金屬有機框架MIL-101的改性及其有機物脫除性能的研究
發(fā)布時間:2021-01-31 22:07
金屬有機框架(Metal-organic frameworks,MOFs)由于具有大的比表面積、高的孔隙率和豐富的活性位點等特性,成為高效光催化劑的前驅體。通過直接煅燒MOFs得到的MOFs衍生的多孔碳材料,不僅繼承了MOFs材料的特點,而且具有良好的導電性和穩(wěn)定性,因此在光催化領域引起了人們的關注。然而,MOFs及其衍生的多孔碳材料常具有較大的禁帶寬度,在可見光照射下不易被激發(fā),導致光催化性能較低,有效的策略是采用半導體改性來提高性能。因此,本文將α-Fe2O3與MOFs及其衍生的多孔碳相復合獲得高性能的光催化劑,具體研究結果如下:首先,本文成功地合成了MIL-101(Cr),再通過水熱法制備了一系列α-Fe2O3(C)/MIL-101(Cr)復合光催化劑。由X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)可知,與單一相α-Fe2O3比較,復合光催化劑中α-Fe2O3具有較小的顆粒尺寸而比表面積大幅提升,達948.6 m2/g。通過捕獲實驗,帶邊位置分析和電子自旋共振(ESR)測試說明α-Fe2O3和MIL-101(Cr)之間形成了Z-型異質結。進一步通過高分...
【文章來源】:燕山大學河北省
【文章頁數(shù)】:93 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
傳統(tǒng)異質結光催化三種類型機理簡圖[48]
燕山大學工學碩士學位論文-8-光催化劑更快。圖1-2p-n異質結光催化機理簡圖[49]1.4.5Z-型異質結光催化原理盡管傳統(tǒng)的II型異質結能夠分離光生電子-空穴對,但是還原反應發(fā)生在還原電位較低的半導體B上,而氧化反應發(fā)生在氧化電位較低的半導體A上,這導致傳統(tǒng)的II型異質結光催化劑的氧化還原能力降低。因此,提出了一種Z-型異質結光催化,它的能帶結構與II型異質結的能帶結構類似,但光生載流子轉移的路徑不同。Z-型異質結光催化機理如圖1-3所示:在光照條件下,光生電子從半導體A的CB轉移到半導體B的VB,并與半導體B中的空穴相結合,最終電子會聚集到半導體B的VB上,而空穴會聚集到半導體A的CB。Z-型異質結光催化劑不僅降低了光生載流子的復合,而且保留了半導體A和B較強的氧化還原能力,有效地提高光催化性能。圖1-3Z-型異質結光催化機理簡圖[50]
燕山大學工學碩士學位論文-8-光催化劑更快。圖1-2p-n異質結光催化機理簡圖[49]1.4.5Z-型異質結光催化原理盡管傳統(tǒng)的II型異質結能夠分離光生電子-空穴對,但是還原反應發(fā)生在還原電位較低的半導體B上,而氧化反應發(fā)生在氧化電位較低的半導體A上,這導致傳統(tǒng)的II型異質結光催化劑的氧化還原能力降低。因此,提出了一種Z-型異質結光催化,它的能帶結構與II型異質結的能帶結構類似,但光生載流子轉移的路徑不同。Z-型異質結光催化機理如圖1-3所示:在光照條件下,光生電子從半導體A的CB轉移到半導體B的VB,并與半導體B中的空穴相結合,最終電子會聚集到半導體B的VB上,而空穴會聚集到半導體A的CB。Z-型異質結光催化劑不僅降低了光生載流子的復合,而且保留了半導體A和B較強的氧化還原能力,有效地提高光催化性能。圖1-3Z-型異質結光催化機理簡圖[50]
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Fe2O3/TiO2納米管陣列的制備及其光催化性能[J]. 黃益操,趙浙菲,李世雄,邸婧,鄭華均. 無機化學學報. 2015(01)
本文編號:3011660
【文章來源】:燕山大學河北省
【文章頁數(shù)】:93 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
傳統(tǒng)異質結光催化三種類型機理簡圖[48]
燕山大學工學碩士學位論文-8-光催化劑更快。圖1-2p-n異質結光催化機理簡圖[49]1.4.5Z-型異質結光催化原理盡管傳統(tǒng)的II型異質結能夠分離光生電子-空穴對,但是還原反應發(fā)生在還原電位較低的半導體B上,而氧化反應發(fā)生在氧化電位較低的半導體A上,這導致傳統(tǒng)的II型異質結光催化劑的氧化還原能力降低。因此,提出了一種Z-型異質結光催化,它的能帶結構與II型異質結的能帶結構類似,但光生載流子轉移的路徑不同。Z-型異質結光催化機理如圖1-3所示:在光照條件下,光生電子從半導體A的CB轉移到半導體B的VB,并與半導體B中的空穴相結合,最終電子會聚集到半導體B的VB上,而空穴會聚集到半導體A的CB。Z-型異質結光催化劑不僅降低了光生載流子的復合,而且保留了半導體A和B較強的氧化還原能力,有效地提高光催化性能。圖1-3Z-型異質結光催化機理簡圖[50]
燕山大學工學碩士學位論文-8-光催化劑更快。圖1-2p-n異質結光催化機理簡圖[49]1.4.5Z-型異質結光催化原理盡管傳統(tǒng)的II型異質結能夠分離光生電子-空穴對,但是還原反應發(fā)生在還原電位較低的半導體B上,而氧化反應發(fā)生在氧化電位較低的半導體A上,這導致傳統(tǒng)的II型異質結光催化劑的氧化還原能力降低。因此,提出了一種Z-型異質結光催化,它的能帶結構與II型異質結的能帶結構類似,但光生載流子轉移的路徑不同。Z-型異質結光催化機理如圖1-3所示:在光照條件下,光生電子從半導體A的CB轉移到半導體B的VB,并與半導體B中的空穴相結合,最終電子會聚集到半導體B的VB上,而空穴會聚集到半導體A的CB。Z-型異質結光催化劑不僅降低了光生載流子的復合,而且保留了半導體A和B較強的氧化還原能力,有效地提高光催化性能。圖1-3Z-型異質結光催化機理簡圖[50]
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Fe2O3/TiO2納米管陣列的制備及其光催化性能[J]. 黃益操,趙浙菲,李世雄,邸婧,鄭華均. 無機化學學報. 2015(01)
本文編號:3011660
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