目前,有機無機雜化甲胺碘化鉛鈣鈦礦(CH₃NH₃PbI₃)因有與太陽光譜匹配的直接帶隙(¹.5 eV)成為性能優(yōu)良的光電材料。但基于鈣鈦礦平面化結(jié)構(gòu)的光電探測器往往具有較大的電滯、較慢的光響應和較低的靈敏度等缺點限制了它的發(fā)展。而改善鈣鈦礦器件性能的一個特別有效的方法是將鈣鈦礦層與其他功能材料相結(jié)合。硒化鎘納米帶(CdSe NBs)因其自身優(yōu)良的光學性能已經(jīng)被用于光電探測器領域,但因電阻率高等原因限制了更廣闊的發(fā)展。本論文通過構(gòu)建有序甲胺碘化鉛納米線與硒化鎘納米帶雜化(CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs),促進電子-空穴對有效的分離,大大提高了器件的光電性能。本論文以建構(gòu)高性能的CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs器件為導向,開展了從材料的制備到器件性能測試的全系統(tǒng)研究。通過一步法和兩步法制備CH₃NH₃...

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【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 光電探測器
        1.1.1 光電探測器的原理
        1.1.2 光電探測器的主要性能參數(shù)
        1.1.3 光電探測器的分類
    1.2 鈣鈦礦的簡介
        1.2.1 鈣鈦礦的合成與制備
        1.2.2 鈣鈦礦在光電探測器上的應用
    1.3 硒化鎘(CdSe)的簡介
    1.4 本文研究的意義以及主要內(nèi)容
        1.4.1 研究意義
        1.4.2 研究內(nèi)容
第2章 實驗儀器設備介紹
    2.1 樣品制備儀器
        2.1.1 三溫區(qū)真空管式爐
        2.1.2 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
    2.2 樣品形貌表征儀器
        2.2.1 光學顯微鏡(OC)
        2.2.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
    2.3 樣品成分和結(jié)構(gòu)表征儀器
        2.3.1 X射線能譜分析儀(EDX)
        2.3.2 X射線衍射儀(XRD)
        2.3.3 X射線光電子能譜(XPS)
    2.4 樣品光學特性表征儀器
    2.5 樣品光電性能測試系統(tǒng)
    2.6 本章小結(jié)
第3章 CH₃NH₃PbI₃ NAs的制備及光電性能研究
    3.1 CH₃NH₃PbI₃ NAs器件的制備
        3.1.1 實驗材料
        3.1.2 CH₃NH₃PbI₃ NAs的制備
        3.1.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs器件的制備
    3.2 CH₃NH₃PbI₃ NAs的表征
        3.2.1 光學顯微鏡表征(OC)
        3.2.2 掃描電子顯微鏡表征(SEM)
        3.2.3 X射線能譜分析表征(EDX)
        3.2.4 X射線衍射表征(XRD)
        3.2.5 X射線光電子能譜表征(XPS)
        3.2.6 光致發(fā)光譜表征(PL)
    3.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs的光電性能研究
        3.3.1 CH₃NH₃PbI₃ NAs光電探測器的電學性能
        3.3.2 CH₃NH₃PbI₃ NAs光電探測器的光導性能
        3.3.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs光電探測器時間-電流(I-t)特性
    3.4 本章小結(jié)
第4章 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的制備及光電性能研究
    4.1 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的制備
        4.1.1 實驗材料
        4.1.2 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的制備
        4.1.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs器件的制備
    4.2 CdSe NBs的表征
        4.2.1 掃描電子顯微鏡表征(SEM)
        4.2.2 X射線能譜分析表征(EDX)
        4.2.3 X 射線衍射儀表征(XRD)
        4.2.4 X射線光電子能譜表征(XPS)
        4.2.5 拉曼光譜表征(Raman)
        4.2.6 光致發(fā)光譜表征(PL)
    4.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的表征
        4.3.1 形貌表征
        4.3.2 光致發(fā)光譜表征(PL)
    4.4 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的光電性能研究
        4.4.1 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs光電探測器的電學性能
        4.4.2 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs光電探測器的光導性能
        4.4.3 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs光電探測器的時間-電流(I-t)特性
    4.5 CH₃NH₃PbI₃ NAs/CdSe NBs的工作機理分析
    4.6 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻
攻讀學位期間發(fā)表的論文和研究成果
致謝



本文編號：3743930