硅基硒化銻制備與光電性能研究
發(fā)布時間:2021-09-01 10:41
硒化銻是一種新型的直接帶隙結(jié)構(gòu)的二元單相半導(dǎo)體材料,具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、光學(xué)吸收系數(shù)大、帶隙可調(diào)等優(yōu)越的性能,使其在光伏、探測、發(fā)光等光電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。而且硒化銻的塞貝克系數(shù)高達(dá)1800 μV/K,在熱電器件方向也有很大的應(yīng)用前景。正是由于這些優(yōu)異的性能,使其成為近期研究的熱點(diǎn)。本文利用簡單、安全、高效的水熱法,通過對實(shí)驗(yàn)溫度、時間以及活性劑的控制,制備出了具有高質(zhì)量單一相硒化銻一維納米線及二維納米片結(jié)構(gòu),并采用半導(dǎo)體微納加工手段,制備出簡單的硒化銻器件,并對其光電導(dǎo)特性進(jìn)行了研究,光電導(dǎo)探測器展現(xiàn)出了較低的暗電流和較好的光電流響應(yīng)。主要工作如下:(1)發(fā)展了一種以十六烷基三甲基溴化銨作為結(jié)構(gòu)形貌導(dǎo)向劑的水熱法合成硒化銻納米線及硒化銻納米片方法。通過對實(shí)驗(yàn)條件的分析調(diào)控,合成出直徑約為150nm、長度從5 μm到數(shù)十微米的納米線,及二維納米片尺寸長度為10 μm、寬度為5 μm和厚度約為15 nm。通過XRD、SEM、TEM、AFM、XPS、Raman、UV-Vis-NIR等的材料手段對制備的材料進(jìn)行了表征,納米線與納米片具備單一的正交相,晶體質(zhì)量良好。紫外可見近紅外吸收結(jié)果表...
【文章來源】:中央民族大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1?Sb、Se與In、Ga、Te的豐度價格對比圖??
[100]??ra?iii??圖1-2硒化銻的晶體結(jié)構(gòu)w??1.2硒化銻材料的光電應(yīng)用??1.2.1在太陽能電池方面的應(yīng)用??太陽能電池,顧名思義就是將光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置,具有綠色環(huán)保、可再生等優(yōu)點(diǎn),??是減輕目前全球環(huán)境污染與能源短缺的有效途徑。近年來,太陽能電池研究的焦點(diǎn)主要集??中在開發(fā)新材料與提升能量轉(zhuǎn)換效率1yUl°]。因硒化銻材料具有與硅帶隙相近、吸收系數(shù)高等??優(yōu)點(diǎn),成為光伏電池應(yīng)用的熱點(diǎn)材料。2009年,墨西哥的Nair等1111人采用化學(xué)水浴法合成??Sb2Se3.xSx:Sb203作為吸光層,結(jié)構(gòu)為TCO/CdS/Sb2Se3-xSx:Sb2〇3/PbS太陽能電池,其轉(zhuǎn)化效??率為0.66%。由于其化學(xué)水浴法得到的是硒化銻以及銻的氧化物,器件結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜、制備??過程繁瑣且轉(zhuǎn)化效率低,所以沒有引起同行重視,繼續(xù)進(jìn)行研究。近年來,唐江課題組先??后利用肼溶液法[12]與熱蒸發(fā)法U3]制備出Sb2Se3薄膜,后續(xù)又報道通過溶液法和真空法制備??的頂襯和底襯結(jié)構(gòu)的Sb2Se3薄膜太陽能電池[14],其中熱蒸發(fā)法(如圖1-3所示)制備的??CdS/Sb2Se3頂襯結(jié)構(gòu)太陽能電池達(dá)3.7%的轉(zhuǎn)換效率[15]。因此Sb2Se3的材料特性使其有希望??制備高效、低價、無毒、且穩(wěn)定的新型太陽能電池,具有良好的發(fā)展前景。??3??
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【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]光電探測器等效電路模型和實(shí)驗(yàn)研究[D]. 趙軍.重慶大學(xué) 2015
本文編號:3376834
【文章來源】:中央民族大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1?Sb、Se與In、Ga、Te的豐度價格對比圖??
[100]??ra?iii??圖1-2硒化銻的晶體結(jié)構(gòu)w??1.2硒化銻材料的光電應(yīng)用??1.2.1在太陽能電池方面的應(yīng)用??太陽能電池,顧名思義就是將光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置,具有綠色環(huán)保、可再生等優(yōu)點(diǎn),??是減輕目前全球環(huán)境污染與能源短缺的有效途徑。近年來,太陽能電池研究的焦點(diǎn)主要集??中在開發(fā)新材料與提升能量轉(zhuǎn)換效率1yUl°]。因硒化銻材料具有與硅帶隙相近、吸收系數(shù)高等??優(yōu)點(diǎn),成為光伏電池應(yīng)用的熱點(diǎn)材料。2009年,墨西哥的Nair等1111人采用化學(xué)水浴法合成??Sb2Se3.xSx:Sb203作為吸光層,結(jié)構(gòu)為TCO/CdS/Sb2Se3-xSx:Sb2〇3/PbS太陽能電池,其轉(zhuǎn)化效??率為0.66%。由于其化學(xué)水浴法得到的是硒化銻以及銻的氧化物,器件結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜、制備??過程繁瑣且轉(zhuǎn)化效率低,所以沒有引起同行重視,繼續(xù)進(jìn)行研究。近年來,唐江課題組先??后利用肼溶液法[12]與熱蒸發(fā)法U3]制備出Sb2Se3薄膜,后續(xù)又報道通過溶液法和真空法制備??的頂襯和底襯結(jié)構(gòu)的Sb2Se3薄膜太陽能電池[14],其中熱蒸發(fā)法(如圖1-3所示)制備的??CdS/Sb2Se3頂襯結(jié)構(gòu)太陽能電池達(dá)3.7%的轉(zhuǎn)換效率[15]。因此Sb2Se3的材料特性使其有希望??制備高效、低價、無毒、且穩(wěn)定的新型太陽能電池,具有良好的發(fā)展前景。??3??
*?10s?10s?1〇200?220?240?260?280?300?320?340?360??(c)?Frequency?(Hz)?(d)?Depth?(nm)??圖卜3后硒化處理的熱蒸發(fā)制備的Sb2Se3/CdS異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池??(a)?J-V測試曲線;(b)?EQE測試曲線;??(c)導(dǎo)納譜;(d)摻雜濃度分布曲線[15]??2019年,河北大學(xué)李志強(qiáng)等人[16]采用兩步磁控濺射法制備雙層鉬背面接觸結(jié)構(gòu),將硒??化銻太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率大幅提升至9.2%,如圖1-4所示,使得硒化銻太陽能電池研??究上有了突破性進(jìn)展。??d?f?35?二?6?1〇0?-?■■??35?*T?^20?-?9?(M??i???、?8〇?一,?|?is?〇’——?一一??^?20?VCMOS?\?d?60?/?jT?l??20?^?c?m?/?\?一??1?^?i?i?/?/?\?15?f?^?/?\?^??.T?1?-?/?\?;-?s/?\?〇'??3?0?*???0?^?C?a?0?0.0?-??°?〇〇?〇1?02?0?3?0?4?400?600?800?1000?°?6.5?7?0?75?8.0?85?90?9.5?0?06?007?0?08?0?09?010??Voltage?(V)?Wavelength?(nm)?Efftooncy?(%)?Tm?(s)??圖1-4?abc是Sb2Se3納米棒陣列結(jié)構(gòu)示意圖與SEM圖片defg是Sb2Se3納米棒太陽能電池性能測試??1.2.2在光子熱療法方面的應(yīng)用??4??
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]光電探測器等效電路模型和實(shí)驗(yàn)研究[D]. 趙軍.重慶大學(xué) 2015
本文編號:3376834
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