Si含量對(duì)GH3535合金中碳化物形成和轉(zhuǎn)變行為的影響
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【摘要】:能源危機(jī)以及傳統(tǒng)核反應(yīng)堆的安全事故促使人類將目光聚焦于以熔鹽堆為代表的第四代核反應(yīng)堆系統(tǒng)。中國(guó)在2011年啟動(dòng)了中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)《未來(lái)先進(jìn)核裂變能-釷基熔鹽核能系統(tǒng)》(Thorium-based Molten Salt Reactor,TMSR)。為了確保熔鹽堆堆芯容器和回路管道等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件的制備,有必要在已有的Hastelloy N合金的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化,獲取性能更優(yōu)的國(guó)產(chǎn)GH3535合金。前期在Hastelloy N合金和GH3535合金中的相關(guān)研究已經(jīng)證明Si含量與合金組織和性能之間存在密切的聯(lián)系,Si含量范圍亟待優(yōu)化。然而這些研究有限且零散,不足以為工程合金中Si含量的優(yōu)化提供足夠的依據(jù)。同時(shí)這些研究也未能清晰的闡述Si影響合金中碳化物組織形態(tài)和結(jié)構(gòu)的內(nèi)在機(jī)制。本文主要研究七種不同Si含量的GH3535合金在鑄態(tài)、固溶態(tài)以及熱暴露狀態(tài)下的碳化物的類型、形態(tài)、成分和演化行為。同時(shí),基于熱力學(xué)分析和第一性原理計(jì)算研究了Si穩(wěn)定M6C碳化物的作用機(jī)理。主要的結(jié)論如下:(1)Si的添加抑制了鑄態(tài)組織中M2C共晶碳化物的析出,促進(jìn)了M6C共晶碳化物的形成,完全消除M2C碳化物的臨界Si含量為~0.319 wt.%。基于經(jīng)典形核理論,Si的添加降低M6C碳化物的吉布斯自由能,提高其形核率,故而在與M2C碳化物的競(jìng)爭(zhēng)形核過(guò)程中占據(jù)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)對(duì)鑄態(tài)組織進(jìn)行熱軋并固溶處理之后,M2C碳化物由于相對(duì)差的熱穩(wěn)定性而溶解,組織中僅出現(xiàn)沿軋向分布的鏈狀M6C碳化物,其數(shù)量隨著Si含量的增加而增加。(2)不同Si含量GH3535合金經(jīng)過(guò)不同熱暴露處理,晶界上析出類型、形貌和分布形態(tài)不同的析出相。較低Si含量(0.0514和0.188 wt.%)的GH3535合金在熱暴露初期形成晶界M2C碳化物,隨熱暴露時(shí)間逐步演化為片狀M6C碳化物。M2C碳化物向M6C碳化物遵循單獨(dú)形核生長(zhǎng)機(jī)制。高Si合金(0.319,0.562和1.01wt.%)中,晶界熱暴露初期形成片狀M6C碳化物,隨熱暴露時(shí)間逐步粗化為顆粒狀M6C碳化物。在熱暴露2000小時(shí)后,含0.562和1.01 wt.%Si合金中,晶界上開(kāi)始析出M2C碳化物。大量鏈狀M6C碳化物以及晶界M6C碳化物的析出導(dǎo)致較低的基體Si含量是M2C碳化物異常析出的主要原因。(3)當(dāng)含Si 0.46 wt.%的GH3535合金以20oC/min加熱到1335℃或者更高的溫度后水淬,鏈狀碳化物演化為熱裂紋和共晶相,沿著軋向在晶界上形成。而在0.06 wt.%Si合金中加熱到1365℃時(shí)只有少量的熱裂紋出現(xiàn)。鏈狀M6C碳化物中Si富集導(dǎo)致的組分液化是上述相轉(zhuǎn)變的主要機(jī)制。(4)采用同步輻射技術(shù)和第一性原理計(jì)算系統(tǒng)地研究了GH3535合金中M6C碳化物中的Si的擇優(yōu)占位及其穩(wěn)定碳化物的物理機(jī)制。結(jié)果發(fā)現(xiàn),Si原子傾向占據(jù)Ni(16d)位置。態(tài)密度分析發(fā)現(xiàn)Ni48-xSixMo48C16結(jié)構(gòu)中摻雜Si(16d)的s軌道與最近鄰的Ni(32e)和Mo(48f)的s、p和d軌道發(fā)生雜化。16d位置處的原子由Ni替換為Si時(shí),平均Mulliken電荷由負(fù)值變?yōu)檎?與XANES譜中Si的K邊能的變化相一致。摻雜的Si原子主要通過(guò)與周圍的金屬原子的交互作用來(lái)穩(wěn)定M6C碳化物。在上述結(jié)論的基礎(chǔ)上,從加工、力學(xué)性能和焊接三個(gè)角度進(jìn)行評(píng)估和分析,推薦GH3535合金中最優(yōu)的Si含量為~0.319 wt.%。本文采用第一性原理計(jì)算方法從原子尺度研究了Si在M6C碳化物的占位及其穩(wěn)定碳化物的機(jī)制,將對(duì)研究高溫合金、高速鋼和硬質(zhì)合金中Si與M6C碳化物相關(guān)的問(wèn)題提供理論基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)院研究生院(上海應(yīng)用物理研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TL426
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,本文編號(hào):1265347
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