金屬氘化物陰極真空弧放電特性
發(fā)布時間:2021-01-09 06:27
真空弧放電產(chǎn)生的離子種類多,離子電荷態(tài)高,而且引出離子流強大,所以廣泛應用在鍍膜沉積、離子注入、強流離子加速器等領域。特別地,金屬氘化物陰極真空弧放電可以提供強流氘離子束,常用作密封中子管離子源,用來產(chǎn)生高產(chǎn)額中子,在石油探井、中子活化分析、無損檢測等領域有重要應用。盡管真空弧放電在工業(yè)上應用廣泛,而且研究已有一百多年的歷史了,但直到現(xiàn)在,真空弧放電過程還沒有被完全理解。而且研究人員的關注點基本都在金屬材料,對金屬氘化物這種特殊的電極研究甚少。金屬氘化物相比金屬電極來說,多了氘氣釋放和氘氣電離兩個過程,物理過程會更加復雜。本文針對金屬氘化物陰極真空弧放電現(xiàn)象,采用光學和電學等多種診斷方法,從實驗上測量了陰極斑、氘氣釋放規(guī)律、等離子體參數(shù)和氘離子比例等特性。陰極斑是真空弧放電最典型的特點,本文采用增強電荷耦合相機(ICCD)和電子掃描顯微鏡(SEM)兩種方法對金屬氘化物陰極真空弧放電產(chǎn)生的陰極斑進行了研究。為了拍攝清晰,同時獲得大視場,特地研發(fā)了一套放大鏡頭用來觀察陰極斑。ICCD相機最小分辨時間為2 ns,低于陰極斑壽命,所以可以獲得陰極斑演化過程。ICCD相機拍攝結果表明,在電極表面...
【文章來源】:中國工程物理研究院北京市
【文章頁數(shù)】:98 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1陰極斑放電過程??對大多數(shù)金屬來說,真空弧放電弧壓僅幾十伏,弧流卻可到幾十千安
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實際上,由于陰極斑尺寸很難??準確測量,不同文獻之間的結果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時一般蝕坑直徑較小,而且相互獨立,同時移動速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動速度慢,相互疊加在一起,形成一個直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時陰極燒蝕大。單個陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當弧流大于串個陰極斑最大電流時,陰極斑會分裂成多個陰極斑,同時在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當陰極斑熄滅時,等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動狀態(tài)。特別是當陰極斑位置發(fā)生突變時,重??3??
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實際上,由于陰極斑尺寸很難??準確測量,不同文獻之間的結果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時一般蝕坑直徑較小,而且相互獨立,同時移動速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動速度慢,相互疊加在一起,形成一個直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時陰極燒蝕大。單個陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當弧流大于串個陰極斑最大電流時,陰極斑會分裂成多個陰極斑,同時在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當陰極斑熄滅時,等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動狀態(tài)。特別是當陰極斑位置發(fā)生突變時,重??3??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于標記中子方法檢測墻體爆炸物扣除本底方法[J]. 沈星,朱鵬飛,馬瑞,侯晶晶,楊柏棟,景士偉. 物理實驗. 2018(06)
[2]快中子伴隨α粒子成像技術在包裹爆炸物檢測中的應用[J]. 王強,王月,鄭玉來. 同位素. 2018(01)
[3]MEVVA離子注入鐵鎳銀對DSSCs光電性能的影響[J]. 羅軍,沈曉楠,龐盼,廖斌,吳先映,張旭. 材料導報. 2017(06)
[4]伴隨粒子法檢測隱藏爆炸物安檢儀研發(fā)[J]. 王新華,鄭普,安力,陽劍,郭海萍,何鐵. 強激光與粒子束. 2014(05)
[5]MEVVA離子束技術的發(fā)展及應用[J]. 吳先映,廖斌,張旭,李強,彭建華,張薈星,張孝吉. 北京師范大學學報(自然科學版). 2014(02)
[6]100型MEVVA源注入機注入均勻性研究[J]. 李強,吳先映,張薈星,劉安東,彭建華,王桂岳. 真空. 2007(01)
本文編號:2966141
【文章來源】:中國工程物理研究院北京市
【文章頁數(shù)】:98 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1陰極斑放電過程??對大多數(shù)金屬來說,真空弧放電弧壓僅幾十伏,弧流卻可到幾十千安
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實際上,由于陰極斑尺寸很難??準確測量,不同文獻之間的結果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時一般蝕坑直徑較小,而且相互獨立,同時移動速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動速度慢,相互疊加在一起,形成一個直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時陰極燒蝕大。單個陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當弧流大于串個陰極斑最大電流時,陰極斑會分裂成多個陰極斑,同時在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當陰極斑熄滅時,等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動狀態(tài)。特別是當陰極斑位置發(fā)生突變時,重??3??
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實際上,由于陰極斑尺寸很難??準確測量,不同文獻之間的結果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時一般蝕坑直徑較小,而且相互獨立,同時移動速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動速度慢,相互疊加在一起,形成一個直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時陰極燒蝕大。單個陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當弧流大于串個陰極斑最大電流時,陰極斑會分裂成多個陰極斑,同時在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當陰極斑熄滅時,等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動狀態(tài)。特別是當陰極斑位置發(fā)生突變時,重??3??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于標記中子方法檢測墻體爆炸物扣除本底方法[J]. 沈星,朱鵬飛,馬瑞,侯晶晶,楊柏棟,景士偉. 物理實驗. 2018(06)
[2]快中子伴隨α粒子成像技術在包裹爆炸物檢測中的應用[J]. 王強,王月,鄭玉來. 同位素. 2018(01)
[3]MEVVA離子注入鐵鎳銀對DSSCs光電性能的影響[J]. 羅軍,沈曉楠,龐盼,廖斌,吳先映,張旭. 材料導報. 2017(06)
[4]伴隨粒子法檢測隱藏爆炸物安檢儀研發(fā)[J]. 王新華,鄭普,安力,陽劍,郭海萍,何鐵. 強激光與粒子束. 2014(05)
[5]MEVVA離子束技術的發(fā)展及應用[J]. 吳先映,廖斌,張旭,李強,彭建華,張薈星,張孝吉. 北京師范大學學報(自然科學版). 2014(02)
[6]100型MEVVA源注入機注入均勻性研究[J]. 李強,吳先映,張薈星,劉安東,彭建華,王桂岳. 真空. 2007(01)
本文編號:2966141
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