作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,氮化鎵（GaN）是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。由于具有禁帶寬度大（3.4 eV）、擊穿電場(chǎng)高、電子漂移速度快等優(yōu)良光電特性,因此其在UV-可見(jiàn)光發(fā)光二極管（LED）、激光器（LD）、光電探測(cè)器以及高頻和大功率電子設(shè)備中有著重要應(yīng)用。高質(zhì)量的氮化鎵薄膜是制備高性能光電器件的關(guān)鍵因素。目前,價(jià)格低廉的藍(lán)寶石作為異質(zhì)外延襯底已被廣泛用于氮化鎵薄膜的外延生長(zhǎng)。由于藍(lán)寶石與氮化鎵之間存在較大的晶格失配和熱失配,因此異質(zhì)外延生長(zhǎng)的氮化鎵薄膜存在較大的殘余應(yīng)力和較高的缺陷密度（108-109 Cm-2）,這使得GaN基光電器件具有光電性能低和可靠性差等缺點(diǎn)。由于濕法刻蝕方法可克服GaN基薄膜以上缺點(diǎn),因此高質(zhì)量納米多孔（NP）GaN薄膜的制備及其再生長(zhǎng)已成為當(dāng)前最為熱門的研究領(lǐng)域之一。論文以電化學(xué)刻蝕（EC）法制備NP-GaN基薄膜為主線,系統(tǒng)研究具有NP-GaN分布布拉格反射鏡（DBR）的InGaN基薄膜的光電特性后,采用有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法在NP-GaN基薄膜上外延生長(zhǎng)GaN LED和β-Ga203單晶薄膜。具體研究?jī)?nèi)容如下:（1）以硝酸（HN03）或硝... 

【文章來(lái)源】： 趙沖沖 山東大學(xué)

【文章頁(yè)數(shù)】：84 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－２?ＡｌＧａＮ／ＧａＮ?ＨＥＭＴ結(jié)構(gòu)示意圖??

山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??（ＤＢＲ）和超級(jí)電容器等領(lǐng)域也有著重要應(yīng)用［１２＿１４］。如：Ｃｈｅｎ等人Ｐ研發(fā)出具??有導(dǎo)向結(jié)構(gòu)的氮化鎵基ＶＣＳＥＬ?（如圖１－３），該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于光學(xué)傳感器、可見(jiàn)??光通訊系統(tǒng)、和視網(wǎng)膜掃描顯示等設(shè)備。Ｓｌｕｅｈ等人［１３】利用電化學(xué)刻蝕方法制備??出了導(dǎo)電納米多孔ＧａＮ／非摻雜ＧａＮ?（ＮＰ－ＧａＮ／ｕ－ＧａＮ）分布布拉格反射鏡（圖??１－４），該ＤＢＲ有望成為提高ＬＥＤ和激光器發(fā)光效率的重要組成結(jié)構(gòu)。Ｗａｎｇ等??人［１４］研發(fā)出一種基于氮化鎵納米線（ＧａＮＮＷ）?／石墨紙（ＧＰ）納米復(fù)合材料的??新型柔性超級(jí)電容器電極。該復(fù)合電極表現(xiàn)出出色的比電容和循環(huán)性能，可以用??作柔性儲(chǔ)能器件的候選材料。??ｊｒｎ＾??—ｎ－ＧａＮ??Ｉ?■?ＭＱＷｓ??＝?．?，？＿一?Ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｏｎｆｉｎｅｄ?ｌａｙｅｒ??ｓ?ａ＾ａ?＿?ｐ－ｏｓＲ??＆〇ｒＫｉｉｎｇ?ｍｅｔａｌ??Ｌ■■攀，，一順，廁細(xì)—？－—??師?ａｄ??＊???Ｕ?ｉｕｂｓｔｒａｔｅ??圖１－３氮化鎵基ＶＣＳＥＬ結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ＶＣＳＥＬ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??．＇?Ｔｉ??－?ｆＴＯ??ｍｑｗＮ??＾ｏｐｏｒｏｙｓ?ｎ－ＧｏＮ??、爹．??圖１－４具有納米多孔ＧａＮ?／未摻雜ＧａＮ?ＤＢＲ結(jié)構(gòu)的ＬＥＤ示意圖??Ｆｉｇ．?１－４?ＬＥＤ?ｗｉｔｈ?ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ?ＧａＮ?／?ｕｎｄｏｐｅｄ?ＧａＮ?ＤＢＲ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??１．２納米多孔氮化鎵薄膜的研究進(jìn)展??由于氮化鎵襯底的缺失

山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??（ＤＢＲ）和超級(jí)電容器等領(lǐng)域也有著重要應(yīng)用［１２＿１４］。如：Ｃｈｅｎ等人Ｐ研發(fā)出具??有導(dǎo)向結(jié)構(gòu)的氮化鎵基ＶＣＳＥＬ?（如圖１－３），該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于光學(xué)傳感器、可見(jiàn)??光通訊系統(tǒng)、和視網(wǎng)膜掃描顯示等設(shè)備。Ｓｌｕｅｈ等人［１３】利用電化學(xué)刻蝕方法制備??出了導(dǎo)電納米多孔ＧａＮ／非摻雜ＧａＮ?（ＮＰ－ＧａＮ／ｕ－ＧａＮ）分布布拉格反射鏡（圖??１－４），該ＤＢＲ有望成為提高ＬＥＤ和激光器發(fā)光效率的重要組成結(jié)構(gòu)。Ｗａｎｇ等??人［１４］研發(fā)出一種基于氮化鎵納米線（ＧａＮＮＷ）?／石墨紙（ＧＰ）納米復(fù)合材料的??新型柔性超級(jí)電容器電極。該復(fù)合電極表現(xiàn)出出色的比電容和循環(huán)性能，可以用??作柔性儲(chǔ)能器件的候選材料。??ｊｒｎ＾??—ｎ－ＧａＮ??Ｉ?■?ＭＱＷｓ??＝?．?，？＿一?Ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｏｎｆｉｎｅｄ?ｌａｙｅｒ??ｓ?ａ＾ａ?＿?ｐ－ｏｓＲ??＆〇ｒＫｉｉｎｇ?ｍｅｔａｌ??Ｌ■■攀，，一順，廁細(xì)—？－—??師?ａｄ??＊???Ｕ?ｉｕｂｓｔｒａｔｅ??圖１－３氮化鎵基ＶＣＳＥＬ結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ＶＣＳＥＬ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??．＇?Ｔｉ??－?ｆＴＯ??ｍｑｗＮ??＾ｏｐｏｒｏｙｓ?ｎ－ＧｏＮ??、爹．??圖１－４具有納米多孔ＧａＮ?／未摻雜ＧａＮ?ＤＢＲ結(jié)構(gòu)的ＬＥＤ示意圖??Ｆｉｇ．?１－４?ＬＥＤ?ｗｉｔｈ?ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ?ＧａＮ?／?ｕｎｄｏｐｅｄ?ＧａＮ?ＤＢＲ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??１．２納米多孔氮化鎵薄膜的研究進(jìn)展??由于氮化鎵襯底的缺失

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors[J]. DEZHONG CAO,XIAOKUN YANG,LüYANG SHEN,CHONGCHONG ZHAO,CAINA LUAN,JIN MA,HONGDI XIAO.  Photonics Research. 2018(12)
[2]Optical characteristics and environmental pollutants detection of porous silicon microcavities[J]. HUANG JianFeng, LI Sha, CHEN QingWei & CAI LinTao CAS Key Laboratory of Health Informatics; Shenzhen Key Laboratory of Cancer Nanotechnology; Institute of Biomedical and Health Engineering, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen 518055, China.  Science China(Chemistry). 2011(08)



本文編號(hào)：2911316