低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)材料是電子封裝技術(shù)中十分重要的組成部分,也是較為復(fù)雜的工藝環(huán)節(jié),LTCC材料對(duì)于電子封裝模塊的性能、質(zhì)量和相關(guān)工藝材料的選擇都有著非常重要的影響,而玻璃/陶瓷復(fù)合材料因其體系較多、性能易實(shí)現(xiàn)系列化已成為目前應(yīng)用最為廣泛的LTCC基板材料。本文選擇玻璃/陶瓷復(fù)合材料作為研究對(duì)象,以鈣鋁硅氟氧(CFAS)玻璃為基礎(chǔ),剛玉、石英作為陶瓷填充料制備LTCC基板材料,并通過(guò)改變CFAS玻璃中CaF₂和Al₂O₃的含量對(duì)復(fù)合材料的組織結(jié)構(gòu)及性能進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)采用了高溫熔融法制備CFAS玻璃,利用X射線衍射分析儀及掃描電子顯微鏡(SEM)分析了試樣的晶相組成和微觀結(jié)構(gòu),采用三點(diǎn)抗彎法測(cè)試試樣的機(jī)械強(qiáng)度,利用精密阻抗分析儀來(lái)測(cè)試試樣的介電常數(shù)和介電損耗。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,CFAS玻璃對(duì)剛玉填充料的潤(rùn)濕性較好,當(dāng)剛玉含量達(dá)到復(fù)合材料的30 wt.%,且試樣的燒結(jié)溫度為850℃時(shí),此時(shí)材料中析出少量的新相鈣長(zhǎng)石(CaAl₂Si

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1三維陶瓷封裝模塊

第1章緒論3圖1-1三維陶瓷封裝模塊20世紀(jì)50年代末期，美國(guó)無(wú)線電公司（今通用電氣公司）首先研發(fā)出了多層陶瓷技術(shù)，例如多疊層共燒、疊層穿孔成型、流延工藝生產(chǎn)薄片等技術(shù)，這些技術(shù)在當(dāng)時(shí)就已經(jīng)被廣泛應(yīng)用[15]。后來(lái)，美國(guó)國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司（IBM）在該領(lǐng)域超越前者，從而讓公司研發(fā)的....

圖1-2LTCC與HTCC以及厚膜技術(shù)比較圖

第1章緒論5術(shù)的主要特點(diǎn)[16,22,23]，具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：（1）優(yōu)異的高頻和微波特性：由于LTCC材料擁有低介電常數(shù)、低插入損耗和低損耗角正切值，極大的提高了其信號(hào)傳輸速率。還可根據(jù)材料配方的變化，使其介電常數(shù)能夠在一定范圍內(nèi)變化，從而增加了電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性。（2....

圖2-1CFAS玻璃/陶瓷復(fù)合材料制備工藝流程圖

燕山大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文14表2-2續(xù)表設(shè)備名稱(chēng)型號(hào)用途熱膨脹系數(shù)測(cè)試儀PCY-Ⅲ型熱膨脹性能測(cè)試顯氣孔率容重測(cè)試儀DP-DXR型體積密度測(cè)試精密阻抗分析儀6500B型介電常數(shù)及介電損耗測(cè)試X射線衍射儀D/max-rB型物相分析場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡S-4800型微觀結(jié)構(gòu)分析2.2....

圖3-4不同CaF2含量復(fù)合材料的斷口形貌圖

第3章玻璃組分對(duì)復(fù)合材料的影響27體的燒結(jié)溫度有所抬升，而且晶體的密度一般大于玻璃相，所以復(fù)合材料的致密度又開(kāi)始升高。體積密度最后下降的趨勢(shì)是因?yàn)镃aF2和鈣長(zhǎng)石晶體的不斷析出，而導(dǎo)致CFAS氟氧玻璃中的玻璃相相應(yīng)減少，試樣在燒結(jié)過(guò)程中難以產(chǎn)生足夠的液相去包裹剛玉顆粒，造成空隙的....

本文編號(hào)：3938665