二維磁性材料與磁性半金屬的臨界現(xiàn)象及輸運(yùn)研究
發(fā)布時(shí)間:2022-09-30 16:56
隨著空間維度的減少,二維磁性材料表現(xiàn)出迷人的量子現(xiàn)象和特性,比如層數(shù)依賴的物性、反常霍爾效應(yīng)、帶狀磁疇結(jié)構(gòu)等。此外,這些層狀材料的層間作用力很弱,可以很容易通過機(jī)械剝離成多層或者單層,并且在有限的溫度下還能保持鐵磁性。因此探究這些具有鐵磁性的范德瓦爾斯系統(tǒng),不僅對(duì)于低維磁性的研究,而且對(duì)于下一代自旋電子器件的開發(fā),都具有重要意義。而磁性拓?fù)浒虢饘僭诖艌?chǎng)、電場(chǎng)、應(yīng)力和溫度等調(diào)控手段下,其本身的量子態(tài)可以被調(diào)控,會(huì)出現(xiàn)新型的拓?fù)湎嘧円约捌嫣氐妮斶\(yùn)行為。對(duì)于磁性相變,磁熵標(biāo)度和臨界分析則是揭示其相變內(nèi)在的機(jī)制非常有效的方法,這使得我們可以通過臨界指數(shù),來探究磁性相變的磁耦合作用、自旋相互作用的衰減距離、相變類型、空間和自旋維度、短程或者長(zhǎng)程磁相互作用等。本文選取了兩種二維磁性材料和兩種磁性半金屬,通過磁熵標(biāo)度和臨界分析對(duì)其相變和磁性進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,此外,還對(duì)二維磁性半導(dǎo)體材料Cr2Ge2Te6的輸運(yùn)行為進(jìn)行了研究。本文主要分為四個(gè)章節(jié)。第一章,首先介紹了幾種常見的基本磁性以及他們各自的特點(diǎn);其次還介紹了磁性相變和臨界指數(shù)以及它們之間的內(nèi)在關(guān)系;此外給出了兩種求解臨界指數(shù)的方法;最后介紹了標(biāo)...
【文章頁數(shù)】:104 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 物質(zhì)的基本磁性分類
1.3 磁性相變與臨界指數(shù)
1.4 臨界指數(shù)的求解方法
1.4.1 磁性迭代法
1.4.2 磁熵變法
1.5 普適性和相圖
第二章 二維范德瓦爾斯磁性材料臨界行為和輸運(yùn)行為研究
2.1 引言
2.2 二維范德瓦爾斯磁性半導(dǎo)體材料Cr_2Ge_2Te_6的臨界行為
2.2.1 研究背景
2.2.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
2.2.3 磁各向異性分析
2.2.4 磁熵變分析
2.2.5 結(jié)論
2.3 二維范德瓦爾斯磁性半導(dǎo)體材料Cr_2Ge_2Te_6的各向異性磁阻行為
2.3.1 研究背景
2.3.2 生長(zhǎng)方法與測(cè)量模式
2.3.3 磁阻行為的分析與討論
2.3.4 結(jié)論
2.4 二維范德瓦爾斯磁性材料Fe_(3-x)GeTe_2的磁場(chǎng)依賴的各向異性磁耦
2.4.1 研究背景
2.4.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
2.4.3 磁各向異性分析
2.4.4 磁熵變分析
2.4.5 結(jié)論
第三章 磁性半金屬的臨界行為分析與磁熵標(biāo)度
3.1 引言
3.2 反鐵磁半金屬DySb中磁場(chǎng)誘導(dǎo)的三重臨界現(xiàn)象以及H-T相圖
3.2.1 研究背景
3.2.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
3.2.3 磁性測(cè)量與Arrott圖
3.2.4 臨界行為分析
3.2.5 結(jié)論
3.3 磁性外爾半金屬PrAlGe的臨界行為
3.3.1 研究背景
3.3.2 生長(zhǎng)方法
3.3.3 結(jié)構(gòu)表征與磁各向異性分析
3.3.4 磁熵變分析
3.3.5 結(jié)論
第四章 總結(jié)與展望
4.1 總結(jié)
4.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的研究成果
本文編號(hào):3683925
【文章頁數(shù)】:104 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
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摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 物質(zhì)的基本磁性分類
1.3 磁性相變與臨界指數(shù)
1.4 臨界指數(shù)的求解方法
1.4.1 磁性迭代法
1.4.2 磁熵變法
1.5 普適性和相圖
第二章 二維范德瓦爾斯磁性材料臨界行為和輸運(yùn)行為研究
2.1 引言
2.2 二維范德瓦爾斯磁性半導(dǎo)體材料Cr_2Ge_2Te_6的臨界行為
2.2.1 研究背景
2.2.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
2.2.3 磁各向異性分析
2.2.4 磁熵變分析
2.2.5 結(jié)論
2.3 二維范德瓦爾斯磁性半導(dǎo)體材料Cr_2Ge_2Te_6的各向異性磁阻行為
2.3.1 研究背景
2.3.2 生長(zhǎng)方法與測(cè)量模式
2.3.3 磁阻行為的分析與討論
2.3.4 結(jié)論
2.4 二維范德瓦爾斯磁性材料Fe_(3-x)GeTe_2的磁場(chǎng)依賴的各向異性磁耦
2.4.1 研究背景
2.4.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
2.4.3 磁各向異性分析
2.4.4 磁熵變分析
2.4.5 結(jié)論
第三章 磁性半金屬的臨界行為分析與磁熵標(biāo)度
3.1 引言
3.2 反鐵磁半金屬DySb中磁場(chǎng)誘導(dǎo)的三重臨界現(xiàn)象以及H-T相圖
3.2.1 研究背景
3.2.2 生長(zhǎng)方法與結(jié)構(gòu)表征
3.2.3 磁性測(cè)量與Arrott圖
3.2.4 臨界行為分析
3.2.5 結(jié)論
3.3 磁性外爾半金屬PrAlGe的臨界行為
3.3.1 研究背景
3.3.2 生長(zhǎng)方法
3.3.3 結(jié)構(gòu)表征與磁各向異性分析
3.3.4 磁熵變分析
3.3.5 結(jié)論
第四章 總結(jié)與展望
4.1 總結(jié)
4.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的研究成果
本文編號(hào):3683925
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