300kV脈沖X射線源輻射特性及其應(yīng)用研究
發(fā)布時間:2021-04-08 06:13
脈沖X射線源因其脈沖短、強度高等特點而被廣泛應(yīng)用于實驗物理研究,其中一類為瞬態(tài)過程診斷,主要包括透射成像和衍射成像等。透射成像通常又被稱為閃光照相,它是利用脈沖X射線源的軔致輻射,當客體為高面密度時,需要X射線具有強穿透性,X射線源輻射光子能量應(yīng)偏向高能;而當客體為低面密度時,為了提高面密度診斷靈敏度,光子能量應(yīng)偏向低能。衍射成像則是利用脈沖X射線源的特征輻射與晶體材料發(fā)生衍射,進而研究晶體材料在動態(tài)加載條件下發(fā)生的壓縮、位錯和相變等響應(yīng)特性,由于材料原子、分子間距為1-~10A,結(jié)合工程因素,決定了 X射線波長不能過短,因此光子能量也偏向低能,同時要求特征輻射強度高,單色性好。可見,不同的成像應(yīng)用對脈沖X射線源的輻射光子能量以及能譜需求不同。針對衍射成像和低面密度客體透射成像應(yīng)用需求,基于脈沖功率技術(shù)的數(shù)百kV低能脈沖X射線源是比較合適的選擇,也因此得到了國、內(nèi)外相關(guān)研究機構(gòu)的青睞,并重點發(fā)展了應(yīng)用技術(shù),取得了不少的研究成果。但同時也發(fā)現(xiàn):1)在電子與靶相互作用理論中,對脈沖X射線源的設(shè)計缺乏足夠的支撐,靶參數(shù)對輻射的影響規(guī)律認識不夠;2)針對衍射成像應(yīng)用的二極管,未見有關(guān)Kα輻射特...
【文章來源】:中國工程物理研究院北京市
【文章頁數(shù)】:103 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2閃光照相示意??
?300kV脈沖X射線源輻射特性及其應(yīng)用研宄???對成像造成的模糊,從而獲得該時刻的準靜態(tài)閃光X光圖像W,因此脈沖X射線源也常??被稱為閃光X光機,其基本成像布局如圖1.2所示。閃光照相中,如果客體的面密度高,??脈沖X射線源輻射光子能量應(yīng)偏向高能提高穿透能力,比如微噴現(xiàn)象的中晚期;相反則??應(yīng)偏向低能提高面密度靈敏度,比如微噴現(xiàn)象的早期。??Collimator??Pulsed?x-ray?______----一""""""??somce^^--??^?H?Detector??v^l??圖1.2閃光照相示意??典型應(yīng)用之二是利用脈沖X射線源的特征輻射與客體發(fā)生衍射,進而研究客體在??動態(tài)加載條件下的壓縮、位錯和相變等微介觀響應(yīng)特性,一般客體為單晶或多晶材料,??代表性衍射成像布局及結(jié)果見圖1.3。由于原子和分子的間距為1-?10A,結(jié)合應(yīng)用研宄??需求,決定了?X射線波長不能過短,因此光子能量也偏向低能,同時要求特征輻射強度??高,單色性好。??[??I??1.?j-?—J??2〇l??Tar〇*i?Chamber?旦■??{?w?—?110H??Qun?/?〇〇<一?二、y?|?I??一?:一??.?^?^?1?m??^X-ray?Source^???—??\????5?10?15?20??\?Horizontal?detector?position?(mm)??圖1.3動態(tài)衍射成像布局(左)及結(jié)果(右)Mm??可見,不同的成像應(yīng)用對脈沖X射線源的輻射光子能量以及能譜需求不同。??1.1.3.成像效果影響因素??脈沖X射線源用于成像時
式中5,代表系統(tǒng)空間分辨力,慶、和艮分別表示脈沖X射線源、探測器??和客體帶來的模糊度,mm;?&?ZX?v分別表示焦斑(mm)、探測器像元尺寸(mm)以??及客體運動速度(mm/ns);?Z表示X射線脈寬,ns;?M為成像放大比,定義如下[12]:??M?=?L-^?(1-3)??乙1??(?Ll?^??一一^?Source?blur??〇??一一? ̄?—?Detector?blur??X-ray?source?〇bject??Detector??圖1.4成像模糊度示意??從式(1-2)和式(1-3)可以得出,若僅考慮脈沖X射線源部分,焦斑越孝X射??線脈寬越窄,則成像效果越好,但兩者與照射量有關(guān),可能導(dǎo)致脈沖X射線源的技術(shù)路??徑完全不同,實際中需要綜合考慮。焦斑可以采用刀刃法、小孔相機、狹縫法等方法測??量,經(jīng)由數(shù)學(xué)方法處理后獲得等效焦斑尺寸,目前各個研宄機構(gòu)對焦斑沒有統(tǒng)一的定義,??如表。表中每列依次代表源分布類型、源半高寬、美國阿拉莫斯實驗室定義焦斑、??英國原子能武器研宄機構(gòu)定義焦斑以及極限分辨率。??表1-1同樣半髙寬下的焦斑比較??.?.?FWHM?dtANL?dAWE?LR??Source?distribution???(mm)?(mm)?(mm)?(lp/mm)???Gaussian?1?1.598?1.25?0.917??3??
本文編號:3125014
【文章來源】:中國工程物理研究院北京市
【文章頁數(shù)】:103 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2閃光照相示意??
?300kV脈沖X射線源輻射特性及其應(yīng)用研宄???對成像造成的模糊,從而獲得該時刻的準靜態(tài)閃光X光圖像W,因此脈沖X射線源也常??被稱為閃光X光機,其基本成像布局如圖1.2所示。閃光照相中,如果客體的面密度高,??脈沖X射線源輻射光子能量應(yīng)偏向高能提高穿透能力,比如微噴現(xiàn)象的中晚期;相反則??應(yīng)偏向低能提高面密度靈敏度,比如微噴現(xiàn)象的早期。??Collimator??Pulsed?x-ray?______----一""""""??somce^^--??^?H?Detector??v^l??圖1.2閃光照相示意??典型應(yīng)用之二是利用脈沖X射線源的特征輻射與客體發(fā)生衍射,進而研究客體在??動態(tài)加載條件下的壓縮、位錯和相變等微介觀響應(yīng)特性,一般客體為單晶或多晶材料,??代表性衍射成像布局及結(jié)果見圖1.3。由于原子和分子的間距為1-?10A,結(jié)合應(yīng)用研宄??需求,決定了?X射線波長不能過短,因此光子能量也偏向低能,同時要求特征輻射強度??高,單色性好。??[??I??1.?j-?—J??2〇l??Tar〇*i?Chamber?旦■??{?w?—?110H??Qun?/?〇〇<一?二、y?|?I??一?:一??.?^?^?1?m??^X-ray?Source^???—??\????5?10?15?20??\?Horizontal?detector?position?(mm)??圖1.3動態(tài)衍射成像布局(左)及結(jié)果(右)Mm??可見,不同的成像應(yīng)用對脈沖X射線源的輻射光子能量以及能譜需求不同。??1.1.3.成像效果影響因素??脈沖X射線源用于成像時
式中5,代表系統(tǒng)空間分辨力,慶、和艮分別表示脈沖X射線源、探測器??和客體帶來的模糊度,mm;?&?ZX?v分別表示焦斑(mm)、探測器像元尺寸(mm)以??及客體運動速度(mm/ns);?Z表示X射線脈寬,ns;?M為成像放大比,定義如下[12]:??M?=?L-^?(1-3)??乙1??(?Ll?^??一一^?Source?blur??〇??一一? ̄?—?Detector?blur??X-ray?source?〇bject??Detector??圖1.4成像模糊度示意??從式(1-2)和式(1-3)可以得出,若僅考慮脈沖X射線源部分,焦斑越孝X射??線脈寬越窄,則成像效果越好,但兩者與照射量有關(guān),可能導(dǎo)致脈沖X射線源的技術(shù)路??徑完全不同,實際中需要綜合考慮。焦斑可以采用刀刃法、小孔相機、狹縫法等方法測??量,經(jīng)由數(shù)學(xué)方法處理后獲得等效焦斑尺寸,目前各個研宄機構(gòu)對焦斑沒有統(tǒng)一的定義,??如表。表中每列依次代表源分布類型、源半高寬、美國阿拉莫斯實驗室定義焦斑、??英國原子能武器研宄機構(gòu)定義焦斑以及極限分辨率。??表1-1同樣半髙寬下的焦斑比較??.?.?FWHM?dtANL?dAWE?LR??Source?distribution???(mm)?(mm)?(mm)?(lp/mm)???Gaussian?1?1.598?1.25?0.917??3??
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