微波收發(fā)前端組件進一步小型化需求推動了射頻微系統(tǒng)的發(fā)展。隨著射頻微系統(tǒng)集成度的進一步提高,亟需所需的射頻芯片也能夠和傳統(tǒng)數(shù)字/模擬電路一樣形成知識產權(Intellectual Property)核,從而能夠快速、準確評估射頻系統(tǒng)性能。射頻芯片IP的協(xié)同設計可以大大縮短研發(fā)時間,并使快速升級迭代成為可能。由于射頻系統(tǒng)電路種類繁多、工作頻帶廣、加工工藝多,實現(xiàn)多功能、全頻帶、多工藝條件下的射頻IP(Radio Frequency Intellectual Property)建核是難點。同時,隨著射頻系統(tǒng)對大功率的輸出特性需求的增加,氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等半導體材料已經(jīng)在射頻陣列中得到廣泛應用。因而,針對GaN、GaAs工藝的射頻芯片IP化建模技術研究對于射頻系統(tǒng)的高效高水平研發(fā)具有重要意義。針對以上難點,本文的研究內容如下:1、毫米波GaAs功放芯片IP模型針對GaAs工藝29³9GHz的功率放大器芯片,建立了基于EEHEMT模型的功放IP模型。首先測試得到所用GaAs HEMT器件的直流IV特性、S參數(shù)以及大信號特性,依據(jù)測試得到的S參數(shù),提取寄生...

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 射頻功放建模的國內外研究狀況
    1.3 PIN二極管建模國內外研究狀況
    1.4 本文的研究內容和結構安排
第二章 功放和開關電路和建�；A
    2.1 引言
    2.2 芯片模型原理
        2.2.1 行為模型理論
        2.2.2 緊湊模型理論
    2.3 HEMT和 PIN工作機理
        2.3.1 HEMT器件結構與工作原理
        2.3.2 PIN二極管器件結構與工作原理
    2.4 本章小結
第三章 GaAs功率放大器模型
    3.1 引言
    3.2 寄生參數(shù)提取
    3.3 大信號建模
    3.4 功放電路驗證
    3.5 本章小結
第四章 GaN功率放大器模型
    4.1 準物理基的區(qū)域劃分大信號模型
    4.2 自熱與陷阱效應的表征
    4.3 模型結果與討論
    4.4 本章小結
第五章 PIN開關芯片模型
    5.1 引言
    5.2 PIN二極管模型
        5.2.1 雙極擴散方程基本理論
        5.2.2 PIN二極管模型
    5.3 PIN開關芯片模型
    5.4 本章小結
第六章 全文總結與展望
    6.1 全文總結
    6.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果



本文編號：3911613