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2納米管表面改性及其復(fù)合膜對(duì)金屬光生陰極保護(hù)性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2016-12-07 09:21

  本文關(guān)鍵詞:TiO_2納米管表面改性及其復(fù)合膜對(duì)金屬光生陰極保護(hù)性能的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


《中國(guó)科學(xué)院研究生院(海洋研究所)》 2015年

TiO_2納米管表面改性及其復(fù)合膜對(duì)金屬光生陰極保護(hù)性能的研究

李紅  

【摘要】:近年來(lái),Ti O2薄膜因其良好的環(huán)境友好性、化學(xué)穩(wěn)定性、不消耗電能以及允許膜中存在少量缺陷等優(yōu)點(diǎn),其對(duì)金屬的陰極保護(hù)應(yīng)用引起了研究者廣泛的關(guān)注。然而Ti O2只能吸收紫外光(僅占太陽(yáng)光譜的3%),降低了對(duì)太陽(yáng)光的利用效率,而且光生載流子容易復(fù)合,致使光量子的效率不高,無(wú)光狀態(tài)下不能起到有效的光生陰極保護(hù)作用。為了解決上述問(wèn)題,本研究將對(duì)Ti O2納米膜進(jìn)行表面改性,采用半導(dǎo)體復(fù)合、沉積貴金屬等方法制備Ag/Sn O2/Ti O2、Cd Se/Ti O2、Cd Se/石墨烯/Ti O2、Cd Te/石墨烯/Ti O2納米復(fù)合薄膜,以提高其光生陰極保護(hù)性能。本研究致力于研制不同的Ti O2納米復(fù)合膜及表面改性技術(shù),發(fā)展操作簡(jiǎn)單的溶膠-凝膠法、光還原沉積法和循環(huán)伏安法等方法在Ti O2薄膜表面沉積窄禁帶的半導(dǎo)體和貴金屬,研究復(fù)合膜對(duì)金屬防腐方面的應(yīng)用,探索Ti O2復(fù)合薄膜的表面結(jié)構(gòu)與光電性質(zhì)的相關(guān)性。通過(guò)表面改性技術(shù)以實(shí)現(xiàn)光生載流子壽命的延長(zhǎng),并改善暗態(tài)下的光生陰極保護(hù)作用,探索相應(yīng)的反應(yīng)機(jī)理。本文首先采用兩次電化學(xué)陽(yáng)極氧化法,在鈦基底表面最先構(gòu)筑具有特殊納米結(jié)構(gòu)的Ti O2納米管陣列,然后再制備表面改性的Ti O2納米管陣列。采用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、紫外-可見(jiàn)漫反射(UV-vis)、X射線光電子能譜(XPS)等手段分別表征所制備的納米復(fù)合薄膜的晶型、形貌、光響應(yīng)和組成等。并以3.5%Na Cl溶液為電解質(zhì)溶液,測(cè)試Ti O2納米管陣列膜及改性Ti O2納米管陣列薄膜對(duì)304不銹鋼或碳鋼的光生陰極保護(hù)作用。主要的研究進(jìn)展及成果如下:1.研究了純Ti O2納米管電解液溫度、電壓對(duì)Ti O2納米管陣列對(duì)304不銹鋼光生陰極保護(hù)性能的影響,結(jié)果表明電解液溫度為25°C,電壓30 V下制備的Ti O2納米管,光生電子空穴對(duì)的分離效率較高,能夠?qū)?04不銹鋼達(dá)到最佳的保護(hù)效果。2.采用溶膠-凝膠法和光還原沉積法,在Ti O2納米管陣列表面依次沉積Sn O2和Ag,考察了Sn O2膜層厚度和Ag含量對(duì)光生陰極保護(hù)性能的影響,篩選出對(duì)304不銹鋼保護(hù)性能最佳的納米復(fù)合膜。結(jié)果表明,沉積20次Sn O2,Ag NO3濃度為0.1 M時(shí),納米復(fù)合膜對(duì)金屬的保護(hù)性能最佳?梢(jiàn)光照射時(shí),復(fù)合膜的光致電流密度可以達(dá)到0.2 m A/cm2,耦合304不銹鋼電極的光生電位降低至-980 m V,暗光條件下,可以維持保護(hù)作用達(dá)8 h以上。3.采用循環(huán)伏安沉積法在Ti O2納米管陣列膜表面構(gòu)筑石墨烯和Cd Se膜層,可以有效地提高其導(dǎo)電性和可見(jiàn)光利用率。結(jié)果表明:石墨烯和Cd Se均勻地覆蓋在Ti O2膜表面,在納米管口與管壁均有分布,其中Cd Se為立方晶型,平均粒徑為25 nm?梢(jiàn)光照射下,復(fù)合膜的光電流可以達(dá)到750μA cm-2,對(duì)304不銹鋼具有良好的光生陰極保護(hù)作用;切斷光源后,延時(shí)陰極保護(hù)時(shí)間達(dá)12 h以上。4.采用吸光系數(shù)較高的CdTe(禁帶寬度為1.5 eV)和導(dǎo)電性能優(yōu)異的石墨烯材料對(duì)Ti O2納米管進(jìn)行改性,并采用光電化學(xué)和腐蝕電化學(xué)相結(jié)合的技術(shù)對(duì)復(fù)合膜的光生陰極保護(hù)作用進(jìn)行研究。結(jié)果表明,可見(jiàn)光照條件下,該復(fù)合材料的光電流密度可達(dá)到800μA cm-2,耦合304不銹鋼電極的開(kāi)路電位穩(wěn)定在-900 m V,能夠?qū)崿F(xiàn)有效的保護(hù)作用。5.初步探索改性的納米管復(fù)合膜對(duì)耐蝕性差的碳鋼材料的光生陰極保護(hù)作用。采用循環(huán)伏安法在納米管表面構(gòu)筑Cd Se量子點(diǎn),考察電解質(zhì)溶液中Se O2濃度對(duì)Cd Se/Ti O2納米管形貌和光生陰極保護(hù)作用的影響。結(jié)果表明,可見(jiàn)光和暗態(tài)下復(fù)合膜對(duì)Q235碳鋼具有良好的保護(hù)作用,Se O2濃度為15 m M時(shí),光生電流響應(yīng)和光生陰極保護(hù)特性最佳。

【關(guān)鍵詞】:
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)院研究生院(海洋研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:P755.3
【目錄】:

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3 佘希林;聚合物納米管和聚合物包覆金屬同軸納米電纜組裝、結(jié)構(gòu)與性能[D];北京化工大學(xué);2005年

4 武光;尿素輔助合成磷酸鎳納米管及其催化性能研究[D];大連理工大學(xué);2012年

5 何濤;準(zhǔn)一維納米管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電子結(jié)構(gòu)調(diào)控[D];山東大學(xué);2010年

6 方東;基于納米有序陣列材料氧化鈦及氧化鋯的制備和功能化研究[D];中南大學(xué);2011年

7 張珉;硅及第三族氮化物納米管穩(wěn)定性及相關(guān)性質(zhì)的理論研究[D];東北師范大學(xué);2006年

8 宋娟娟;修飾與改性鈦氧納米管的制備及催化性能研究[D];南開(kāi)大學(xué);2013年

9 李娟;氮化硼納米結(jié)構(gòu)的制備和性能[D];廣西大學(xué);2013年

10 劉湘寧;純鈦納米管表面和納米膠束生物學(xué)特性的研究[D];南方醫(yī)科大學(xué);2012年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 郭麗敏;氧化鋯納米管的制備及性能研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2009年

2 朱宏;TiO_2納米管、棒的水熱制備及其光電性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2011年

3 李建江;聚合物納米管及聚合物包覆金屬同軸納米電纜組裝、結(jié)構(gòu)與性能[D];青島大學(xué);2005年

4 盧長(zhǎng)云;負(fù)載磷鎢酸的氧化鋯納米管性能研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2011年

5 喬正陽(yáng);V_2O_5/TiO_2納米管復(fù)合材料的制備及其電化學(xué)相關(guān)性質(zhì)的研究[D];重慶大學(xué);2012年

6 王唯;基于相分離效應(yīng)的二氧化硅納米管制備方法[D];蘭州大學(xué);2011年

7 俞少峰;氧化鈦,氧化硅納米管及球形粒子的制備研究[D];浙江大學(xué);2005年

8 雷燕竹;貴金屬納米晶在直立TiO_2納米管中的控制生長(zhǎng)與電化學(xué)性質(zhì)研究[D];同濟(jì)大學(xué);2008年

9 馬瑩;TiO_2納米管的制備、改性及應(yīng)用[D];鄭州大學(xué);2009年

10 劉和剛;鈦合金表面氧化物納米管的陽(yáng)極氧化制備與性能研究[D];上海交通大學(xué);2012年


  本文關(guān)鍵詞:TiO_2納米管表面改性及其復(fù)合膜對(duì)金屬光生陰極保護(hù)性能的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號(hào):207057

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