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雜稠芳環(huán)n型有機半導(dǎo)體遷移率的理論研究

發(fā)布時間:2018-01-26 00:33

  本文關(guān)鍵詞: 有機半導(dǎo)體 電荷遷移率 密度泛函理論 跳躍模型 晶體結(jié)構(gòu) 出處:《南京理工大學(xué)》2017年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文


【摘要】:有機半導(dǎo)體器件相較于傳統(tǒng)的無機半導(dǎo)體器件具有制備工藝簡單、低成本、功耗小、可彎曲等優(yōu)點,近年來,有機電子材料包括有機半導(dǎo)體、有機薄膜晶體管、有機太陽電池、有機電致發(fā)光器件、有機傳感器和有機存儲器的研究與應(yīng)用取得了日新月異的進展,擁有廣泛的應(yīng)用前景。有機半導(dǎo)體可分為p型有機半導(dǎo)體和n型有機半導(dǎo)體,分別對應(yīng)于電子傳輸和空穴傳輸,共同構(gòu)筑有機互補電路。然而,目前有機半導(dǎo)體的性能,尤其是n型有機半導(dǎo)體仍然無法超越無機半導(dǎo)體。因此,尋求高性能的n型有機半導(dǎo)體是有機電子學(xué)需要克服的難題之一。性能良好的n型有機半導(dǎo)體需要滿足高度共軛的π電子系統(tǒng),且電子親和能較高,近鄰分子間的電子波函數(shù)有較大重疊等。本論文用密度泛函理論結(jié)合跳躍模型,對候選物及其取代衍生物的電荷遷移性質(zhì)進行了理論研究。研究內(nèi)容包括以下三個部分:1.用密度泛函理論結(jié)合不連續(xù)的電荷跳躍模型探究了二萘嵌苯二酰亞胺(PDI)及其氟取代衍生物(2F-PDI,4F-PDI)的電荷遷移性質(zhì),對其幾何構(gòu)型、重組能、前線分子軌道、電子親和能、電離能、轉(zhuǎn)移積分以及各向異性進行了討論。通過在二萘嵌苯二酰亞胺分子的灣部進行氟取代,p型有機半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變成了 n型有機半導(dǎo)體二氟取代的二萘嵌苯二酰亞胺(2F-PDI),以及雙極性有機半導(dǎo)體四氟取代的二萘嵌苯二酰亞胺(4F-PDI)。由于具有更低的最低未占據(jù)軌道能級及有效的排布方式,二氟取代的二萘嵌苯二酰亞胺電子遷移率為0.33 cm2·V~(-1)·s~(-1)比其相應(yīng)的空穴遷移率(0.0008 cm2·V~(-1)·s~(-1))大很多。因此,二氟取代二萘嵌苯二酰亞胺可以做為n型有幾半導(dǎo)體材料的候選物。在二萘嵌苯為基本骨架的有機半導(dǎo)體引入強吸電子取代基(如氟)是得到高性能n型有機半導(dǎo)體材料的有效方法。另外,三種分子的遷移率均表現(xiàn)出明顯的各向異性?昭半娮拥淖畲筮w移率均發(fā)生在呈平行的π-π排布的二聚體。2.計算研究四硫環(huán)輪烯(DPTTA)以及其吸電子取代基衍生物(DPTTACH3,DPTTACl)的電荷遷移性質(zhì),在分子及晶體水平上闡述了電荷遷移率和取代基之間的關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)作為n型有機半導(dǎo)體時,較低且非定域化的最低未占據(jù)軌道和較大的電子親和能有利于其穩(wěn)定性。重組能和轉(zhuǎn)移積分對電荷遷移率有很重要的影響。三種化合物中,DPTTACH3由于重組能小且呈面對面的π-π排列產(chǎn)生較大的轉(zhuǎn)移積分,因此電子遷移率較大,為0.18cm2·V~(-1)·s~(-1)。從轉(zhuǎn)移積分的角度來看,對電荷遷移起主導(dǎo)作用的跳躍路徑具有π-π的作用的平行二聚體。對于各向異性的研究,DPTTACH3電荷遷移率表現(xiàn)出明顯的角度相關(guān)。3.在分子與晶體的基礎(chǔ)上,用密度泛函理論結(jié)合電荷跳躍機制對六硫雜并五苯(HTP)及其硒替換衍生物(2Se-HTP,4Se-HTP,6Se-HTP)的幾何構(gòu)型、晶體結(jié)構(gòu)等與電荷遷移率之間的關(guān)系,以及用不同數(shù)目的硒替換后對電荷遷移性質(zhì)的影響進行了研究與討論。HTP的晶體結(jié)構(gòu)來源于劍橋晶體數(shù)據(jù)庫(CCDC),其硒替換晶體結(jié)構(gòu)是在CASTEP用DFT-D方法結(jié)合GGA-PBE來優(yōu)化得到。結(jié)果表明,硒替換的分子依然具有良好的平面性且電荷傳輸過程的結(jié)構(gòu)變化較小,這有利于電荷的傳輸。從空穴與電子遷移率的結(jié)果分析,HTP和6Se-HTP的電子遷移率比空穴遷移率大得多,分別為1.20 cm2·V~(-1)·s~(-1)和2.29cm2·V~(-1)·s~(-1),是很好的電子傳輸材料,而2Se-HTP與4Se-HTP的空穴與電子遷移率相當(dāng),適合作為雙極性有機半導(dǎo)體材料。
[Abstract]:This paper studies the charge transport properties of organic semiconductors , including organic semiconductors , organic thin film transistors , organic solar cells , organic electroluminescence devices , organic sensors and organic memories . The electron mobility of HTP and 6Se - HTP is much larger than that of electron mobility . The results show that the electron mobility of HTP and 6Se - HTP is much larger than that of electron mobility . The holes and electron mobility of 2Se - HTP and 4Se - HTP are suitable as bipolar organic semiconductor materials .

【學(xué)位授予單位】:南京理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:O649.5

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2 ;日開發(fā)出制作有機半導(dǎo)體單晶薄膜的新技術(shù)[J];粘接;2011年08期

3 黃美純;;有機半導(dǎo)體導(dǎo)電機理問題[J];廈門大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1961年03期

4 Б.А.克,

本文編號:1464139


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