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過渡金屬二硫化物異質(zhì)結(jié)中超快電荷轉(zhuǎn)移的非絕熱動力學研究

發(fā)布時間:2020-10-14 18:42
   利用第一性計算原理研究凝聚態(tài)體系基態(tài)電子結(jié)構(gòu)的方法已經(jīng)越來越成熟,然而激發(fā)態(tài)電子性質(zhì)的研究尚存在諸多問題。首先,密度泛函理論中的交換關(guān)聯(lián)勢部分的近似對激發(fā)態(tài)的描述不夠好,導致無法得到準確的空軌道準粒子能級以及激發(fā)能,激發(fā)態(tài)的原子勢能面難以計算:而時間分辨的激發(fā)態(tài)衰減的動力學過程就更加難以簡單地用密度泛函程序來計算。我們知道用于太陽能轉(zhuǎn)化的半導體材料中的電子空穴對的激發(fā)與衰減涉及到非常復雜的物理過程。電子空穴對的激發(fā)能量由準粒子能級以及激子的束縛能決定.激發(fā)強度則由初態(tài)與末態(tài)的躍遷偶極距決定;而激發(fā)態(tài)電子空穴對的衰減動力學更加復雜,電子會在一定壽命內(nèi)衰減到基態(tài),其壽命由激發(fā)態(tài)與基態(tài)之間的耦合決定,同時在這個過程中激發(fā)態(tài)載流子與體系內(nèi)的其他準粒子,例如聲子、極化子、等離激元等,以及體系的缺陷、雜質(zhì)、表面重構(gòu)與吸附等產(chǎn)生復雜的耦合。激發(fā)態(tài)的動力學涉及激發(fā)態(tài)的勢能面和激發(fā)態(tài)之間的耦合,經(jīng)典自由度的演化引起體系的電子自由度在各個激發(fā)態(tài)之間躍遷,同時電子態(tài)的躍遷反過來會影響經(jīng)典自由度的演化,在這種情況下傳統(tǒng)的波恩-奧本海默近似(絕熱近似)不再適用。在第一章中,我們從波恩-奧本海默分子動力學出發(fā),說明絕熱近似不再適用的情況,引入非絕熱分子動力學。我們主要介紹其中兩種方法,Ehrenfest動力學和面跳躍方法(Surface Hopping)。這兩種方法中,量子躍遷都是由含時薛定諤方程引起的。兩者的唯一區(qū)別在于經(jīng)典自由度的運動方程不同,前者是由·個平均勢能面驅(qū)動,而面跳躍方法中,原子核在任意時刻都只運動在與某個電子態(tài)對應的勢能面上。最后我們介紹了Prezhdo教授發(fā)展的含時密度泛函和最小面跳躍相結(jié)合的方法,該方法對面跳躍方法做了一系列的近似,減小了計算量,能夠用于比較大的體系的研究。在第二章中,我們簡單介紹了二維層狀材料以及其組成的范德華異質(zhì)結(jié)。過渡金屬二硫化物由于其優(yōu)異的光學性能而備受關(guān)注,在其形成的異質(zhì)結(jié)材料中更是觀察到了超快的電荷分離現(xiàn)象,而有效的電荷分離是光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵。從理論上更深入的了解其超快電荷轉(zhuǎn)移過程有助于我們對新型器件的設(shè)計。在第三章中,我們將Prezhdo發(fā)展的非絕熱分子動力學引用于研究過渡金屬二硫化物(TMD)異質(zhì)結(jié)中的超快電荷轉(zhuǎn)移過程,我們主要集中在MoS2/WS2異質(zhì)結(jié)的光激發(fā)空穴的超快轉(zhuǎn)移過程。我們發(fā)現(xiàn),對于這個體系,聲子在超快空穴轉(zhuǎn)移中起了很重要的作用。我們的研究對于新型二維器件的設(shè)計有著重要的啟示。在第四章中,我們利用非絕熱分子動力學對兩個相似的異質(zhì)結(jié)MoS2/WS2和MoSe2/WSe2中的電荷轉(zhuǎn)移過程進行研究和對比,試圖更深刻地理解TMD異質(zhì)結(jié)中電荷轉(zhuǎn)移的機制。在最后一章中,我們對所做的工作進行了總結(jié)和展望。
【學位單位】:中國科學技術(shù)大學
【學位級別】:博士
【學位年份】:2016
【中圖分類】:O469
【部分圖文】:

示意圖,特征量變化,勢能面,特征值


的絕熱勢能面示意圖,顏色用于區(qū)分絕熱態(tài)的特征值,絕熱態(tài)的特征量變化比較劇烈。??〈轉(zhuǎn)R)悼e,(r;R)鵬〉是電子哈密頓量在透熱是原子核在第J?個透熱電子態(tài)上的波函數(shù),它

導電性質(zhì),硫族元素,單層,六角結(jié)構(gòu)


屬M和周圍硫族元素的配位情況,分為六角結(jié)構(gòu)和八面體結(jié)構(gòu),如圖2.2中結(jié)構(gòu)??圖所示。六角結(jié)構(gòu)的MX2?(2H-MX2)具有化h點群,而八面體結(jié)構(gòu)(1T-MX2)??具有Gjw對稱性。LTMD層內(nèi)是由強的化學鍵連接,由于硫族元素的鍵都已經(jīng)??飽和,外表面沒有多余懸掛鍵,因此LTMD層間是由較弱的范德華力相互賴合。??Monolaver?transition?metal?dicbalcogenides?(MAj)?J??

異質(zhì)結(jié),高模,材料


囊寒’??圖2.3各種范德華材料就像樂高模塊一樣,可k義組成不同的異質(zhì)結(jié)。圖片引自文獻W??直接放到另外一層上就能形成一個異質(zhì)結(jié),因此范德華異質(zhì)結(jié)相互組合的??方式很多,如圖2.3所示。另外,由于二維材料本身只有幾個原子層的厚度,??范德華異質(zhì)結(jié)的厚度也非常小,達到了原子級的厚度,由于沒有成分過渡,??所形成的異質(zhì)結(jié)具有原子級陡峭的載流子(勢場)梯度。此外,由于超薄??的厚度k義及特殊的二維結(jié)構(gòu),使其具有強的柵極響應能力,k義及與傳統(tǒng)微??電子加工工藝和柔性基底相兼容的特性。???同樣是由于層間弱的范德華相互作用,組成異質(zhì)結(jié)的二維材料很大程度上??保留了各自獨立的電子結(jié)構(gòu)。比如對于TMD形成的異質(zhì)結(jié),每個單層仍??然是直接帶隙半導體。??.很多的TMD異質(zhì)結(jié)都是第二類能帶對齊方式(價帶頂和導帶底分別處在??不同的材料中),如圖2.4所示,這樣的能帶結(jié)構(gòu)有利于光生載流子的空間??分離,増加光生載流子的壽命。??2.3.1過渡金屬二硫化物異質(zhì)結(jié)中超快電荷轉(zhuǎn)移過程??關(guān)于TMD異質(zhì)結(jié)中電荷轉(zhuǎn)移的王作首先是在M0S2/WS2異質(zhì)結(jié)中得到口]。??在M0S2/WS2中
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