本文關(guān)鍵詞：基于光電導(dǎo)效應(yīng)的太赫茲波開關(guān)實(shí)驗(yàn)研究

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【摘要】：隨著太赫茲輻射源和探測(cè)器的迅速發(fā)展,太赫茲波功能器件的應(yīng)用研究得到了廣泛的重視。本文主要進(jìn)行了基于光電導(dǎo)效應(yīng)的太赫茲波透射特性實(shí)驗(yàn)研究,并提出了基于半導(dǎo)體高阻硅材料的太赫茲波開關(guān)方案。半導(dǎo)體材料在光照下產(chǎn)生的光電導(dǎo)效應(yīng)直接影響了材料對(duì)太赫茲波的吸收特性。本文對(duì)光生載流子濃度的變化過程和少數(shù)載流子壽命的機(jī)理進(jìn)行了理論分析。通過對(duì)不同少數(shù)載流子壽命不同半導(dǎo)體材料的太赫茲波透射性實(shí)驗(yàn)比較,綜合考慮太赫茲波開關(guān)響應(yīng)速率和調(diào)幅效果,從而初步確定基于高阻硅材料的開關(guān)方案。并對(duì)高阻硅材料進(jìn)行少數(shù)載流子壽命降低方案的探索,通過高溫?zé)崽幚淼仁侄螕诫s金屬銅離子,成功將其少數(shù)載流子壽命降至0.7μs左右。本文最后結(jié)合高阻硅材料的光電導(dǎo)效應(yīng)與太赫茲功能器件特點(diǎn),組建了大功率高速光路系統(tǒng)以滿足高速開關(guān)的要求,結(jié)合返波管系統(tǒng)組建成開關(guān)性能測(cè)量平臺(tái),最終實(shí)現(xiàn)了響應(yīng)速率1 MHz以上,調(diào)幅深度25%左右的光電導(dǎo)太赫茲波開關(guān)原理器件。
【關(guān)鍵詞】：太赫茲波 光電導(dǎo)效應(yīng) 少數(shù)載流子壽命 太赫茲波開關(guān)
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN304;TN761
【目錄】：

• 致謝5-6
• 摘要6-7
• Abstract7-13
• 英漢縮略語(yǔ)表13-14
• 符號(hào)表14-16
• 第1章 緒論16-27
• 1.1 太赫茲波簡(jiǎn)介16-22
• 1.1.1 太赫茲波輻射源18-20
• 1.1.2 太赫茲波探測(cè)器20-21
• 1.1.3 太赫茲功能器件21-22
• 1.2 太赫茲波開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀22-25
• 1.2.1 光開關(guān)器件22-23
• 1.2.2 太赫茲波光控開關(guān)器件23-25
• 1.3 課題研究的意義、研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排25-27
• 1.3.1 課題研究的意義25-26
• 1.3.2 本文研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排26-27
• 第2章 太赫茲波開關(guān)的知識(shí)準(zhǔn)備27-43
• 2.1 光生載流子的產(chǎn)生27-29
• 2.1.1 固體能帶基本概念27-28
• 2.1.2 半導(dǎo)體的光吸收28-29
• 2.2 光生載流子濃度變化29-34
• 2.2.1 上升時(shí)間和下降時(shí)間33-34
• 2.2.2 激光脈沖照射半導(dǎo)體34
• 2.3 光生載流子的復(fù)合34-38
• 2.3.1 復(fù)合過程35-36
• 2.3.2 復(fù)合方式影響少子壽命36-38
• 2.4 少數(shù)載流子壽命38
• 2.5 光電導(dǎo)效應(yīng)應(yīng)用于太赫茲波38-42
• 2.6 本章小結(jié)42-43
• 第3章 少數(shù)載流子壽命對(duì)太赫茲波開關(guān)性能影響的實(shí)驗(yàn)研究43-63
• 3.1 少數(shù)載流子壽命對(duì)開關(guān)特性的影響43-49
• 3.1.1 THz-TDS系統(tǒng)的太赫茲波發(fā)生與檢測(cè)43-44
• 3.1.2 實(shí)驗(yàn)方案與步驟44-46
• 3.1.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析46-49
• 3.2 少數(shù)載流子壽命對(duì)開關(guān)響應(yīng)速率的影響49-51
• 3.2.1 BWO系統(tǒng)與檢測(cè)設(shè)備49-50
• 3.2.2 實(shí)驗(yàn)方案與結(jié)果分析50-51
• 3.3 激光強(qiáng)度對(duì)開關(guān)特性的影響51-53
• 3.4 少數(shù)載流子壽命的測(cè)量技術(shù)53-54
• 3.5 高阻硅片的少數(shù)載流子壽命的降低54-58
• 3.5.1 少子壽命控制技術(shù)54-55
• 3.5.2 高溫?zé)崽幚頁(yè)诫s降低少子壽命55-58
• 3.6 熱處理后Si樣品開關(guān)性能測(cè)試58-62
• 3.7 本章小結(jié)62-63
• 第4章 電光調(diào)制系統(tǒng)組建與太赫茲波開關(guān)器件測(cè)量63-71
• 4.1 高速電光調(diào)制系統(tǒng)63-66
• 4.1.1 實(shí)驗(yàn)方案與系統(tǒng)組建63-65
• 4.1.2 高速調(diào)制光路性能測(cè)試65-66
• 4.2 基于光電導(dǎo)效應(yīng)的太赫茲波開關(guān)測(cè)試系統(tǒng)組建66-67
• 4.3 太赫茲波光控開關(guān)性能測(cè)量67-70
• 4.4 本章小結(jié)70-71
• 第5章 結(jié)論與展望71-74
• 參考文獻(xiàn)74-78
• 作者簡(jiǎn)歷78

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1 張秀澹;;高頻測(cè)量硅單晶中少數(shù)載流子壽命的方法[J];電子技術(shù);1965年10期

2 黃慶安;;用激光輻照技術(shù)控制硅片的少數(shù)載流子壽命[J];電子工藝技術(shù);1987年07期

3 施毅,吳鳳美,沈德勛,程開甲,王長(zhǎng)河;中子輻照損傷區(qū)對(duì)硅少數(shù)載流子壽命的影響[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1989年09期

4 張萬(wàn)生;李勝瑞;;1.1μm波段InGaAsP/InP DH LED的新應(yīng)用——硅少數(shù)載流子壽命的測(cè)試[J];半導(dǎo)體情報(bào);1989年06期

5 項(xiàng)興榮;硅中少數(shù)載流子壽命控制技術(shù)及在電視機(jī)用高壓快恢復(fù)器件中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);1993年02期

6 曾云，顏永紅，陳迪平;一種測(cè)量少數(shù)載流子壽命的新方法[J];微細(xì)加工技術(shù);1995年04期

7 龔海梅，李言謹(jǐn)，胡曉寧，靳秀芬，宣榮偉，朱龍?jiān)矗郊倚?碲鎘汞晶片少數(shù)載流子壽命面分布的自動(dòng)測(cè)試技術(shù)[J];紅外與激光工程;1996年06期

8 ;非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀[J];電測(cè)與儀表;1972年07期

9 ;用高頻光電導(dǎo)法測(cè)量硅單晶中少數(shù)載流子壽命時(shí)一些問題的探討[J];西安交通大學(xué)學(xué)報(bào);1974年01期

10 H Reichl;H.Bernt;陳新之;;硅外延材料壽命測(cè)量[J];半導(dǎo)體情報(bào);1976年06期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 陳鳳翔;孟凡英;崔容強(qiáng);林書銓;唐敦乙;;用開路電壓法測(cè)硅的少數(shù)載流子壽命[A];中國(guó)太陽(yáng)能學(xué)會(huì)2001年學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2001年

2 汪義川;李劍;黃治國(guó);吳而義;俞超;沈浩平;曾世銘;張光春;施正榮;;高穩(wěn)定性單晶硅太陽(yáng)能電池[A];第十屆中國(guó)太陽(yáng)能光伏會(huì)議論文集：迎接光伏發(fā)電新時(shí)代[C];2008年

3 陳松;倪祖榮;馮晶天;;太陽(yáng)能電池少子壽命的測(cè)試系統(tǒng)[A];2008中國(guó)儀器儀表與測(cè)控技術(shù)進(jìn)展大會(huì)論文集（Ⅱ）[C];2008年

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1 張憶汝;基于光電導(dǎo)效應(yīng)的太赫茲波開關(guān)實(shí)驗(yàn)研究[D];浙江大學(xué);2015年

2 莫晨曉;基于微波移頻方法的硅材料少數(shù)載流子壽命測(cè)量系統(tǒng)[D];暨南大學(xué);2012年

3 馬遜;硅太陽(yáng)電池少數(shù)載流子壽命研究與測(cè)量[D];云南師范大學(xué);2005年

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本文編號(hào)：1080452