電介質(zhì)儲能由于具有功率密度高、響應(yīng)速度快、成本低等特點(diǎn)而被認(rèn)為是可用于高功率和高能量密度電能儲存的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),其技術(shù)核心在于電介質(zhì)儲能材料的研究和制備。在各種電介質(zhì)儲能材料中,聚合物-陶瓷納米復(fù)合材料由于加工溫度低、具有良好的柔性等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛地關(guān)注和研究。聚合物-陶瓷復(fù)合材料作為儲能電介質(zhì)的性能主要由復(fù)合材料的儲能密度和儲能效率評價,前者與復(fù)合材料的介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度有關(guān),后者與復(fù)合材料充放電特性相關(guān)。聚合物-陶瓷復(fù)合材料的介電常數(shù)、擊穿強(qiáng)度和充放電特性不僅與復(fù)合材料各組分的各自性質(zhì)有關(guān),還受到陶瓷填料與聚合物基體間的界面性質(zhì)影響,并與復(fù)合材料的制備工藝密切相關(guān)。本論文制備了以鐵電聚合物聚偏氟乙烯-六氟丙烯（P（VDF-HFP））和非鐵電極性聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）為基體、以BaTiO3（BT）和Ba0.5Sr0.5TiO3（BST）納米顆粒為填料的兩個復(fù)合材料體系,并詳細(xì)研究分析了兩個體系中復(fù)合材料介電性能頻率和溫度穩(wěn)定性、充放電和儲能特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:（1）聚合物-陶瓷復(fù)合電介質(zhì)材料的介電常數(shù)隨陶瓷添加量增大而增大,其介電性能的頻率和溫度特性主要受聚合物基體的介電... 

【文章來源】：西安理工大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：53 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 電介質(zhì)儲能技術(shù)簡介
        1.1.1 無機(jī)陶瓷材料
        1.1.2 有機(jī)聚合物材料
        1.1.3 聚合物-陶瓷復(fù)合材料
    1.2 聚合物-陶瓷納米復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀
        1.2.1 提高聚合物-陶瓷納米復(fù)合材料的介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度
        1.2.2 提高聚合物-陶瓷納米復(fù)合材料的儲能效率
    1.3 本論文研究內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)材料和分析測試方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)原材料和試劑
    2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    2.3 制備工藝和技術(shù)路線
    2.4 測試與表征
        2.4.1 相結(jié)構(gòu)組成分析
        2.4.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
        2.4.3 熱分析測試
        2.4.4 介電性能測試
        2.4.5 充放電性能測試
第3章P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的制備和性能研究
    3.1 P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的制備
    3.2 P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的宏觀形貌和微觀結(jié)構(gòu)
    3.3 P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的熱分析
    3.4 P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的介電性能
        3.4.1 介電頻譜
        3.4.2 介電溫譜
    3.5 P(VDF-HFP)-BT納米復(fù)合薄膜的充放電特性
    3.6 本章小結(jié)
第4章 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的制備和性能研究
    4.1 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的制備
    4.2 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的宏觀形貌和微觀結(jié)構(gòu)
    4.3 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的熱分析
    4.4 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的介電性能
        4.4.1 介電頻譜
        4.4.2 介電溫譜
    4.5 PMMA-BST納米復(fù)合薄膜的充放電特性
    4.6 本章小結(jié)
實(shí)驗(yàn)總結(jié)和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間主要研究成果



本文編號：3169086