幾種稀土離子摻雜的鈮酸鹽發(fā)光特性及溫度傳感的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-15 09:26
溫度是表征物體冷熱程度的物理量。精準(zhǔn)測量溫度在航空航天、國防、氣候研究、醫(yī)學(xué)領(lǐng)域至關(guān)重要。光學(xué)溫度計(jì)是一種新型的非接觸式溫度計(jì),根據(jù)熒光粉發(fā)光強(qiáng)度、光譜位置、激發(fā)態(tài)壽命等特征進(jìn)行溫度測量。這類溫度計(jì)有較高的靈敏度(~1%K-1)、較高的空間分辨率(~10 μm)以及較快的反應(yīng)時(shí)間(~1 ms)。此外光學(xué)溫度計(jì)還可以在電場下工作,而熱電偶溫度計(jì)受電場影響較大。本論文工作圍繞幾種稀土離子摻雜的鈮酸鹽發(fā)光特性展開,主要包括三部分:第一部分是在兩種稀土離子共摻鈮酸釔材料中,利用熒光強(qiáng)度比進(jìn)行溫度探測;第二部分是一種稀土離子摻雜鈮酸鑭中,用基態(tài)熱耦合的方式進(jìn)行溫度探測;第三部分是關(guān)于單基質(zhì)白光的研究。第一章主要介紹發(fā)光材料的研究近況、稀土發(fā)光材料的應(yīng)用、各種光學(xué)測溫方式、發(fā)光材料常用的表征手段、稀土光譜理論,并依據(jù)位形坐標(biāo)模型解釋了溫度猝滅現(xiàn)象。第二章主要介紹了 YNbO4:Eu3+,Er3+的發(fā)光特性以及樣品發(fā)光對溫度的依賴。首先我們利用487.6 nm的激發(fā)光激發(fā)Eu3+離子將布居至7F2態(tài)的Eu3+離子激發(fā)至高能激發(fā)態(tài)5D2上。Eu3+離子被激發(fā)至5D2態(tài)后會(huì)很快弛豫至5D0態(tài),此時(shí)我們可...
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:112 頁
【學(xué)位級別】:博士
【圖文】:
圖1.?1稀土元素在元素周期表中的位置(?
?中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文???這時(shí)用2S+1b來表示。是晶體場對其作用,對于稀土離子,由于4f電子受到??5s,5p電子層的屏蔽,晶體場作用較弱。各種相互作用對于稀土離子能級影響??大小在圖1.2中給出。??I?M??SL??4f7?? ̄?^巨??自由離子組態(tài)?庫倫相互作用 ̄丨04〇1^?自旋軌道耦?丨03?cm—1?晶體場影?川2^!-1??圖1.2?4f組態(tài)受各種相互作用時(shí)能級劈裂情況??圖1.3所示為三價(jià)稀土離子(Ln3+)在LaCl3晶場中的能級分裂情況[188],??圖中所示能級位置是從稀土摻雜的LaCl3光譜中得出的。圖中各能級都用m+1A;??的形式表示,各/多重態(tài)間滿足Lande間距規(guī)則:同一2S+1A;組內(nèi)相鄰?/能級間??隔w正比于以Eu3+離子為例,基態(tài)7FC與7Fi間能級間距約為350??cm'?%與7F2能級間距約為670?cm'基本符合1/2;但7F5與7F6之間能級??間距約為1100?cm'就偏離了?Lande定則所得出的值,因?yàn)橄⊥岭x子LS耦合比??較強(qiáng),不是遠(yuǎn)弱于庫倫作用,屬于中等耦合因此會(huì)有以上給出的誤差;由于稀土??離子的中等耦合程度,具有相同J值而L和S不同的各種態(tài),會(huì)相互混合,從而??對發(fā)光產(chǎn)生影響。??8??
?第一章緒論???A??圖1.4位形坐標(biāo)模型示意圖??通過位形坐標(biāo)模型和弗蘭克康登原理可以很方便的說明一些問題,比如斯托??克斯位移。處于基態(tài)的發(fā)光中心在激發(fā)光的照射下,發(fā)光中心從基態(tài)的A位形??被激發(fā)至激發(fā)態(tài)的B位形。A是基態(tài)的平衡位形,而B并非激發(fā)態(tài)中的平衡位??形,在A的正上方。發(fā)光中心被激發(fā)至B位形后,無輻射弛豫至C位形,C位??形是激發(fā)態(tài)的平衡位形,發(fā)光中心弛豫至C位形后,輻射躍遷至D位形。最后??發(fā)光中心從D弛豫回A,完成整個(gè)過程。在此過程中,發(fā)光中心吸收的能量,??經(jīng)過兩次無輻射弛豫,因此發(fā)射的光子能量要小于吸收的光子能量。??簡諧近似下,圖中一條條橫線所表示的是一個(gè)個(gè)能量狀態(tài),這時(shí)他們的躍遷??初末態(tài)不再局限在位形坐標(biāo)曲線上,振子在各處出現(xiàn)的幾率與波函數(shù)的模平方成??正比,這樣可以得到發(fā)射譜的表示形式為高斯分布,與實(shí)際相符。??位形坐標(biāo)模型與弗蘭克康登原理還可以幫助我們解釋溫度猝滅現(xiàn)象。發(fā)光中??心被激發(fā)至B后,不一定會(huì)弛豫至C通過輻射躍遷來退激發(fā),上能級的振動(dòng)態(tài)??可無轄射躍遷至下能級的高正動(dòng)態(tài),進(jìn)而無輻射弛豫至基態(tài)的平衡位形A處。根??據(jù)弗蘭克康登原理,電子態(tài)間的無輻射躍遷最可能發(fā)生在基態(tài)與激發(fā)態(tài)位形坐標(biāo)??曲線相交的位形處。當(dāng)溫度足夠高時(shí),數(shù)目足夠多的發(fā)光中心布居至F位形,激??發(fā)能量變成了熱能,不再有發(fā)光,我們稱之為溫度猝滅。??11??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Investigation of the temperature characteristic in SrB4O7:Sm2+ phosphor-in-glass by analyzing the lifetime of 684 nm[J]. 曾鵬,曹中民,陳永虎,尹民. Journal of Rare Earths. 2017(08)
[2]高密度碳酸稀土制備超細(xì)拋光粉的研究[J]. 周新木,王愛勤,李靜,阮桑桑,李永繡. 稀土. 2015(05)
[3]Mechanism of CeMgAl11O19:Tb3+ alkaline fusion with sodium hydroxide[J]. Hu Liu,Shen-Gen Zhang,De-An Pan,Yi-Fan Liu,Bo Liu,Jian-Jun Tian,Alex A.Volinsky. Rare Metals. 2015(03)
[4]電荷補(bǔ)償對Ba3B2O6:Eu3+的光致發(fā)光性能的影響[J]. 楊英,陳永杰,肖林久. 電子元件與材料. 2014(08)
[5]Effects of charge compensation on red emission in CaYAl3O7:Eu3+ phosphor[J]. 余紅玲,余雪,徐旭輝,焦清,姜庭明,劉雪娥,周大成,邱建備. Chinese Optics Letters. 2014(05)
[6]LED合成光譜光源色度參數(shù)的快速計(jì)算及應(yīng)用[J]. 朱曉東,聶叢偉,李立安,武冰. 半導(dǎo)體技術(shù). 2012(05)
[7]新型稀土高性能儲(chǔ)氫合金研究進(jìn)展[J]. 袁華堂,王一菁,閆超,宋大衛(wèi). 化工進(jìn)展. 2012(02)
[8]A new structure of multi-layer phosphor package of white LED with high efficiency[J]. 李柏承,張大偉,黃元申,倪爭技,莊松林. Chinese Optics Letters. 2010(02)
[9]稀土系A(chǔ)B5型貯氫合金電極材料研究進(jìn)展[J]. 許劍軼,張胤,閻汝煦,羅永春. 電源技術(shù). 2009(10)
[10]大功率白光LED封裝工藝技術(shù)與研制[J]. 王華,耿凱鴿,趙義坤,劉亞慧. 半導(dǎo)體技術(shù). 2009(05)
本文編號(hào):3139067
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:112 頁
【學(xué)位級別】:博士
【圖文】:
圖1.?1稀土元素在元素周期表中的位置(?
?中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文???這時(shí)用2S+1b來表示。是晶體場對其作用,對于稀土離子,由于4f電子受到??5s,5p電子層的屏蔽,晶體場作用較弱。各種相互作用對于稀土離子能級影響??大小在圖1.2中給出。??I?M??SL??4f7?? ̄?^巨??自由離子組態(tài)?庫倫相互作用 ̄丨04〇1^?自旋軌道耦?丨03?cm—1?晶體場影?川2^!-1??圖1.2?4f組態(tài)受各種相互作用時(shí)能級劈裂情況??圖1.3所示為三價(jià)稀土離子(Ln3+)在LaCl3晶場中的能級分裂情況[188],??圖中所示能級位置是從稀土摻雜的LaCl3光譜中得出的。圖中各能級都用m+1A;??的形式表示,各/多重態(tài)間滿足Lande間距規(guī)則:同一2S+1A;組內(nèi)相鄰?/能級間??隔w正比于以Eu3+離子為例,基態(tài)7FC與7Fi間能級間距約為350??cm'?%與7F2能級間距約為670?cm'基本符合1/2;但7F5與7F6之間能級??間距約為1100?cm'就偏離了?Lande定則所得出的值,因?yàn)橄⊥岭x子LS耦合比??較強(qiáng),不是遠(yuǎn)弱于庫倫作用,屬于中等耦合因此會(huì)有以上給出的誤差;由于稀土??離子的中等耦合程度,具有相同J值而L和S不同的各種態(tài),會(huì)相互混合,從而??對發(fā)光產(chǎn)生影響。??8??
?第一章緒論???A??圖1.4位形坐標(biāo)模型示意圖??通過位形坐標(biāo)模型和弗蘭克康登原理可以很方便的說明一些問題,比如斯托??克斯位移。處于基態(tài)的發(fā)光中心在激發(fā)光的照射下,發(fā)光中心從基態(tài)的A位形??被激發(fā)至激發(fā)態(tài)的B位形。A是基態(tài)的平衡位形,而B并非激發(fā)態(tài)中的平衡位??形,在A的正上方。發(fā)光中心被激發(fā)至B位形后,無輻射弛豫至C位形,C位??形是激發(fā)態(tài)的平衡位形,發(fā)光中心弛豫至C位形后,輻射躍遷至D位形。最后??發(fā)光中心從D弛豫回A,完成整個(gè)過程。在此過程中,發(fā)光中心吸收的能量,??經(jīng)過兩次無輻射弛豫,因此發(fā)射的光子能量要小于吸收的光子能量。??簡諧近似下,圖中一條條橫線所表示的是一個(gè)個(gè)能量狀態(tài),這時(shí)他們的躍遷??初末態(tài)不再局限在位形坐標(biāo)曲線上,振子在各處出現(xiàn)的幾率與波函數(shù)的模平方成??正比,這樣可以得到發(fā)射譜的表示形式為高斯分布,與實(shí)際相符。??位形坐標(biāo)模型與弗蘭克康登原理還可以幫助我們解釋溫度猝滅現(xiàn)象。發(fā)光中??心被激發(fā)至B后,不一定會(huì)弛豫至C通過輻射躍遷來退激發(fā),上能級的振動(dòng)態(tài)??可無轄射躍遷至下能級的高正動(dòng)態(tài),進(jìn)而無輻射弛豫至基態(tài)的平衡位形A處。根??據(jù)弗蘭克康登原理,電子態(tài)間的無輻射躍遷最可能發(fā)生在基態(tài)與激發(fā)態(tài)位形坐標(biāo)??曲線相交的位形處。當(dāng)溫度足夠高時(shí),數(shù)目足夠多的發(fā)光中心布居至F位形,激??發(fā)能量變成了熱能,不再有發(fā)光,我們稱之為溫度猝滅。??11??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Investigation of the temperature characteristic in SrB4O7:Sm2+ phosphor-in-glass by analyzing the lifetime of 684 nm[J]. 曾鵬,曹中民,陳永虎,尹民. Journal of Rare Earths. 2017(08)
[2]高密度碳酸稀土制備超細(xì)拋光粉的研究[J]. 周新木,王愛勤,李靜,阮桑桑,李永繡. 稀土. 2015(05)
[3]Mechanism of CeMgAl11O19:Tb3+ alkaline fusion with sodium hydroxide[J]. Hu Liu,Shen-Gen Zhang,De-An Pan,Yi-Fan Liu,Bo Liu,Jian-Jun Tian,Alex A.Volinsky. Rare Metals. 2015(03)
[4]電荷補(bǔ)償對Ba3B2O6:Eu3+的光致發(fā)光性能的影響[J]. 楊英,陳永杰,肖林久. 電子元件與材料. 2014(08)
[5]Effects of charge compensation on red emission in CaYAl3O7:Eu3+ phosphor[J]. 余紅玲,余雪,徐旭輝,焦清,姜庭明,劉雪娥,周大成,邱建備. Chinese Optics Letters. 2014(05)
[6]LED合成光譜光源色度參數(shù)的快速計(jì)算及應(yīng)用[J]. 朱曉東,聶叢偉,李立安,武冰. 半導(dǎo)體技術(shù). 2012(05)
[7]新型稀土高性能儲(chǔ)氫合金研究進(jìn)展[J]. 袁華堂,王一菁,閆超,宋大衛(wèi). 化工進(jìn)展. 2012(02)
[8]A new structure of multi-layer phosphor package of white LED with high efficiency[J]. 李柏承,張大偉,黃元申,倪爭技,莊松林. Chinese Optics Letters. 2010(02)
[9]稀土系A(chǔ)B5型貯氫合金電極材料研究進(jìn)展[J]. 許劍軼,張胤,閻汝煦,羅永春. 電源技術(shù). 2009(10)
[10]大功率白光LED封裝工藝技術(shù)與研制[J]. 王華,耿凱鴿,趙義坤,劉亞慧. 半導(dǎo)體技術(shù). 2009(05)
本文編號(hào):3139067
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