消失。但是這些缺陷是氧沉淀的有效形核核心,高溫退火時會促進(jìn)氧沉淀的生成。本文利用傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)和金相顯微鏡研究了電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷在低溫退火過程中的相互轉(zhuǎn)化過程、缺陷復(fù)合體的熱穩(wěn)定性以及氧沉淀誘生各種缺陷的形態(tài)。 實驗結(jié)果表明,電子輻照直拉硅后,在直拉硅單晶中會形成VO、VO2缺陷。電子輻照后的樣品經(jīng)低溫退火,由VO演變出來的多重氧-缺陷中心與Stein的多重氧缺陷模型完全符合。同時,直拉硅中所含的間隙氧含量不同,它們的退火行為也有所不同。 我們研究了VO2復(fù)合體的熱穩(wěn)定性。實驗結(jié)果表明,兩種樣品在450℃下退火,VO2的熱穩(wěn)定性很好;而500℃退火時,VO2中的共價鍵很容易俘獲間隙氧原子,從而形成VO3。 氮氣氛下退火,可以氮化表面的硅原子,從而促進(jìn)電子輻照硅單晶中氧沉淀的進(jìn)程,不管是RTP預(yù)處理再高溫一步退火還是高溫一步退火都對直拉硅中的氧沉淀有很大的影響。RTP預(yù)處理后在氮氣、氬氣氣氛下高溫退火的樣品,都產(chǎn)生了位錯、層錯和位錯環(huán)。氮氣氛下退火的樣品中缺陷密度比較大,氧沉淀誘生的位錯環(huán)比較多,大部分為完整的環(huán)形,而且結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：河北工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2008
【分類號】：TN304.1
【目錄】：

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