目的:通過(guò)材料表面化學(xué)-維生素D₃聯(lián)合刺激成骨細(xì)胞,觀察細(xì)胞早期粘附、增殖、分化、鋪展、形態(tài)等早期生物學(xué)行為的改變,探討聯(lián)合刺激對(duì)成骨細(xì)胞生物學(xué)行為影響的可能機(jī)制。方法:以空白組織培養(yǎng)載玻片為對(duì)照,通過(guò)硅-烷基自組裝技術(shù)在組織培養(yǎng)載玻片表面構(gòu)建羥基、氨基、甲基三種材料表面。采用水接觸角和X射線光電子能譜（XPS）對(duì)得到的材料表面進(jìn)行表征。復(fù)蘇MC3T3-E1成骨細(xì)胞株,觀察單純化學(xué)刺激對(duì)成骨細(xì)胞早期粘附、增殖、分化及細(xì)胞形態(tài)的影響,作為對(duì)照組。利用無(wú)水乙醇溶解維生素D₃來(lái)配制濃度分別為10^-7mol/L、10^-8mol/L、10^-9mol/L維生素D₃的培養(yǎng)液,考察不同濃度維生素D₃與材料表面化學(xué)聯(lián)合刺激條件下成骨細(xì)胞早期應(yīng)答行為的差異,在維生素D₃加入后的不同時(shí)間點(diǎn),分別用血球計(jì)數(shù)板、CCK-8、ALP、BCA檢測(cè)試劑盒、茜素紅染料及免疫熒光染色技術(shù)等分別檢測(cè)各組成骨細(xì)胞在不同濃度維生素D₃

【文章來(lái)源】：西南醫(yī)科大學(xué)四川省

【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

表面水接觸角θ示意圖

-11-Glass30.90±0.14OH15.96±0.38NH252.97±2.31CH3100.06±0.681.3.2X射線光電子能譜（XPS）檢測(cè)圖2GLASS表面的全譜圖3OH基底表面硅譜Fig.2TheXPSdetectionofallelementsontheGlassFig.3TheXPSdetectionofSiontheOH圖4CH3基底表面碳譜峰位圖5NH2基底表面碳譜峰位Fig.4TheXPSdetectionofContheCH3Fig.5TheXPSdetectionofContheNH2Glass表面的全譜如圖2所示。從圖可以看出，材料表面僅顯示Si和O的光電子峰，并無(wú)其余雜質(zhì)的峰。圖3為羥基基底表面Si譜，當(dāng)鍵能為103.3ev的時(shí)，由SiO2形成的光電子峰，同時(shí)，在鍵能為102.5ev的位置出現(xiàn)由SiOH結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的另外一個(gè)峰，這表明了我們順利地構(gòu)建了羥基材料表面。圖4和圖5分別為甲基、氨基基底表面的碳譜峰位，其中，

-11-Glass30.90±0.14OH15.96±0.38NH252.97±2.31CH3100.06±0.681.3.2X射線光電子能譜（XPS）檢測(cè)圖2GLASS表面的全譜圖3OH基底表面硅譜Fig.2TheXPSdetectionofallelementsontheGlassFig.3TheXPSdetectionofSiontheOH圖4CH3基底表面碳譜峰位圖5NH2基底表面碳譜峰位Fig.4TheXPSdetectionofContheCH3Fig.5TheXPSdetectionofContheNH2Glass表面的全譜如圖2所示。從圖可以看出，材料表面僅顯示Si和O的光電子峰，并無(wú)其余雜質(zhì)的峰。圖3為羥基基底表面Si譜，當(dāng)鍵能為103.3ev的時(shí)，由SiO2形成的光電子峰，同時(shí)，在鍵能為102.5ev的位置出現(xiàn)由SiOH結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的另外一個(gè)峰，這表明了我們順利地構(gòu)建了羥基材料表面。圖4和圖5分別為甲基、氨基基底表面的碳譜峰位，其中，

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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