本文關(guān)鍵詞：LDMOS功率管金屬電極結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)　出處：《東南大學(xué)》2017年碩士論文　論文類(lèi)型：學(xué)位論文

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【摘要】：LDMOS功率管廣泛應(yīng)用于雷達(dá)探測(cè)領(lǐng)域,比如:機(jī)載、艦載、陸基相控陣?yán)走_(dá)等領(lǐng)域。芯片電極是工作電流與微波信號(hào)的通道,也是整個(gè)LDMOS功率器件互聯(lián)的關(guān)鍵元素,電極的質(zhì)量直接影響到LDMOS器件的性能優(yōu)劣。本文主要論述了金屬電極系統(tǒng)完整的制作工藝,并利用濺射工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)各層金屬的淀積,并且實(shí)際應(yīng)用到LDMOS功率器件的制程中。文中首先詳細(xì)敘述了金屬硅化物制作的工藝技術(shù),對(duì)比實(shí)驗(yàn)獲得硅化鈷制作工藝方案,且其方塊電阻達(dá)到(1～3)Q每方塊。后續(xù)著重研究電極中的阻擋層,利用反應(yīng)濺射原理淀積氮化鎢(WN)薄膜與氮化鈦(TiN)薄膜,通過(guò)比較它們的特性,選取了電阻率低于200μΩ·cm的氮化鎢薄膜作為阻擋層。最后討論了雙層金屬布線工藝技術(shù)。論文設(shè)計(jì)的LDMOS器件進(jìn)行了流片實(shí)驗(yàn),測(cè)試結(jié)果表明:在(485～606)MHz頻率范圍、脈寬20ms、占空比35.7%的工作條件下,測(cè)得其輸出功率大于350瓦(W),增益大于17分貝(dB),效率大于52%。
[Abstract]:LDMOS power transistor is widely used in radar detection field, such as airborne, shipborne, land-based phased array radar and so on. Chip electrode is the channel of working current and microwave signal. It is also a key element in the interconnection of the whole LDMOS power device. The quality of the electrode directly affects the performance of the LDMOS device. This paper mainly discusses the complete fabrication process of the metal electrode system. The sputtering process is used to realize the deposition of various layers of metals, and it is applied to the process of LDMOS power device. Firstly, the fabrication technology of metal silicide is described in detail. The fabrication process of cobalt silicide was obtained by contrast experiment, and the block resistance reached 1 ~ 3 ~ 3 Q / square. The barrier layer in the electrode was studied emphatically. Tungsten nitride (WN) thin films and titanium nitride (TiN) thin films were deposited by reactive sputtering, and their properties were compared. The tungsten nitride film with resistivity less than 200 渭 惟 路cm is selected as the barrier layer. Finally, the double-layer metal wiring technology is discussed. The flow sheet experiment of the LDMOS device designed in this paper is carried out. The test results show that the output power is more than 350W / W under the condition of frequency range of 485V 606MHz, pulse width 20ms, duty cycle 35.7%). The gain is more than 17 decibels and the efficiency is greater than 52.
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類(lèi)號(hào)】：TN386

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