脈沖激光沉積富鋰正極薄膜試驗研究
發(fā)布時間:2020-10-23 00:14
脈沖激光沉積是一種利用激光制備薄膜的工藝,具有沉積速度快、化學(xué)計量比保持好等優(yōu)點,已經(jīng)成功地應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電薄膜、壓電薄膜以及鋰電薄膜等的制備。但是,脈沖激光沉積設(shè)備的一次性投入較高,傳統(tǒng)自組裝設(shè)備的操作繁瑣,限制了該工藝的應(yīng)用。富鋰正極材料是Li2MnO3和LiMO2(M=Mn,Co,Ni)的連續(xù)固溶體,具有較高的比能量密度(300mAh/g),組成元素的儲量豐富,顯現(xiàn)出較好的應(yīng)用前景,但是目前對富鋰正極薄膜尚未有系統(tǒng)的研究報導(dǎo)。 為了研究脈沖激光沉積富鋰正極薄膜的有關(guān)問題,本文構(gòu)建了新型脈沖激光沉積系統(tǒng),利用集成后的新型脈沖激光沉積系統(tǒng)制備富鋰正極薄膜,對所制備的富鋰正極薄膜的相關(guān)性能進(jìn)行表征,研究工藝參數(shù)對富鋰正極薄膜制備的影響規(guī)律,探索制備富鋰正極薄膜的合適工藝參數(shù),并對其在全固態(tài)電池中的應(yīng)用進(jìn)行了探索性研究。 針對原有及傳統(tǒng)脈沖激光沉積設(shè)備存在的問題,本文通過對軟硬件的改進(jìn),將真空規(guī)管控制器ACM1000、渦輪分子泵控制器ACT600T、加熱控制器SRS10A以及步進(jìn)電機等通過串口通信和I/O口控制與電腦整合,構(gòu)建了新型脈沖激光沉積系統(tǒng),實現(xiàn)了沉積過程的程序化自動運行,簡化了脈沖激光沉積系統(tǒng)的操作,實現(xiàn)了脈沖激光沉積過程的可視化控制,實現(xiàn)了多靶逐層沉積,解決了傳統(tǒng)脈沖激光沉積系統(tǒng)普遍存在的操作繁瑣、勞動強度大、不能進(jìn)行可視化多靶逐層沉積等問題。 利用構(gòu)建的脈沖激光沉積系統(tǒng),本文采用單靶沉積和多靶沉積兩種方式制備了富鋰正極薄膜,并借助FESEM、XRD、XPS以及電化學(xué)充放電測試儀等對富鋰正極薄膜的形貌、成分、充放電特性、鋰離子擴散系數(shù)等特征與性能進(jìn)行了表征,得到了利用脈沖激光沉積方法制備富鋰正極薄膜的合適工藝參數(shù)。試驗結(jié)果表明,單靶沉積得到的富鋰正極薄膜表現(xiàn)出與粉體富鋰正極材料相似的電化學(xué)特征,放電容量可以達(dá)到70μAh/cm2μm (~140mAh/g),大于目前有報導(dǎo)的常規(guī)鋰離子電池正極薄膜的容量。試驗結(jié)果同時表明,氧壓低于200mTorr時,趨向于形成尖晶石結(jié)構(gòu)相,氧壓高于450mTorr時,薄膜中鋰含量不足,得不到富鋰正極薄膜;退火溫度低于700℃時,薄膜的結(jié)晶性差,沒有明顯的放電平臺,退火溫度高于900℃時,薄膜表現(xiàn)為尖晶石結(jié)構(gòu)相,同時由于退火過程中大量鋰離子的散失,薄膜的電化學(xué)性能較差。試驗中得到的富鋰正極材料的鋰離子擴散系數(shù)為1×10-15~1×10-13cm2/s。 基于富鋰正極薄膜,本文制備了Li-rich/LLZO/Li、Li-rich/LAGP/TiO2、Li-rich/LICGC/Li三種全固態(tài)電池,在對LLZO和LAGP電解質(zhì)薄膜、TiO2負(fù)極薄膜以及全固態(tài)電池相關(guān)問題分析的基礎(chǔ)上,對基于富鋰正極薄膜的全固態(tài)電池進(jìn)行了探索性研究。Li-rich/LLZO/Li由于LLZO電解質(zhì)薄膜的低離子電導(dǎo)率以及金屬鋰負(fù)極與LLZO薄膜的界面問題,未能表現(xiàn)出富鋰正極材料的電化學(xué)特征。Li-rich/LAGP/TiO2表現(xiàn)出了富鋰正極材料的充放電特征以及3nA/cm2電流密度下5小時的放電過程。Li-rich/LICGC/Li表現(xiàn)出了由富鋰正極薄膜各組成元素化合價變化引起的充放電峰位,并在50nA/cm2電流密度下表現(xiàn)出了40分鐘的放電過程。
【學(xué)位單位】:湖南大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TM912;TN249
【部分圖文】:
博士學(xué)位論文 第 1 章 緒 論沉積技術(shù)簡介沉積的原理與特點積(Pulsed Laser Deposition, PLD)是一種利用高膜的物理氣相沉積工藝。如圖 1.1 所示,脈沖激腔和控制系統(tǒng)三個部分組成,激光器提供高頻脈特殊環(huán)境,控制系統(tǒng)用于控制調(diào)整各個工藝參數(shù)制備:高頻脈沖激光沖擊處于真空腔中的靶體材等離子體,等離子體定向局域膨脹發(fā)射,在基底
控制系統(tǒng)用于控制調(diào)整各個工藝參數(shù)制備:高頻脈沖激光沖擊處于真空腔中的靶體材等離子體,等離子體定向局域膨脹發(fā)射,在基底圖 1.1 脈沖激光沉積系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與原理[1]積的整個過程可以分為三個階段,如圖 1.2 所示
該部分趨向于非化學(xué)計量比,在有特殊氣體時會被壓縮;二是圖1.3 中的內(nèi)部白亮部分,該部分的元素化學(xué)計量比保持得好,速度可以達(dá)到 1×104m/s,可以激活跟氧氣的反應(yīng),打斷氧分子,在有特殊氣體時,不會被壓縮。因而在調(diào)整靶體與基底之間的距離時,要使基底盡量靠近白亮區(qū)域,如圖 1.2 所示,靶體與基底之間的距離一般在 3~10 cm。圖 1.3 脈沖激光沉積過程中產(chǎn)生的等離子體3. 等離子體在基底表面沉積,形核生長形成薄膜等離子體在基底上的沉積可以分為 6 個階段:1)等離子體吸附在基底表面;2)吸附物向基底擴散;3)吸附物之間以及吸附物與基底之間相互反應(yīng);4)吸附物聚集形核;5)形成一定的結(jié)構(gòu)和形貌;6)薄膜內(nèi)部以及薄膜與基底之間相互擴散。6 個階段描述了薄膜在基底表面生長的過程。根據(jù)這 6 個階段,在脈沖激光沉積時需要注意以下幾個方面:1)為了保證薄膜與基底之間較好的結(jié)合性,基
【參考文獻(xiàn)】
本文編號:2852277
【學(xué)位單位】:湖南大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TM912;TN249
【部分圖文】:
博士學(xué)位論文 第 1 章 緒 論沉積技術(shù)簡介沉積的原理與特點積(Pulsed Laser Deposition, PLD)是一種利用高膜的物理氣相沉積工藝。如圖 1.1 所示,脈沖激腔和控制系統(tǒng)三個部分組成,激光器提供高頻脈特殊環(huán)境,控制系統(tǒng)用于控制調(diào)整各個工藝參數(shù)制備:高頻脈沖激光沖擊處于真空腔中的靶體材等離子體,等離子體定向局域膨脹發(fā)射,在基底
控制系統(tǒng)用于控制調(diào)整各個工藝參數(shù)制備:高頻脈沖激光沖擊處于真空腔中的靶體材等離子體,等離子體定向局域膨脹發(fā)射,在基底圖 1.1 脈沖激光沉積系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與原理[1]積的整個過程可以分為三個階段,如圖 1.2 所示
該部分趨向于非化學(xué)計量比,在有特殊氣體時會被壓縮;二是圖1.3 中的內(nèi)部白亮部分,該部分的元素化學(xué)計量比保持得好,速度可以達(dá)到 1×104m/s,可以激活跟氧氣的反應(yīng),打斷氧分子,在有特殊氣體時,不會被壓縮。因而在調(diào)整靶體與基底之間的距離時,要使基底盡量靠近白亮區(qū)域,如圖 1.2 所示,靶體與基底之間的距離一般在 3~10 cm。圖 1.3 脈沖激光沉積過程中產(chǎn)生的等離子體3. 等離子體在基底表面沉積,形核生長形成薄膜等離子體在基底上的沉積可以分為 6 個階段:1)等離子體吸附在基底表面;2)吸附物向基底擴散;3)吸附物之間以及吸附物與基底之間相互反應(yīng);4)吸附物聚集形核;5)形成一定的結(jié)構(gòu)和形貌;6)薄膜內(nèi)部以及薄膜與基底之間相互擴散。6 個階段描述了薄膜在基底表面生長的過程。根據(jù)這 6 個階段,在脈沖激光沉積時需要注意以下幾個方面:1)為了保證薄膜與基底之間較好的結(jié)合性,基
【參考文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前1條
1 張玉璽;張曉麗;鄭洪河;;鋰離子電池負(fù)極材料TiO_2的研究進(jìn)展[J];電池;2009年02期
本文編號:2852277
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/jckxbs/2852277.html
最近更新
教材專著