本文關(guān)鍵詞：一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)與分析曾宏博, 胡　錦, 陳迪平(湖南大學(xué)微電子研究所, 湖南省長(zhǎng)沙市410082) 【摘　要】　提出了一種采用0 . 6μm 1P1M (單層Poly,單層Metal) CMOS工藝的高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源電路(BGR)設(shè)計(jì)。該電路能夠在電壓范圍[ 4 . 0 V, 6 . 0 V ]內(nèi)穩(wěn)定工作,實(shí)現(xiàn)了一階PT AT(與絕對(duì)溫度成比例)溫度補(bǔ)償,并具有較好的電源抑制比和較低的溫度系數(shù),應(yīng)用在熱釋電紅外傳感器專用控制芯片之中。HSP I CE模擬和芯片測(cè)試結(jié)果表明,其電源抑制比可達(dá)到65 dB,在0 ℃～70 ℃范圍內(nèi)精度可達(dá)到23 × 10 - 6 /℃,當(dāng)VDD為5 V時(shí)功耗僅為158 . 694 5μW。關(guān)鍵詞:帶隙基準(zhǔn)源, PT AT(與絕對(duì)溫度成比例) , 電源抑制比, 溫度系數(shù)中圖分類號(hào): T N432 . 1 收稿日期: 20052 092 29; 修回日期: 20052 112 01。0　引　言基準(zhǔn)電壓源是集成電路中一個(gè)重要的單元模塊, 常用于A /D、D /A、PLL、DRAM、Flash、DC2 DC等需要精密控制輸出電壓的場(chǎng)合。它要求基準(zhǔn)源發(fā)生器克服工藝、電壓、溫度以及負(fù)載變化影響而保持穩(wěn)定,并且在生產(chǎn)工藝不必調(diào)整的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)。由于具有較高的PSRR (電源紋波抑制比)以及較低的溫度系數(shù), 因而基準(zhǔn)源是影響A /D、D /A轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素, 甚至影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度和性能。因此,設(shè)計(jì)一個(gè)好的基準(zhǔn)電壓源具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。盡管實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)源的技術(shù)繁多,可以采用穩(wěn)壓管、VBE基準(zhǔn)源技術(shù)、門限電壓VTH基準(zhǔn)源技術(shù)、熱電壓VT基準(zhǔn)源技術(shù)[ 1 ] , 以及利用MOS工藝中增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS 管之間的閾值電壓差產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓的技術(shù)等[ 2 ] ,但兼顧既要對(duì)電源電壓依賴性小、又要對(duì)溫度變化反應(yīng)不敏感,并且還要與主流的增強(qiáng)型CMOS工藝相兼容的多重要求,綜合比較, CMOS帶隙基準(zhǔn)源仍是現(xiàn)階段的最優(yōu)選擇。作者為了配合一種熱釋電紅外傳

  本文關(guān)鍵詞：一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。