Sn-Cu-Bi無(wú)鉛釬料界面化合物生長(zhǎng)行為研究
發(fā)布時(shí)間:2021-11-20 09:21
金屬間化合物(IMCs)產(chǎn)生于無(wú)鉛釬料與基板間界面反應(yīng),IMCs的生長(zhǎng)演變規(guī)律對(duì)焊點(diǎn)使用壽命、可靠性和電子封裝質(zhì)量有很大影響。目前應(yīng)用于電子封裝中的無(wú)鉛釬料存在的最大問(wèn)題是釬料熔點(diǎn)較高,在釬焊過(guò)程需要更高的加熱溫度和保溫時(shí)間,從而降低電子元器件使用壽命和性能。針對(duì)上述問(wèn)題本文以Sn-0.7Cu為基體,添加Bi來(lái)降低熔點(diǎn),添加微量Ni、Co元素改善焊點(diǎn)機(jī)械性能。采用高真空電弧熔煉的方法制備Sn-0.7Cu-10Bi-xNi/Co(SCB-xNi/Co,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20 wt.%)復(fù)合無(wú)鉛釬料,探索微量Ni、Co元素在界面反應(yīng)及IMCs生長(zhǎng)演變中的作用規(guī)律。結(jié)果表明:添加Bi降低了釬料合金熔點(diǎn),微量Ni、Co對(duì)熔點(diǎn)影響較小。添加Ni、Co使SCB-X/Cu界面IMCs層形貌從扇貝狀結(jié)構(gòu)向平面狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。界面反應(yīng)時(shí)在IMCs中生成了(Cu,Ni)6Sn5、CoSn3、(Cu,Co)6Sn5相可以有效阻止Cu原子從基板側(cè)向釬料/IMCs界面處擴(kuò)散,降低Cu...
【文章來(lái)源】:中國(guó)礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:89 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
使用3D表示具有平行最近堆積的平面(突出顯示的平面)和共同方向的OR[71]
TA差示掃描量熱儀Figure2-1DifferentialScanningCalorimeterofTAInstrument
碩士學(xué)位論文16DispersiveX-raySpectroscopeEDS,Quantax400-10,Bruker,Germany)測(cè)定化學(xué)成分,為了保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性,相同位置至少測(cè)試3次以上,然后取數(shù)據(jù)平均值。為了更加直觀的觀察到界面處元素分布和化合物生成相的種類,使用國(guó)內(nèi)第一臺(tái)島津電子探針微分析儀(ElectronProbeMicro-Analyzer,EPMA,EPMA-8050G,Shimadzu,Japan)(如圖2-3所示)對(duì)反應(yīng)界面的微區(qū)進(jìn)行形貌觀測(cè)和元素分布分析。使用imageJ軟件測(cè)量IMCs層厚度,為了減少測(cè)量過(guò)程中的測(cè)量誤差,每個(gè)樣品至少在3個(gè)不同放大倍數(shù)下,每個(gè)倍數(shù)至少測(cè)試3次,每次測(cè)試至少選取20個(gè)截面厚度進(jìn)行測(cè)量,取平均值。圖2-2掃描電子顯微鏡Figure2-2ScanningElectronMicroscope圖2-3電子探針微分析儀Figure2-3ElectronProbeMicro-Analyzer
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]綠色電子制造及綠色電子封裝材料[J]. 楊艷,尹立孟,冼健威,馬鑫,張新平. 電子工藝技術(shù). 2008(05)
博士論文
[1]電子封裝用Sn-Ag-Cu系低銀含硼無(wú)鉛釬料的研究[D]. 王若達(dá).北京有色金屬研究總院 2019
[2]Cu6Sn5納米顆粒低溫?zé)Y(jié)機(jī)理及耐高溫納米晶接頭的制備[D]. 鐘穎.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
[3]Ga和Nd對(duì)Sn-Zn無(wú)鉛釬料錫須抑制作用研究[D]. 薛鵬.南京航空航天大學(xué) 2015
[4]稀土Pr和Nd對(duì)SnAgCu無(wú)鉛釬料組織與性能影響研究[D]. 皋利利.南京航空航天大學(xué) 2012
碩士論文
[1]Co含量對(duì)Sn-0.7Cu無(wú)鉛釬料合金組織和釬焊性能的影響[D]. 劉占云.鄭州輕工業(yè)大學(xué) 2019
[2]多次回流下Sn-xCu/Cu釬焊界面反應(yīng)尺寸效應(yīng)的研究[D]. 黃茹.大連理工大學(xué) 2018
[3]Ce對(duì)SnAgCu釬料性能和Cu6Sn5界面層生長(zhǎng)行為的影響[D]. 翟文剛.合肥工業(yè)大學(xué) 2016
本文編號(hào):3507031
【文章來(lái)源】:中國(guó)礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:89 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
使用3D表示具有平行最近堆積的平面(突出顯示的平面)和共同方向的OR[71]
TA差示掃描量熱儀Figure2-1DifferentialScanningCalorimeterofTAInstrument
碩士學(xué)位論文16DispersiveX-raySpectroscopeEDS,Quantax400-10,Bruker,Germany)測(cè)定化學(xué)成分,為了保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性,相同位置至少測(cè)試3次以上,然后取數(shù)據(jù)平均值。為了更加直觀的觀察到界面處元素分布和化合物生成相的種類,使用國(guó)內(nèi)第一臺(tái)島津電子探針微分析儀(ElectronProbeMicro-Analyzer,EPMA,EPMA-8050G,Shimadzu,Japan)(如圖2-3所示)對(duì)反應(yīng)界面的微區(qū)進(jìn)行形貌觀測(cè)和元素分布分析。使用imageJ軟件測(cè)量IMCs層厚度,為了減少測(cè)量過(guò)程中的測(cè)量誤差,每個(gè)樣品至少在3個(gè)不同放大倍數(shù)下,每個(gè)倍數(shù)至少測(cè)試3次,每次測(cè)試至少選取20個(gè)截面厚度進(jìn)行測(cè)量,取平均值。圖2-2掃描電子顯微鏡Figure2-2ScanningElectronMicroscope圖2-3電子探針微分析儀Figure2-3ElectronProbeMicro-Analyzer
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]綠色電子制造及綠色電子封裝材料[J]. 楊艷,尹立孟,冼健威,馬鑫,張新平. 電子工藝技術(shù). 2008(05)
博士論文
[1]電子封裝用Sn-Ag-Cu系低銀含硼無(wú)鉛釬料的研究[D]. 王若達(dá).北京有色金屬研究總院 2019
[2]Cu6Sn5納米顆粒低溫?zé)Y(jié)機(jī)理及耐高溫納米晶接頭的制備[D]. 鐘穎.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
[3]Ga和Nd對(duì)Sn-Zn無(wú)鉛釬料錫須抑制作用研究[D]. 薛鵬.南京航空航天大學(xué) 2015
[4]稀土Pr和Nd對(duì)SnAgCu無(wú)鉛釬料組織與性能影響研究[D]. 皋利利.南京航空航天大學(xué) 2012
碩士論文
[1]Co含量對(duì)Sn-0.7Cu無(wú)鉛釬料合金組織和釬焊性能的影響[D]. 劉占云.鄭州輕工業(yè)大學(xué) 2019
[2]多次回流下Sn-xCu/Cu釬焊界面反應(yīng)尺寸效應(yīng)的研究[D]. 黃茹.大連理工大學(xué) 2018
[3]Ce對(duì)SnAgCu釬料性能和Cu6Sn5界面層生長(zhǎng)行為的影響[D]. 翟文剛.合肥工業(yè)大學(xué) 2016
本文編號(hào):3507031
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/xixikjs/3507031.html
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