抗紫外含銪高分子熒光粉的合成及發(fā)光性能研究
本文關鍵詞:抗紫外含銪高分子熒光粉的合成及發(fā)光性能研究 出處:《太原理工大學》2017年碩士論文 論文類型:學位論文
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【摘要】:近紫外激發(fā)LED用白光熒光粉的紅光成分因其可以調(diào)節(jié)色溫和提高顯色性而備受關注,稀土離子由于具有定波長、窄紅光發(fā)射等特性成為LED紅光熒光粉的首選材料。由于近紫外光對熒光粉及封裝材料的長期輻照,導致LED器件壽命大幅下降,為了提高近紫外激發(fā)LED的發(fā)光效率和光輸出功率,要求封裝材料具有較好的耐紫外性和折光率,而有機硅因其無機/有機的結構特征,具有耐候性、抗紫外性和折光率可調(diào)性,成為封裝材料最具前景的材料之一。本文以具有抗紫外性的有機硅為基質(zhì),采用溶液聚合法,將Eu(III)反應型配合物鍵合到有機硅高分子鏈上,合成稀土高分子熒光粉,旨在提高熒光粉的抗紫外性和折光率,從而改善LED器件的耐候性和光通量。1)以三甲氧基(4-乙烯基苯基)硅烷單體為基質(zhì),將反應型銪配合物Eu(TTA)_2(Phen)MAA鍵合到高分子鏈上,合成了近紫外激發(fā)的共聚物紅光熒光粉P-Eu-Si。共聚物的熒光分析顯示最佳激發(fā)波長為333 nm,且在613nm處有屬于Eu~(3+)離子最強~5D_0→~7F_2躍遷,屬純正紅光發(fā)射,熒光絕對量子產(chǎn)率達63%。熒光壽命為0.586 ms,紫外老化150 h后僅降低了0.003 ms。封裝的LED器件具有優(yōu)良的發(fā)光特性,CIE色坐標為(0.625,0.308),位于紅光區(qū)域,同時,亮度衰減與配合物相比大幅降低,表明具有一定的耐紫外性。2)引入甲基丙烯酸甲酯單體,合成了聚合物紅光熒光粉PM-Eu-Si。結果顯示,聚合物熒光粉激發(fā)波長位于355—370 nm之間,能夠很好地匹配365 nm的近紫外芯片,在612 nm處表現(xiàn)出Eu3+離子最強特征發(fā)射峰。熒光壽命為0.589 ms,紫外老化150 h后降低0.006 ms,具有一定抗紫外性。封裝的LED器件具有較好的發(fā)光特性,CIE色坐標為(0.60,0.32),位于紅光區(qū)域,亮度衰減較小,具有一定的抗紫外性和高透光性。3)首先,采用溶膠凝膠法,以三甲氧基(4-乙烯基苯基)硅烷、γ-(2,3-環(huán)氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、二苯基硅二醇為反應原料,合成新的有機硅材料,然后與銪配合物聚合制得高亮度聚合物紅光熒光粉P-Eu-Si-Ph。制備得到的聚合物熒光粉在近紫外波長345—365 nm處有激發(fā)峰,在612 nm處表現(xiàn)出Eu(III)離子的特征發(fā)射,熒光強度達2.8×10~7 a.u.。熱分析表明起始分解溫度為170℃,滿足LED工作溫度要求。LED器件呈現(xiàn)出優(yōu)異的發(fā)光特性,光通量高達1.555 lm,亮度衰減極小,具有高光通量和強耐紫外性。
【學位授予單位】:太原理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TQ422
【參考文獻】
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,本文編號:1328164
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