本文選用CeCl3·7H2O/30 wt.% H2O2成膜體系,在鎂合金表面制備了鈰轉(zhuǎn)化膜,在此基礎(chǔ)上添加硅烷偶聯(lián)劑對(duì)其進(jìn)行改進(jìn),得到了致密平整,潤(rùn)濕性能、附著性能和耐蝕性能優(yōu)良的鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜。確定了鈰轉(zhuǎn)化膜和鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的優(yōu)化工藝。利用SEM、EDS、XPS、AFM等分析測(cè)試手段及電化學(xué)分析方法系統(tǒng)地研究了鈰轉(zhuǎn)化膜和鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的生長(zhǎng)模式、微觀(guān)形貌、組織成分以及抗腐蝕性能。深入探討了鈰轉(zhuǎn)化膜的成膜機(jī)理以及硅烷對(duì)轉(zhuǎn)化膜表面性能和電化學(xué)性能的改善機(jī)制。通過(guò)常溫腐蝕浸泡實(shí)驗(yàn),結(jié)合電化學(xué)測(cè)試技術(shù),深入研究了硅烷添加前后轉(zhuǎn)化膜在0.05 M NaCl溶液中的腐蝕行為及腐蝕機(jī)理。采用浸泡法在A(yíng)Z31鎂合金表面制備鈰轉(zhuǎn)化膜。通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化,確定鈰轉(zhuǎn)化膜的優(yōu)化工藝為CeCl3-7H2O濃度0.1 mol·L-1,30wt.% H2O2濃度5ml-·L-1,處理時(shí)間5 min,處理溫度為室溫。鈰轉(zhuǎn)化膜的生長(zhǎng)經(jīng)歷了形核孕育、迅速成膜、穩(wěn)態(tài)生長(zhǎng)三個(gè)階段。膜層微觀(guān)形貌呈現(xiàn)“球形”顆粒-“蜂窩狀”結(jié)構(gòu)-“菜花狀”結(jié)構(gòu)的變化過(guò)程。膜層主要由Mg、Ce、O等元素組成,膜層成分隨成膜時(shí)間... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)海洋大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：139 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖２－２處理時(shí)間與姉轉(zhuǎn)化膜質(zhì)量關(guān)系圖??Ｆｉｇ．?２－２?Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ?ｂｅｔｗｅｅ打?ｔｈｅ?ｔｒｅａｔｍｅｉｉｔ?ｔｉｍｅ?ａｎｄ?ｌ；ｈｅ?ｍａｓｓ??

??圖２－４不同處理時(shí)間師轉(zhuǎn)化膜犯Ｍ圖（ａ）?１?ｍｉｎ；?（ｂ）?５?ｍｉｎ；似１０?ｍｉｎ??Ｆｉｇ．?２－４?Ｓ巨Ｍ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｃｅｒｉｕｍ?ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ?ｃｏａｔｉｎｇｓ?ｆｏｒ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ｔｒｅａｔｍｅｎｔ?ｔｉｍｅ??（ａ）?１?ｍｉｎ；?（ｂ）?５?ｍｉｎ；?（ｃ）?１０?ｍｉｎ??ＥＤＳ分析結(jié)果表明，師轉(zhuǎn)化膜主要由Ｃｅ、Ｍｇ、Ｏ元素組成。Ｍｇ元素來(lái)源于??ＡＺ３１鎊合金基體，Ｃｅ元素和０元素分別來(lái)自于沉積在鑲合金表面的柿轉(zhuǎn)化膜層。??７０，?１??６０?－?。?Ａ?Ａ?，??Ａ?？?Ａ?邊??５０?□?Ｃｅ??？〇?ＡＯ??〇?３０?乂??＜?＼?。??２０?－?〇?—??Ｏ?＾??１０＾＾?口?．’口?ＩＩＩＩ．??０?５?１０?１５?２０?２５?３０??Ｄｅｐｏｓｉ村ｏｎ?ｔｉｍｅ?／?ｍｉｎ??圖２－５不同處理時(shí)間姉轉(zhuǎn)化膜主要元素ＥＤＳ分析??Ｆｉｇ．?２－５?Ｔｈｅ?ａｔｏｍｉｃ?ｐｅｒｃｅｎｔ?ｏｆ?ＥＤＳ?ａｎａｌｙｓｉｓ?ｆｏｒ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ｔｒｅａｔｍｅｎｔ?ｔｉｍｅ??為了直觀(guān)的比較Ｓ種元素的變化趨勢(shì)Ｌ：Ａ及膜層的生長(zhǎng)模式，繪制了圖２－５。??由圖可見(jiàn)，處理時(shí)間在５?ｍｉｎ?內(nèi)，Ｃｅ和０元素的相對(duì)原子百分含量隨著成膜時(shí)??間的增長(zhǎng)而明顯增加，Ｍｇ元素的相對(duì)含量呈減少趨勢(shì)；處理時(shí)間５?ｍｉｎ?Ｗ后，Ｈ??種元素的相對(duì)含量均呈現(xiàn)穩(wěn)定趨勢(shì)。這說(shuō)明５?ｍｉｎ?Ｗ前是膜層的快速生長(zhǎng)時(shí)期

２．?４．?４鐘轉(zhuǎn)化膜生長(zhǎng)過(guò)程組織成分變化??ＸＰＳ分析用來(lái)考察膜層成分和元素的存在形式。對(duì)樣品進(jìn)行寬能量范圍掃描，??獲取ＸＰＳ全譜圖，如圖２－６所示。圖中橫坐標(biāo)代表結(jié)合能（ｅＶ），級(jí)坐標(biāo)為相對(duì)強(qiáng)??度（ＣＰＳ）。首先對(duì)全譜進(jìn)行定性分析，結(jié)合對(duì)照表首先鑒別出ＣＩＳ和Ｏｌｓ峰，接??著依次找出主峰Ｍｇｌｓ、Ｍｇ２ｐ和Ｃｅ３ｄ峰的位置。碳元素的存在推斷是由于在處??理樣品的過(guò)程中部分污染物附著在了樣品表面。Ｃｅ３ｄ峰的存在表明姉參加了成膜??過(guò)程的反應(yīng)，此外膜層表面還含有０和Ｍｇ等元素，這與ＥＤＳ分析一致。??Ｍ?注?ｉｓ｜??Ｏｋ?Ｃｅ３ｄ?Ｔ??ＣＩＳ??Ｉ?Ｍｇ２ｐ??Ｉ?一??１０?ｎｍｉ????Ｉ?■?Ｉ?■?Ｉ?■?Ｉ?■?Ｉ?．?Ｉ?．?Ｉ??０?２００?４００?６００?８００?１０００?１２００?１４００??Ｂｉｎｄｉｎ

【參考文獻(xiàn)】：
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