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碳化硅納米復(fù)合材料的制備及其在光催化中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2017-04-18 19:10

  本文關(guān)鍵詞:碳化硅納米復(fù)合材料的制備及其在光催化中的應(yīng)用,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:碳化硅是碳-硅鍵合的Ⅳ-Ⅳ族半導(dǎo)體,具有優(yōu)異的物理性質(zhì),已被廣泛應(yīng)用于制造高溫、高壓和高頻等極端條件下的半導(dǎo)體器件。此外,由于碳化硅具有非常高的化學(xué)惰性,因此常被用于催化和催化劑的載體。本文選擇立方相碳化硅(3C-SiC)作為主要研究對(duì)象,設(shè)計(jì)、制備了具有高催化活性的與3C-SiC相關(guān)的新型復(fù)合光催化材料,并對(duì)其納米結(jié)構(gòu)及復(fù)合物的催化性能進(jìn)行了深入、系統(tǒng)的研究,獲得的主要結(jié)果如下:1、以微米級(jí)商用大顆粒3C-SiC為前驅(qū)物,使用硝酸與氫氟酸對(duì)其進(jìn)行化學(xué)腐蝕并超聲剝離,制備出平均粒徑在2-7nm之間的近圓形3C-SiC納米顆粒。這些納米顆粒具有良好的發(fā)光性質(zhì),發(fā)光峰位在400-600 nm范圍,且隨激發(fā)波長(zhǎng)增大而紅移。根據(jù)傅里葉變換紅外光譜(FTIR)和X射線光電子能譜(XPS)等譜學(xué)檢測(cè)手段對(duì)3C-SiC納米顆粒進(jìn)行分析研究,發(fā)現(xiàn)所制備的SiC納米顆粒表面有大量的Si-OH鍵。理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)均表明,這是由于3C-SiC在納米尺度時(shí),顆粒表面的Si-Si二聚物能夠有效地解離水分子,形成Si終端的Si-H和Si-OH鍵,這些-OH鍵捕獲光生空穴后,能夠形成具有高氧化活性的羥基自由基(OH·),從而提高復(fù)合反應(yīng)體系的降解能力。2、TiO2半導(dǎo)體材料具有很高的催化活性,并且相對(duì)廉價(jià),無(wú)毒無(wú)害,化學(xué)穩(wěn)定性高,是一種理想的光催化材料。但由于TiO2能隙較大(銳鈦礦相約3.2eV),只有約占太陽(yáng)光5%的紫外光部分才能激發(fā),光響應(yīng)范圍較窄,限制了其實(shí)際應(yīng)用。我們通過改進(jìn)相關(guān)實(shí)驗(yàn)方法,在陽(yáng)極氧化法制備的TiO2納米管陣列中均勻地涂覆上3C-SiC納米顆粒,經(jīng)過退火后,制備出3C-SiC與TiO2復(fù)合材料。復(fù)合材料的降解效率明顯高于單純的TiO2納米管陣列,通過對(duì)比實(shí)驗(yàn)研究,我們認(rèn)為除3C-SiC與TiO2之間良好的能帶匹配外,在SiC與TiO2之間還形成了大量的p-n結(jié),這些p-n結(jié)能夠有效地分離光生電子和空穴,而且復(fù)合物中3C-SiC納米顆粒的自催化性能也能夠提供更多的-OH,從而提高光催化活性。3、ZnS是寬禁帶、具有多種晶體形態(tài)的直接帶隙半導(dǎo)體,在光電以及催化等方面有重要的應(yīng)用。我們利用3C-SiC與ZnS的能帶特點(diǎn),設(shè)計(jì)并制備了3C-SiC/ZnS復(fù)合光催化材料,有效地拓展ZnS的光響應(yīng)范圍,增強(qiáng)其光催化活性。我們研究了ZnS與3C-SiC的自組裝生長(zhǎng)行為,并提出了其生長(zhǎng)模型和機(jī)理,由于化學(xué)腐蝕法制備的3C-SiC納米顆粒表面具有豐富的化學(xué)基團(tuán),這些基團(tuán)能夠與L-半胱氨酸的硫醇鍵和Zn2+所生成的絡(luò)合物(Cys/Zn)結(jié)合,在隨后的水熱過程中,生長(zhǎng)成為ZnS與SiC納米復(fù)合物。光電化學(xué)測(cè)試顯示,ZnS為n型,而3C-SiC為p型,因此兩者的密切接觸形成了p-n結(jié),能夠有效驅(qū)動(dòng)光生電子和空穴的分離。3C-SiC/ZnS復(fù)合材料與單純的ZnS相比,其光催化活性大大提高。本方法材料制備方便,能耗低,可以推廣到其它3C-SiC基復(fù)合催化材料的生長(zhǎng)。
【關(guān)鍵詞】:3C-SiC納米顆粒 TiO_2納米管陣列 ZnS納米球 光催化 納米復(fù)合物
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TB33;O643.36
【目錄】:
  • 摘要4-6
  • Abstract6-11
  • 第一章 緒論11-41
  • 1.1 引言11-12
  • 1.2 光催化原理及研究現(xiàn)狀12-20
  • 1.2.1 半導(dǎo)體光催化原理12-15
  • 1.2.2 光催化材料的應(yīng)用15-16
  • 1.2.3 提高光催化材料活性的途徑16-20
  • 1.3 碳化硅的基本性質(zhì)及研究現(xiàn)狀20-30
  • 1.3.1 碳化硅的基本性質(zhì)20-23
  • 1.3.2 納米碳化硅的制備23-27
  • 1.3.3 納米碳化硅研究現(xiàn)狀27-30
  • 1.4 本論文的出發(fā)點(diǎn)和主要研究?jī)?nèi)容30-31
  • 參考文獻(xiàn)31-41
  • 第二章 3C-SiC納米顆粒的制備及表征41-57
  • 2.1 引言41-43
  • 2.2 3C-SiC納米顆粒的制備43-44
  • 2.3 3C-SiC納米顆粒的譜學(xué)表征44-51
  • 2.4 3C-SiC納米顆粒光致發(fā)光譜的理論分析51-52
  • 2.5 本章小結(jié)52
  • 參考文獻(xiàn)52-57
  • 第三章 3C-SiC納米晶增強(qiáng)TiO_2納米管陣列光催化活性57-81
  • 3.1 引言57-65
  • 3.1.1 TiO_2基本性質(zhì)57-58
  • 3.1.2 陽(yáng)極氧化納米管陣列的制備原理58-62
  • 3.1.3 TiO_2納米管陣列的應(yīng)用62-64
  • 3.1.4 TiO_2納米管陣列的改性研究64-65
  • 3.2 TiO_2納米管陣列的制備65-66
  • 3.3 TiO_2納米管陣列復(fù)合3C-SiC納米顆粒的制備66-67
  • 3.4 樣品分析與檢測(cè)67-68
  • 3.5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析68-72
  • 3.6 3C-SiC納米晶復(fù)合TiO_2納米管陣列催化活性測(cè)試72-74
  • 3.7 3C-SiC復(fù)合TiO_2納米管陣列催化機(jī)理74-75
  • 3.8 本章小結(jié)75-76
  • 參考文獻(xiàn)76-81
  • 第四章 3C-SiC/ZnS納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及其催化活性研究81-100
  • 4.1 引言81-85
  • 4.1.1 ZnS基本性質(zhì)81-82
  • 4.1.2 硫化鋅的應(yīng)用82-84
  • 4.1.3 ZnS催化改性現(xiàn)狀84-85
  • 4.2 3C-SiC/ZnS復(fù)合材料的制備85-86
  • 4.3 納米結(jié)構(gòu)表征及生長(zhǎng)機(jī)制研究86-92
  • 4.4 復(fù)合不同量3C-SiC的ZnS光催化活性92-94
  • 4.5 3C-SiC/ZnS復(fù)合材料的催化機(jī)理94-96
  • 4.6 本章小結(jié)96
  • 參考文獻(xiàn)96-100
  • 第五章 結(jié)論與展望100-103
  • 5.1 結(jié)論100-101
  • 5.2 展望101-103
  • 致謝103-105
  • 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的論文目錄105-106

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