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新型二維材料電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究

發(fā)布時(shí)間:2017-07-31 02:00

  本文關(guān)鍵詞:新型二維材料電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究


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【摘要】:納米電子器件已經(jīng)成為當(dāng)今社會(huì)不可缺少的一部分。納米電子器件的發(fā)展直接影響著人們生活水平的高低。為此,人們希望設(shè)計(jì)出更加小型化、便捷化、集成化、功能化的納米電子器件。眾所周知,納米電子器件由納米材料制作而成。因此,納米材料特性的好壞將直接決定納米電子器件性能的好壞。本文通過(guò)第一性原理計(jì)算對(duì)一些新型的二維納米材料的特性進(jìn)行調(diào)控研究,希望找到調(diào)節(jié)二維納米材料的內(nèi)在機(jī)制,得出普適性的規(guī)律。我們相信,這些研究將有效的改善二維納米材料的特性,為最終提高二維納米電子器件的性能起到一定的作用。主要的結(jié)論如下:1.系統(tǒng)的研究了硅(Si)替位在石墨烯(graphene)中的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),Si替位將破壞graphene的對(duì)稱性并形成含有一定離子成分的C-Si鍵,從而最終影響graphene的帶隙。Graphene的帶隙將隨著Si濃度的增加而增加,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)于graphene帶隙的調(diào)控目的。利用graphene帶隙的有效變化,我們從理論上設(shè)計(jì)了一種量子阱裝置。如果Si在graphene中的替位區(qū)域足夠大,這個(gè)量子阱裝置將變得十分的穩(wěn)定。穩(wěn)定的量子阱裝置將在光散射方面發(fā)揮一定的應(yīng)用。2.系統(tǒng)的研究了金屬原子替位在氮化硼(BN)中的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),替位的幾何結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性與替位原子的種類和替位類型有著密切的關(guān)系。金屬原子替位可以使BN表現(xiàn)出許多不同的物理現(xiàn)象。金屬原子替位不但可以使BN產(chǎn)生磁性,而且還可以改變BN的帶隙。因此,我們可以通過(guò)替位不同的金屬原子對(duì)于BN的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控,使BN在磁性和其它新的領(lǐng)域得到應(yīng)用。3.系統(tǒng)的研究了各種空位缺陷在硫化鉬(Mo S2)中的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),鋸齒形空位簇可以有效的引入和調(diào)控MoS2的磁性態(tài)。其中,三角形鋸齒空位簇使Mo S2表現(xiàn)出鐵磁性的特征,矩形和環(huán)形鋸齒空位簇使Mo S2表現(xiàn)出反鐵磁性的特征。值得注意的是,我們可以通過(guò)調(diào)節(jié)空位簇的構(gòu)型、空位簇的間距以及空位簇的尺寸有效的調(diào)控MoS2磁矩的大小、磁性態(tài)以及磁性態(tài)的穩(wěn)定能力。這些研究將使Mo S2在磁性相關(guān)的領(lǐng)域得到一定的應(yīng)用。4.系統(tǒng)的研究了各種空位缺陷在類石墨烯鍺烷(germanane)中的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究得到了兩個(gè)主要結(jié)論。第一,氫(H)空位簇可以有效的引入和調(diào)控germanane的磁性態(tài)。Germanane的磁矩將隨著H空位簇尺寸的增大而增大。磁性態(tài)的有效控制為germanane在磁性領(lǐng)域方面的應(yīng)用起到了一定的作用。第二,H空位簇還可以有效的控制germanane的電荷分布。電荷分布的有效控制為germanane在光電子器件方面的應(yīng)用起到了一定的作用。5.系統(tǒng)的研究了graphene在氧化鋅(ZnO)基底上的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),grapnene和ZnO之間存在著弱的相互作用,這種弱的相互作用也將破壞graphene的對(duì)稱性,從而使graphene產(chǎn)生微弱的帶隙。當(dāng)graphene和ZnO之間的距離變小時(shí),不但graphene的帶隙開始增大,而且graphene的電子有效質(zhì)量也開始增大。因此,基于這兩個(gè)變化,我們認(rèn)為,graphene的電子有效質(zhì)量和帶隙之間存在著一種補(bǔ)償關(guān)系。令人慶幸的是,通過(guò)擬合,計(jì)算得到的graphene在ZnO表面的電子遷移速率依然非常的高。所以,較高的電子遷移速率和一定的帶隙使graphene成為了理想的晶體管材料。6.系統(tǒng)的研究了BN在Co(111)基底上的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),BN和Co(111)基底存在著一定的相互作用,這種相互作用將使BN產(chǎn)生一定的磁性。進(jìn)一步研究表明,BN的磁性主要來(lái)于費(fèi)米線處的σ態(tài),并且BN在費(fèi)米線處的自旋極化率達(dá)到了90%。因此,在費(fèi)米線處,這樣高的自旋極化將確保單自旋電子被有效的通過(guò),從而使BN在自旋輸運(yùn)上得到應(yīng)用。
【關(guān)鍵詞】:第一性原理 二維納米材料 帶隙 磁性 電荷
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TB383.1
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • ABSTRACT7-14
  • 第一章 緒論14-27
  • 1.1 新型二維納米材料的研究進(jìn)展15-20
  • 1.1.1 Graphene的研究進(jìn)展15-16
  • 1.1.2 BN的研究進(jìn)展16-18
  • 1.1.3 Mo S2的研究進(jìn)展18-19
  • 1.1.4 Germanane的研究進(jìn)展19-20
  • 1.2 電子結(jié)構(gòu)調(diào)控的方法和意義20-24
  • 1.2.1 摻雜調(diào)控和意義21-22
  • 1.2.2 空位調(diào)控和意義22
  • 1.2.3 基底調(diào)控和意義22-23
  • 1.2.4 其它形式的調(diào)控和意義23-24
  • 1.3 選題的目的和意義24-25
  • 1.4 本論文的結(jié)構(gòu)安排25-27
  • 第二章 理論計(jì)算方法27-36
  • 2.1 計(jì)算方法27-28
  • 2.2 計(jì)算理論28-33
  • 2.2.1 基本近似方法29-30
  • 2.2.2 HOHENBERG-KOHN定理和KOHN-SHAM方程30-31
  • 2.2.3 交換相關(guān)勢(shì)31-32
  • 2.2.4 贗勢(shì)近似32-33
  • 2.3 計(jì)算軟件包33-34
  • 2.4 計(jì)算步驟34-36
  • 第三章 Si替位對(duì)于graphene電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究36-45
  • 3.1 引言36
  • 3.2 計(jì)算方法36-37
  • 3.3 參數(shù)測(cè)試37-39
  • 3.4 結(jié)果和討論39-44
  • 3.4.1 替位結(jié)構(gòu)的內(nèi)聚能39
  • 3.4.2 替位結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程39-40
  • 3.4.3 替位結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)40-41
  • 3.4.4 替位結(jié)構(gòu)的電子結(jié)構(gòu)41-42
  • 3.4.5 替位結(jié)構(gòu)的應(yīng)用42-44
  • 3.5 本章小結(jié)44-45
  • 第四章 磁性金屬原子替位對(duì)于BN電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究45-54
  • 4.1 引言45-46
  • 4.2 計(jì)算方法46
  • 4.3 參數(shù)測(cè)試46-48
  • 4.4 結(jié)果和討論48-53
  • 4.4.1 替位結(jié)構(gòu)的能聚能48-49
  • 4.4.2 替位結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)49-50
  • 4.4.3 替位結(jié)構(gòu)的電子結(jié)構(gòu)50-53
  • 4.5 本章小結(jié)53-54
  • 第五章 空位對(duì)于MoS2電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究54-68
  • 5.1 引言54-55
  • 5.2 計(jì)算方法55
  • 5.3 參數(shù)測(cè)試55-57
  • 5.4 結(jié)果和討論57-67
  • 5.4.1 MoS_257-58
  • 5.4.2 原子空位58-60
  • 5.4.2.1 原子空位的形成能58-59
  • 5.4.2.2 原子空位的幾何結(jié)構(gòu)59
  • 5.4.2.3 原子空位的電子結(jié)構(gòu)59-60
  • 5.4.3 空位簇60-64
  • 5.4.3.1 空位簇的形成能60-61
  • 5.4.3.2 空位簇的幾何結(jié)構(gòu)61-62
  • 5.4.3.3 空位簇的電子結(jié)構(gòu)62-64
  • 5.4.4 空位簇的耦合64-67
  • 5.5 本章小結(jié)67-68
  • 第六章 空位對(duì)于germanane電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究68-81
  • 6.1 引言68
  • 6.2 計(jì)算方法68-69
  • 6.3 參數(shù)測(cè)試69-71
  • 6.4 結(jié)果和討論71-80
  • 6.4.1 Germanane71
  • 6.4.2 氫空位71-73
  • 6.4.2.1 氫空位的形成能71-72
  • 6.4.2.2 氫空位的幾何結(jié)構(gòu)72
  • 6.4.2.3 氫空位的電子結(jié)構(gòu)72-73
  • 6.4.3 空位簇73-80
  • 6.4.3.1 空位簇的形成能73-74
  • 6.4.3.2 空位簇的幾何結(jié)構(gòu)74-76
  • 6.4.3.3 空位簇的電子結(jié)構(gòu)76-80
  • 6.5 本章小結(jié)80-81
  • 第七章 ZnO基底對(duì)于graphene電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究81-90
  • 7.1 引言81-82
  • 7.2 計(jì)算方法82
  • 7.3 參數(shù)測(cè)試82-84
  • 7.4 結(jié)果和討論84-89
  • 7.4.1 Graphene在ZnO表面的幾何結(jié)構(gòu)84
  • 7.4.2 Graphene在ZnO表面的電子結(jié)構(gòu)84-86
  • 7.4.3 間距對(duì)graphene帶隙的影響86-88
  • 7.4.4 間距對(duì)graphene有效質(zhì)量的影響88-89
  • 7.5 本章小結(jié)89-90
  • 第八章 Co(111)基底對(duì)于BN電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究90-100
  • 8.1 引言90
  • 8.2 計(jì)算方法90-91
  • 8.3 參數(shù)測(cè)試91-93
  • 8.4 結(jié)果和討論93-98
  • 8.4.1 BN在Co(111)表面的吸附能93-94
  • 8.4.2 BN在Co(111)表面的幾何結(jié)構(gòu)94-95
  • 8.4.3 BN在Co(111)表面的應(yīng)力曲線和吸附能曲線95-96
  • 8.4.4 BN在Co(111)表面的電子結(jié)構(gòu)96-98
  • 8.5 本章小結(jié)98-100
  • 第九章 全文總結(jié)與創(chuàng)新性以及展望100-103
  • 9.1 全文總結(jié)與創(chuàng)新性100-102
  • 9.2 后續(xù)工作展望102-103
  • 致謝103-104
  • 參考文獻(xiàn)104-115
  • 攻讀博士學(xué)位期間取得的成果115-117

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5 本報(bào)記者 劉紀(jì)生;納米材料技術(shù)與鋼鐵工業(yè)結(jié)緣[N];中國(guó)冶金報(bào);2004年

6 徐風(fēng);我國(guó)發(fā)布七項(xiàng)納米材料國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)[N];中國(guó)質(zhì)量報(bào);2005年

7 本報(bào)記者 孫明河;從房地產(chǎn)業(yè)到納米材料[N];科技日?qǐng)?bào);2000年

8 通訊員 蔣宏 記者 何連弟;大面積納米材料實(shí)現(xiàn)可操控排布[N];文匯報(bào);2002年

9 沈?qū)W友;納米材料安全嗎[N];中國(guó)國(guó)門時(shí)報(bào);2006年

10 岳陽(yáng);建立納米材料安全評(píng)估體系迫在眉睫[N];中國(guó)醫(yī)藥報(bào);2006年

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