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鎂合金鈰轉(zhuǎn)化膜與鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的成膜機(jī)理及腐蝕行為

發(fā)布時(shí)間:2021-11-18 11:39
  本文選用CeCl3·7H2O/30 wt.% H2O2成膜體系,在鎂合金表面制備了鈰轉(zhuǎn)化膜,在此基礎(chǔ)上添加硅烷偶聯(lián)劑對其進(jìn)行改進(jìn),得到了致密平整,潤濕性能、附著性能和耐蝕性能優(yōu)良的鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜。確定了鈰轉(zhuǎn)化膜和鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的優(yōu)化工藝。利用SEM、EDS、XPS、AFM等分析測試手段及電化學(xué)分析方法系統(tǒng)地研究了鈰轉(zhuǎn)化膜和鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的生長模式、微觀形貌、組織成分以及抗腐蝕性能。深入探討了鈰轉(zhuǎn)化膜的成膜機(jī)理以及硅烷對轉(zhuǎn)化膜表面性能和電化學(xué)性能的改善機(jī)制。通過常溫腐蝕浸泡實(shí)驗(yàn),結(jié)合電化學(xué)測試技術(shù),深入研究了硅烷添加前后轉(zhuǎn)化膜在0.05 M NaCl溶液中的腐蝕行為及腐蝕機(jī)理。采用浸泡法在AZ31鎂合金表面制備鈰轉(zhuǎn)化膜。通過正交實(shí)驗(yàn)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化,確定鈰轉(zhuǎn)化膜的優(yōu)化工藝為CeCl3-7H2O濃度0.1 mol·L-1,30wt.% H2O2濃度5ml-·L-1,處理時(shí)間5 min,處理溫度為室溫。鈰轉(zhuǎn)化膜的生長經(jīng)歷了形核孕育、迅速成膜、穩(wěn)態(tài)生長三個(gè)階段。膜層微觀形貌呈現(xiàn)“球形”顆粒-“蜂窩狀”結(jié)構(gòu)-“菜花狀”結(jié)構(gòu)的變化過程。膜層主要由Mg、Ce、O等元素組成,膜層成分隨成膜時(shí)間... 

【文章來源】:中國海洋大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:139 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

鎂合金鈰轉(zhuǎn)化膜與鈰/硅烷復(fù)合轉(zhuǎn)化膜的成膜機(jī)理及腐蝕行為


圖2-2處理時(shí)間與姉轉(zhuǎn)化膜質(zhì)量關(guān)系圖??Fig.?2-2?Relationship?betwee打?the?treatmeiit?time?and?l;he?mass??

轉(zhuǎn)化膜,主要元素


??圖2-4不同處理時(shí)間師轉(zhuǎn)化膜犯M圖(a)?1?min;?(b)?5?min;似10?min??Fig.?2-4?S巨M?images?of?the?cerium?conversion?coatings?for?different?treatment?time??(a)?1?min;?(b)?5?min;?(c)?10?min??EDS分析結(jié)果表明,師轉(zhuǎn)化膜主要由Ce、Mg、O元素組成。Mg元素來源于??AZ31鎊合金基體,Ce元素和0元素分別來自于沉積在鑲合金表面的柿轉(zhuǎn)化膜層。??70,?1??60?-?。?A?A?,??A???A?邊??50?□?Ce???〇?AO??〇?30?乂??<?\?。??20?-?〇?—??O?^??10^^?口?.’口?IIII.??0?5?10?15?20?25?30??Deposi村on?time?/?min??圖2-5不同處理時(shí)間姉轉(zhuǎn)化膜主要元素EDS分析??Fig.?2-5?The?atomic?percent?of?EDS?analysis?for?different?treatment?time??為了直觀的比較S種元素的變化趨勢L:A及膜層的生長模式,繪制了圖2-5。??由圖可見,處理時(shí)間在5?min?內(nèi),Ce和0元素的相對原子百分含量隨著成膜時(shí)??間的增長而明顯增加,Mg元素的相對含量呈減少趨勢;處理時(shí)間5?min?W后,H??種元素的相對含量均呈現(xiàn)穩(wěn)定趨勢。這說明5?min?W前是膜層的快速生長時(shí)期

全譜,定量分析,膜層


2.?4.?4鐘轉(zhuǎn)化膜生長過程組織成分變化??XPS分析用來考察膜層成分和元素的存在形式。對樣品進(jìn)行寬能量范圍掃描,??獲。兀校尤V圖,如圖2-6所示。圖中橫坐標(biāo)代表結(jié)合能(eV),級坐標(biāo)為相對強(qiáng)??度(CPS)。首先對全譜進(jìn)行定性分析,結(jié)合對照表首先鑒別出CIS和Ols峰,接??著依次找出主峰Mgls、Mg2p和Ce3d峰的位置。碳元素的存在推斷是由于在處??理樣品的過程中部分污染物附著在了樣品表面。Ce3d峰的存在表明姉參加了成膜??過程的反應(yīng),此外膜層表面還含有0和Mg等元素,這與EDS分析一致。??M?注?is|??Ok?Ce3d?T??CIS??I?Mg2p??I?一??10?nmi????I?■?I?■?I?■?I?■?I?.?I?.?I??0?200?400?600?800?1000?1200?1400??Bindin

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號:3502832

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