發(fā)布時(shí)間：2021-07-02 16:22

　　六方氮化硼（h-BN）是一種人工合成具有類石墨結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料,其與石墨烯的晶格失配率僅為1.7%,因此常常被用來作為生長(zhǎng)石墨烯的絕佳襯底材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,h-BN具有電阻率高、耐熱和抗輻射等特性。此外,其介電強(qiáng)度高達(dá)8MV/cm,本征吸收邊位于深紫外區(qū),因此是一種非常有應(yīng)用前景的光電子和電子材料。但是由于h-BN的生長(zhǎng)工藝還處于探索階段,目前制備的外延薄膜和單晶存在結(jié)晶質(zhì)量較差和尺寸較小缺點(diǎn),因此優(yōu)化生長(zhǎng)工藝來獲得高質(zhì)量、大尺寸的h-BN成為了研究的熱點(diǎn)。本文主要提出了一種新的生長(zhǎng)工藝制備六方氮化硼薄膜,即以過渡金屬為緩沖層進(jìn)行六方氮化硼薄膜生長(zhǎng),系統(tǒng)地研究了不同過渡金屬緩沖層、生長(zhǎng)溫度和退火工藝對(duì)h-BN薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響。主要的研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:1.探究不同過渡金屬緩沖層對(duì)h-BN薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響。采用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)分別在鉻（Cr）、鉬（Mo）、鎢（W）緩沖層和藍(lán)寶石襯底上制備了h-BN薄膜。X射線衍射（XRD）結(jié)果表明,在過渡金屬緩沖層上制備的h-BN薄膜的結(jié)晶質(zhì)量明顯優(yōu)于直接生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上,其中在鉻緩沖層上制備的h-BN薄膜的結(jié)晶質(zhì)量最佳,其（00... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【圖文】：

氮化硼的四種同分異構(gòu)體[6]

h-BN的晶體結(jié)構(gòu)[11]：(a)Hassael提出；(b)Pease提出

六方氮化硼的紫外可見吸收光譜

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]六方氮化硼原子層薄膜的制備研究[J]. 李玉偉,趙士超,呂燕飛,張琪.  杭州電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2015(05)
[2]“十一五”國(guó)家重點(diǎn)發(fā)展的17類新材料[J]. 孫再吉.  半導(dǎo)體信息. 2005(06)
[3]集成電路的發(fā)展[J]. 郭廣朝.  農(nóng)村電氣化. 1998(07)
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碩士論文
[1]BN織構(gòu)陶瓷的制備與性能研究[D]. 吳志亮.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[2]磁控濺射法制備立方氮化硼薄膜及原位摻硫研究[D]. 郭清秀.北京工業(yè)大學(xué) 2011
[3]化學(xué)氣相合成六方氮化硼薄膜：生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)[D]. 郝玉鳳.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2008
[4]在石英玻璃上MPCVD制備金剛石薄膜[D]. 朱建勇.武漢理工大學(xué) 2002



本文編號(hào)：3260806