高導(dǎo)熱金剛石膜微波衰減材料的研究
發(fā)布時間:2021-04-04 04:25
隨著電真空器件向著小型化,高功率化方向發(fā)展,這對微波衰減材料的導(dǎo)熱率提出越來越高的要求。目前,國內(nèi)外的衰減材料大多采用陶瓷基復(fù)合材料,由于復(fù)合材料中存在界面等缺陷會導(dǎo)致聲子發(fā)生散射,且陶瓷材料本身熱導(dǎo)率存在極限,使得這類復(fù)合材料的導(dǎo)熱率存在一定的瓶頸,一般難以超過2 W/cm·K。因此,為進一步提高衰減材料的熱導(dǎo)率,需要克服目前陶瓷材料熱導(dǎo)率限制的問題。目前,已知的體材料中熱導(dǎo)率最高的為金剛石,但將金剛石用作衰減材料的相關(guān)應(yīng)用報道極少。為了滿足微波衰減材料的應(yīng)用需求,本文采用硼摻雜及激光石墨化的方法在金剛石基體內(nèi)部引入衰減相,并探索硼雜質(zhì)濃度及石墨纖維長度等參量對微波損耗的影響。論文首先針對金剛石膜材料相對較薄,在復(fù)介電常數(shù)測試過程中誤差較大的問題,提出了一種新的算法。新算法基于一種傳統(tǒng)的含有優(yōu)化因子的傳輸/反射(T/R)算法,新算法改善了原有的優(yōu)化因子取值方法。結(jié)果證明新算法的計算結(jié)果較原有算法具有明顯的優(yōu)越性。其次,論文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法原位合成了摻硼金剛石膜。其中硼雜質(zhì)濃度范圍為1.2×1018-1.5×1020 cm-3。采用T/R方法測量其在K(1...
【文章來源】: 丁明輝 北京科技大學(xué)
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖2-1束縛電荷跳躍極化示意圖??在外加電場的情況下,電介質(zhì)材料中的某些束縛電荷(離子、空位、電子??或空穴等可能會從一個位置跳躍到相的另一置,產(chǎn)生所謂的躍化
?北京科技大學(xué)博士學(xué)位論文???.?y??P?偶極子???[?mm)??103?,〇"?,os?10,J?10,s?f.Hz??MW?ffl?V?UV??圖2-2電介質(zhì)的介電常數(shù)和耗散因子隨頻率的變化關(guān)系??3)干涉型損耗??干涉型吸波材料137],是指材料表面的反射波與進入材料后由反射襯底返??回的反射波發(fā)生相干,從而使得總回波減小或消失的一類材料。它由一個薄??吸收層涂敷于金屬基體上構(gòu)成。此類吸波材料的吸收頻段較窄,吸波性能隨??入射角度的增大而迅速下降,但是此類材料能達(dá)到很薄的標(biāo)準(zhǔn)。由于其厚度??與吸收電磁波的頻率相互制約才能達(dá)到較為理想的吸收效果,因此大大地限??制了其應(yīng)用范圍,一般只作為特定的屏蔽材料使用。??4)磁損耗??磁性吸波材料主要是鐵氧體及磁性金屬等。磁性材料在磁化過程和反磁??化過程中會產(chǎn)生磁滯損耗、渦流損耗和剩余損耗,這些損耗會轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃肯??失掉[38]。??磁滯損耗是由于鐵磁材料在磁化過程中有疇壁位移和磁疇轉(zhuǎn)動,在交變??磁場中,疇壁位移和磁疇轉(zhuǎn)動所需要的時間高于外加磁場變化周期,從而導(dǎo)??致磁化強度和磁感應(yīng)強度的變化滯后于磁場強度變化,由此引起磁滯損耗。??磁性材料在交變磁場中會產(chǎn)生渦電流,渦電流大小正比于材料的電導(dǎo)率。與??傳導(dǎo)電流相同,渦電流的出現(xiàn)將使得電磁場的能量轉(zhuǎn)化為熱能而損耗掉。剩??余損耗指磁損耗中除去磁滯損耗和渦流損耗之外的損耗,在低頻和較弱的磁??場中,主要指磁后效損耗;在高頻磁場中則主要包括尺寸共振、鐵磁共振等??引起的損耗。??5)納米材料引起的損耗[38]??納米材料由于其粒子直徑小,不但導(dǎo)致其表面原子數(shù)目增加,而且其表
?北京科技大學(xué)博士學(xué)位論文???,..,?Sample??Incident?wave?/??Reflected?wave?^//Transmitted?wave???一一'廣??圖2-3采用非諧振方法測試時邊界情況??在非諧振算法中,當(dāng)電磁波從自由空間入射一種材料時,一部分波將在??材料表面發(fā)生反射,一部分波會透射過材料繼續(xù)傳播,而當(dāng)材料具有損耗性??質(zhì)時,還有一部分波會在材料內(nèi)部傳輸時轉(zhuǎn)化成熱能損失掉,具體示意圖如??圖2-3所示。如果我們采用某些裝置,如網(wǎng)絡(luò)分析儀等來收集電磁波反射和??透射的信息,則可以用來推導(dǎo)材料的電磁參數(shù)。??此類方法需要將電磁波入射到材料,本質(zhì)上來說所有的傳輸線都可以用??來傳輸電磁波,如同軸線,波導(dǎo),介質(zhì)波導(dǎo),平面?zhèn)鬏斁和自由空間等。因??此,采用不同的傳輸線就對應(yīng)不同的方法,如同軸線法,波導(dǎo)法等。在非諧??振方法測試中會收集電磁波的反射信息和透射信息。因此,此類方法主要分??為反射法和傳輸/反射法。在反射法中只會應(yīng)用到電磁波的反射信息,而在傳??輸/反射法中反射和透射信息都會采用。??(1)反射法??反射法通常采用開口同軸探頭法[4G,41],其具體示意圖如圖2-4所示:??Sample??、、/??Transmission?line?\??—丄____JB??圖2-4開口同軸法測試示意圖??-10?-??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金剛石自支撐膜拉曼光譜1420cm-1特征峰研究[J]. 朱瑞華,劉金龍,陳良賢,魏俊俊,黑立富,李成明. 人工晶體學(xué)報. 2015(04)
[2]常壓燒結(jié)制備AlN-W復(fù)合微波衰減材料及其性能研究[J]. 楊振濤,魯燕萍. 硅酸鹽通報. 2013(09)
[3]導(dǎo)電顆粒Mo對AlN/Mo復(fù)合陶瓷性能的影響[J]. 于紅,楊志民. 稀有金屬. 2010(03)
[4]多晶氧化鈹陶瓷上金剛石薄膜的生長[J]. 陳永勤,余志明,方梅,魏秋平,陳爽. 中國有色金屬學(xué)報. 2009(04)
[5]微波管用衰減材料的研究[J]. 石明,魯燕萍,劉征,高隴橋. 真空電子技術(shù). 2007(03)
[6]AlN-W復(fù)相微波衰減材料的性能研究[J]. 陳貴巧,李曉云,丘泰. 中國陶瓷工業(yè). 2006(04)
[7]格柵結(jié)構(gòu)吸波性能探索研究[J]. 蔣詩才,邢麗英,李斌太,陳祥寶. 航空材料學(xué)報. 2006(03)
[8]吸波材料的微波損耗機理及結(jié)構(gòu)設(shè)計[J]. 李黎明,徐政. 現(xiàn)代技術(shù)陶瓷. 2004(02)
[9]大面積光學(xué)級金剛石自支撐膜研究進展[J]. 呂反修,唐偉忠,李成明,陳廣超,佟玉梅. 紅外技術(shù). 2003(04)
[10]干涉型多層吸波材料研究[J]. 黃愛萍,馮則坤,聶建華,何華輝. 材料導(dǎo)報. 2003(04)
博士論文
[1]高導(dǎo)熱氮化鋁基微波衰減材料的制備及性能研究[D]. 高鵬.北京科技大學(xué) 2015
[2]催化法制備納米金剛石和新金剛石的研究[D]. 溫斌.大連理工大學(xué) 2006
本文編號:3117722
【文章來源】: 丁明輝 北京科技大學(xué)
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖2-1束縛電荷跳躍極化示意圖??在外加電場的情況下,電介質(zhì)材料中的某些束縛電荷(離子、空位、電子??或空穴等可能會從一個位置跳躍到相的另一置,產(chǎn)生所謂的躍化
?北京科技大學(xué)博士學(xué)位論文???.?y??P?偶極子???[?mm)??103?,〇"?,os?10,J?10,s?f.Hz??MW?ffl?V?UV??圖2-2電介質(zhì)的介電常數(shù)和耗散因子隨頻率的變化關(guān)系??3)干涉型損耗??干涉型吸波材料137],是指材料表面的反射波與進入材料后由反射襯底返??回的反射波發(fā)生相干,從而使得總回波減小或消失的一類材料。它由一個薄??吸收層涂敷于金屬基體上構(gòu)成。此類吸波材料的吸收頻段較窄,吸波性能隨??入射角度的增大而迅速下降,但是此類材料能達(dá)到很薄的標(biāo)準(zhǔn)。由于其厚度??與吸收電磁波的頻率相互制約才能達(dá)到較為理想的吸收效果,因此大大地限??制了其應(yīng)用范圍,一般只作為特定的屏蔽材料使用。??4)磁損耗??磁性吸波材料主要是鐵氧體及磁性金屬等。磁性材料在磁化過程和反磁??化過程中會產(chǎn)生磁滯損耗、渦流損耗和剩余損耗,這些損耗會轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃肯??失掉[38]。??磁滯損耗是由于鐵磁材料在磁化過程中有疇壁位移和磁疇轉(zhuǎn)動,在交變??磁場中,疇壁位移和磁疇轉(zhuǎn)動所需要的時間高于外加磁場變化周期,從而導(dǎo)??致磁化強度和磁感應(yīng)強度的變化滯后于磁場強度變化,由此引起磁滯損耗。??磁性材料在交變磁場中會產(chǎn)生渦電流,渦電流大小正比于材料的電導(dǎo)率。與??傳導(dǎo)電流相同,渦電流的出現(xiàn)將使得電磁場的能量轉(zhuǎn)化為熱能而損耗掉。剩??余損耗指磁損耗中除去磁滯損耗和渦流損耗之外的損耗,在低頻和較弱的磁??場中,主要指磁后效損耗;在高頻磁場中則主要包括尺寸共振、鐵磁共振等??引起的損耗。??5)納米材料引起的損耗[38]??納米材料由于其粒子直徑小,不但導(dǎo)致其表面原子數(shù)目增加,而且其表
?北京科技大學(xué)博士學(xué)位論文???,..,?Sample??Incident?wave?/??Reflected?wave?^//Transmitted?wave???一一'廣??圖2-3采用非諧振方法測試時邊界情況??在非諧振算法中,當(dāng)電磁波從自由空間入射一種材料時,一部分波將在??材料表面發(fā)生反射,一部分波會透射過材料繼續(xù)傳播,而當(dāng)材料具有損耗性??質(zhì)時,還有一部分波會在材料內(nèi)部傳輸時轉(zhuǎn)化成熱能損失掉,具體示意圖如??圖2-3所示。如果我們采用某些裝置,如網(wǎng)絡(luò)分析儀等來收集電磁波反射和??透射的信息,則可以用來推導(dǎo)材料的電磁參數(shù)。??此類方法需要將電磁波入射到材料,本質(zhì)上來說所有的傳輸線都可以用??來傳輸電磁波,如同軸線,波導(dǎo),介質(zhì)波導(dǎo),平面?zhèn)鬏斁和自由空間等。因??此,采用不同的傳輸線就對應(yīng)不同的方法,如同軸線法,波導(dǎo)法等。在非諧??振方法測試中會收集電磁波的反射信息和透射信息。因此,此類方法主要分??為反射法和傳輸/反射法。在反射法中只會應(yīng)用到電磁波的反射信息,而在傳??輸/反射法中反射和透射信息都會采用。??(1)反射法??反射法通常采用開口同軸探頭法[4G,41],其具體示意圖如圖2-4所示:??Sample??、、/??Transmission?line?\??—丄____JB??圖2-4開口同軸法測試示意圖??-10?-??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金剛石自支撐膜拉曼光譜1420cm-1特征峰研究[J]. 朱瑞華,劉金龍,陳良賢,魏俊俊,黑立富,李成明. 人工晶體學(xué)報. 2015(04)
[2]常壓燒結(jié)制備AlN-W復(fù)合微波衰減材料及其性能研究[J]. 楊振濤,魯燕萍. 硅酸鹽通報. 2013(09)
[3]導(dǎo)電顆粒Mo對AlN/Mo復(fù)合陶瓷性能的影響[J]. 于紅,楊志民. 稀有金屬. 2010(03)
[4]多晶氧化鈹陶瓷上金剛石薄膜的生長[J]. 陳永勤,余志明,方梅,魏秋平,陳爽. 中國有色金屬學(xué)報. 2009(04)
[5]微波管用衰減材料的研究[J]. 石明,魯燕萍,劉征,高隴橋. 真空電子技術(shù). 2007(03)
[6]AlN-W復(fù)相微波衰減材料的性能研究[J]. 陳貴巧,李曉云,丘泰. 中國陶瓷工業(yè). 2006(04)
[7]格柵結(jié)構(gòu)吸波性能探索研究[J]. 蔣詩才,邢麗英,李斌太,陳祥寶. 航空材料學(xué)報. 2006(03)
[8]吸波材料的微波損耗機理及結(jié)構(gòu)設(shè)計[J]. 李黎明,徐政. 現(xiàn)代技術(shù)陶瓷. 2004(02)
[9]大面積光學(xué)級金剛石自支撐膜研究進展[J]. 呂反修,唐偉忠,李成明,陳廣超,佟玉梅. 紅外技術(shù). 2003(04)
[10]干涉型多層吸波材料研究[J]. 黃愛萍,馮則坤,聶建華,何華輝. 材料導(dǎo)報. 2003(04)
博士論文
[1]高導(dǎo)熱氮化鋁基微波衰減材料的制備及性能研究[D]. 高鵬.北京科技大學(xué) 2015
[2]催化法制備納米金剛石和新金剛石的研究[D]. 溫斌.大連理工大學(xué) 2006
本文編號:3117722
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