發(fā)布時(shí)間：2017-05-21 11:11

  本文關(guān)鍵詞：離子體輔助TMA催化TPS快速原子層沉積SiO_2研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著柔性的有機(jī)發(fā)光器件,如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)太陽(yáng)能電池(OSCs)、銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池(CIGS)等不斷發(fā)展,對(duì)于有機(jī)材料的封裝研究也越來(lái)越深入。而柔性基體使用的聚合材料阻隔性能還達(dá)不到要求,采用薄膜封裝(TFE)技術(shù)可以改善有機(jī)材料的阻隔性能,而且薄膜封裝中氧化鋁、氧化硅被大量應(yīng)用。采用原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)氧化鋁封裝應(yīng)用已有報(bào)道,而氧化硅作為封裝主要采用化學(xué)氣相法沉積(Chemical vapor deposition,CVD)。還鮮有原子層沉積氧化硅封裝有機(jī)薄膜的報(bào)道,特別是快速原子層沉積(Rapid atomic layer deposition,RALD)氧化硅應(yīng)用有封裝報(bào)道更少。本論文主要對(duì)快速原子層沉積氧化硅進(jìn)行了研究,同時(shí)將等離子體輔助技術(shù)引入到快速原子層沉積氧化硅(RALD-SiO2)的沉積過(guò)程中,希望達(dá)到等離子體增強(qiáng)快原子層沉積氧化硅(RALD-SiO2)的沉積速率,同時(shí)進(jìn)行快速原子層沉積得到的氧化硅的阻隔性能研究。實(shí)驗(yàn)得到:(1)Ar等離子體在對(duì)于快速沉積氧化硅的沉積速率具有促進(jìn)作用;(2)氧等離子體輔助減少了快速沉積的氧化硅薄膜中未發(fā)生反應(yīng)的-CH3和-CH2含量,對(duì)于減少薄膜中的雜質(zhì)有促進(jìn)作用;(3)短周期原子層沉積的氧化鋁和氧化硅的阻隔性能都很差,但是通過(guò)沉積氧化鋁過(guò)渡層,PET/氧化鋁/氧化硅結(jié)構(gòu)時(shí),盡管沉積周期短也能得到較好的阻隔性能。
【關(guān)鍵詞】：原子層沉積 快速原子層沉積 氧化鋁 氧化硅 氬等離子體 氧等離子體 阻隔性能
【學(xué)位授予單位】：北京印刷學(xué)院
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TB306;TQ127.2
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-27
• 1.1 引言7
• 1.2 原子層沉積技術(shù)的特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)7-18
• 1.2.1 熱原子層沉積技術(shù)8-9
• 1.2.2 等離子體輔助原子層沉積技術(shù)9-16
• 1.2.3 原子層沉積技術(shù)的應(yīng)用范圍和發(fā)展方向16-18
• 1.3 原子層沉積技術(shù)在高阻隔薄膜中的應(yīng)用18-22
• 1.3.1 阻隔薄膜的定義及要求18-19
• 1.3.2 原子層沉積阻隔薄膜的研究現(xiàn)狀19-20
• 1.3.3 高阻隔性能的測(cè)量20-21
• 1.3.4 原子層沉積制備高阻隔薄膜及其存在的問(wèn)題21-22
• 1.4 快速原子層沉積氧化硅（RALD-SiO_2）的研究22-26
• 1.4.1 快速原子層沉積氧化硅的生長(zhǎng)原理22-25
• 1.4.2 快速原子層沉積氧化硅存在的問(wèn)題25-26
• 1.5 論文研究目的、意義及主要內(nèi)容26-27
• 1.5.1 課題研究的目的、意義26
• 1.5.2 課題研究的主要內(nèi)容26-27
• 第二章 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及檢測(cè)方法27-34
• 2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備27-28
• 2.1.1 熱原子沉積設(shè)備27
• 2.1.2 等離子體輔助原子層沉積設(shè)備27-28
• 2.2 實(shí)驗(yàn)材料28-30
• 2.3 薄膜的表征30-33
• 2.3.1 原子力顯微鏡（AFM）30-31
• 2.3.2 掃描電子顯微鏡31
• 2.3.3X射線光電子能譜（XPS）31-32
• 2.3.4 傅里葉變換紅外吸收光譜（FTIR）32
• 2.3.5 橢圓偏振儀32-33
• 2.3.6 薄膜水蒸氣透過(guò)率測(cè)試（WVTR）33
• 2.4 等離子體發(fā)射光譜檢測(cè)（OES）33-34
• 第三章 TMA催化TPS快速原子層沉積氧化硅的研究34-48
• 3.1 TMA催化TPS T RALD生長(zhǎng)SiO_234-38
• 3.1.1 TPS通入量34-35
• 3.1.2 TMA通入量35-36
• 3.1.3 T RALD SiO_236-38
• 3.2 等離子體輔助TMA催化TPS RALD生長(zhǎng)SiO_238-48
• 3.2.1 氬等離子體38-42
• 3.2.2 氧等離子體42-48
• 第四章 原子層沉積氧化鋁、氧化硅阻隔性能的研究48-66
• 4.1 T ALD Al_2O_3的阻隔性能48-54
• 4.1.1T ALD工藝參數(shù)48
• 4.1.2 T ALD Al_2O_348-49
• 4.1.3 元素含量分析49-50
• 4.1.4 T ALD Al_2O_3的阻隔性能50
• 4.1.5 氧等離子體預(yù)處理50-54
• 4.2 等離子體輔助原子層沉積氧化鋁的研究54-58
• 4.2.1 氧等離子體診斷54-55
• 4.2.2 等離子體輔助原子層沉積氧化鋁參數(shù)55
• 4.2.3 等離子體輔助原子層沉積氧化鋁薄膜表面相貌55-58
• 4.3 T RALD SiO_2阻隔性能的研究58-62
• 4.4 PA RADL SiO_2阻隔性能62-66
• 第五章 結(jié)論和展望66-69
• 5.1 本論文的主要結(jié)論及工作展望66-67
• 5.2 本論文的創(chuàng)新點(diǎn)67-68
• 5.3 下一步工作展望68-69
• 參考文獻(xiàn)69-75
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文75-76
• 致謝76

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 武開(kāi)業(yè);;掃描電子顯微鏡原理及特點(diǎn)[J];科技信息;2010年29期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 張軍峰;氧化硅薄膜制備的等離子體在線診斷[D];北京印刷學(xué)院;2009年

2 胡立瓊;摻氮類金剛石薄膜的制備及其表征[D];北京印刷學(xué)院;2006年

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本文編號(hào)：383468