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聚合物硅垢阻垢劑的合成與性能研究

發(fā)布時間:2017-12-10 13:03

  本文關(guān)鍵詞:聚合物硅垢阻垢劑的合成與性能研究


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【摘要】:在工業(yè)循環(huán)冷卻水系統(tǒng)中,原水及循環(huán)水中會含有一定量的二氧化硅及其化合物,當(dāng)水中硅含量高于臨界濃度時便會析出,生成膠體硅垢和硅酸鹽垢,影響系統(tǒng)的安全正常運行。為了減少循環(huán)水中硅垢的產(chǎn)生,向循環(huán)水系統(tǒng)中添加硅垢阻垢劑是較為經(jīng)濟(jì)可行的方法。本文以丙烯酸(AA)、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)和N-叔丁基丙烯酰胺(TBAM)為單體,合成改性三元共聚物AA/AMPS/TBAM,簡稱ZG-001。用核磁共振(NMR)分析聚合物的成分,分析結(jié)果表明得到目標(biāo)合成產(chǎn)物。選取聚合物TH-2000、Acumer-3100、ZG-001和PAA作為硅垢阻垢劑,通過靜態(tài)測試法測試幾種阻垢劑對水中膠體硅、硅酸鈣和硅酸鎂垢的阻垢性能。在給定的實驗條件下,在含溶解硅初始質(zhì)量濃度為500mg ·L~(-1)的硅溶液中,48h后加入質(zhì)量濃度為120 mg · L~(-1)ZG-001的硅溶液中剩余溶解硅的質(zhì)量濃度可達(dá)277mg·L-];當(dāng)溶液中硅和鈣離子的含量均為500mg· L~(-1)時,ZG-001的阻垢性能亦最佳,48h后剩余硅的質(zhì)量濃度達(dá)352 mg ·L~(-1),其經(jīng)濟(jì)阻垢濃度為120 mg·L~(-1)。當(dāng)溶液中硅和鎂離子的含量均為500 mg · L~(-1)時,120 mg·L~(-1)的ZG-001阻垢性能最佳,48h后剩余硅的質(zhì)量濃度可達(dá)331 mg· L~(-1)。四種阻垢劑中,ZG-001的阻垢性能相對較好,并且對硅酸鹽垢的阻垢性能要比對膠體硅垢阻垢性能好。分別進(jìn)行ZG-001與PESA、HEDP和ATMP的復(fù)配實驗,選取阻垢劑與復(fù)配劑質(zhì)量濃度比為0.85:0.15,考察阻垢效果。實驗證明ZG-001與PESA復(fù)配后阻垢性能最好。阻膠體硅和硅酸鹽垢的適宜質(zhì)量濃度配比均為102 mg · L~(-1)ZG-001+18 mg L~(-1)PESA,剩余硅含量分別可達(dá) 332 mg · L~(-1)、380 mg · L~(-1)和 371 mg · L~(-1)。三元共聚物ZG-001對溶液中硅的沉積有較好的抑制作用,其中對硅酸鹽垢的抑制效果要優(yōu)于對膠體硅垢的抑制效果。復(fù)配后阻垢性能更佳,總體阻垢性能令人滿意。
【學(xué)位授予單位】:山東大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TQ317;TQ085.4

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號:1274524


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