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鐵硅碳系納米膠囊的合成及其高頻電磁性能研究

發(fā)布時間:2021-10-17 18:15
  本文通過等離子體電弧法,以鐵-硅-碳系為研究對象,制備了 Fe3Si@C納米膠囊、納米SiC和中空碳納米線,同時也通過水熱合成法制備了 Co9S8-DETA雜化納米盤層狀材料,系統(tǒng)地研究了它們在2-18 GHz頻率內(nèi)的電磁波吸收性能。研究發(fā)現(xiàn),通過調(diào)節(jié)納米膠囊外殼厚度、引入摻雜元素以及改變形貌來調(diào)控納米材料的微觀結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)對上述納米材料的電磁參數(shù)的調(diào)控進(jìn)而調(diào)控其電磁波吸收收性能。本論文中設(shè)計并合成了一種新型的帶有非晶C殼包裹Heusler軟磁性Fe3Si合金的納米膠囊,在制備過程中,在C殼中引入摻雜Si原子,產(chǎn)生大量Si-C鍵,誘導(dǎo)了晶態(tài)C殼轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷殼。通過對外殼晶態(tài)的調(diào)制,增強(qiáng)了介電極化,顯著改善了 C殼的介電性能,使非晶C殼與軟磁性Fe3Si之間具有更理想的阻抗匹配,導(dǎo)致Fe3Si@C納米膠囊顯示增強(qiáng)的電磁波吸收特性。當(dāng)吸收體厚度為2.1 mm時,Fe3Si@C納米膠囊在13 GHz具有最小反射損耗(RL)-68.3 dB。當(dāng)吸收體厚度為1.4 mm時,其吸收帶寬為4.6 GHz(RL<-10 dB)。這種納米膠囊作為新型的電磁波吸收材料具有非常重要的潛在應(yīng)用價值。本... 

【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:137 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

鐵硅碳系納米膠囊的合成及其高頻電磁性能研究


圖1.1電磁波譜m

示意圖,示意圖,電磁波,人體


?鐵硅碳系納米膠囊的合成及其高頻電磁性能研宄???上升,通過破壞人體組織進(jìn)而影響體內(nèi)器官的正常運(yùn)轉(zhuǎn),除此之外,對人體的??損害還包括非熱效應(yīng)和積累效應(yīng)。電磁輻射污染日趨嚴(yán)重,已成為嚴(yán)重制約人??類發(fā)展和影響人們健康的重要因素之一,而電磁波吸收材料能夠有效地?fù)p耗電??磁輻射,因此,研究吸波材料有利于減少電磁波對人體健康的損害。??波長(米)??io8?io6?i〇4?i〇2?10。i〇-2?i〇-6?ig:8?liii1()io_12?io14??ii?Y?i?r?i?i?■?i?i?i??紅?紫??無線電波?外x射線Y射線??線?線??10°?io2?io4?1〇6?108?io10?io12?io14?io16?io18?io20?1〇22?1?024??頻率(赫茲)??圖1.1電磁波譜m。??Figure?1.1?The?electromagnetic?wave?spectrum.??I^LI??T檢波器??■mn???圖1.2赫茲實(shí)驗(yàn)示意圖W。??Figure?1.2?Schematic?diagram?of?Hertz?experiment.??2??

克爾,專題圖,電磁波,設(shè)備


?鐵硅碳系納米膠囊的合成及其高頻電磁性能研宄???mrnmrn^^^M??圖1.3迪亞巴克爾市的射頻電磁波暴露水平專題圖。粗體值表示市中心的兩個最高電磁波??暴露丨9】。??Figure?1.3?Thematic?map?of?RF?EMF?exposure?levels?a?city?in?Turkey.?Bold?values?indicate?the??two?highest?RF?EMF?exposure?levels?in?the?city?center.??電磁波除了對生物體產(chǎn)生危害外,還會對設(shè)備產(chǎn)生損害,主要表現(xiàn)為電磁??干擾。在頻率范圍2-18?GHz的電磁波技術(shù)使用較為頻繁,2-18?GHz可拆分依次??為2-4?GHz的S波段、4-8?GHz的C波段、8-12?GHz的X波段和12-18?GHz的??Ku波段的電磁波,使用不同波段的電磁波應(yīng)用技術(shù)覆蓋了人們生活的各個方面,??比如4G網(wǎng)絡(luò)、無線通信設(shè)備、電磁波爐、軍事領(lǐng)域內(nèi)的雷達(dá)偵察、衛(wèi)星通訊??等領(lǐng)域(表1.1)。電磁干擾是電磁輻射能量引起電器、電子設(shè)備、電路等設(shè)備元??件、傳輸通道或者系統(tǒng)性能的降低甚至導(dǎo)致設(shè)備停止運(yùn)行引發(fā)故障。這是由于??電子儀器設(shè)備或電氣設(shè)備之間位置相距太近,其發(fā)出的電磁波致使設(shè)備中精密??的電子元件遭受輻射,從而使設(shè)備發(fā)生異常,引發(fā)故障[13]。醫(yī)院醫(yī)療設(shè)備存在??電磁輻射千擾現(xiàn)象更為嚴(yán)重,電磁干擾問題的解決有利于提高檢測結(jié)果準(zhǔn)確度、??參數(shù)精確度和設(shè)備的使用效率,有利于降低由于設(shè)備電磁輻射對醫(yī)護(hù)人員和病??人造成的損傷。為了解決上述問題,通?梢岳闷帘窝b置阻斷電磁千擾的傳??播路徑和輻射強(qiáng)度,以便減少電磁干擾。屏蔽

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號:3442202

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