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GeTe合金摻雜In、S和Zn元素?zé)犭娦阅艿难芯?/H1>
發(fā)布時(shí)間:2017-10-14 06:14

  本文關(guān)鍵詞:GeTe合金摻雜In、S和Zn元素?zé)犭娦阅艿难芯?/strong>


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【摘要】:熱電材料作為一種特殊的功能型材料,利用材料內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)熱能與電能之間的相互轉(zhuǎn)換,在發(fā)電和制冷領(lǐng)域具有廣闊的前景。研究者需要清楚的認(rèn)識(shí)材料的各項(xiàng)性能參數(shù),這對(duì)如何提高其性能具有指導(dǎo)意義。GeTe合金作為IV-VI族材料中的一員,由于合金中存在較多的Ge空位,使其具有較高的電導(dǎo)率,同時(shí)熱導(dǎo)率也比較高,導(dǎo)致熱電性能不太理想。所以,通過(guò)往GeTe合金中摻雜其他元素成為一種改善其熱電性能的重要方法。本文通過(guò)高能球磨獲得粉末,再結(jié)合快速熱壓技術(shù)制備Ge1-xInxTe(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)、Ge0.97In0.03Te1-ySy(y=0.05,0.1)和Ge1-zZnzTe(z=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)塊體熱電材料。當(dāng)x=0.03時(shí),Ge0.97In0.03Te具有最佳的熱電性能,在500℃附近其熱電優(yōu)值ZT達(dá)到了1.6;當(dāng)y=0.05時(shí),Ge0.97In0.03Te0.95S0.05材料的熱電優(yōu)值ZT在500℃附近達(dá)到了1.53;當(dāng)x=0.02時(shí),Ge0.98Zn0.02Te具有最佳的熱電性能,最高ZT為1.26。通過(guò)在三組GeTe基合金中摻雜,得到結(jié)論:(1)In元素引入占據(jù)了Ge空位,造成了晶格畸變,晶格常數(shù)發(fā)生了變化,導(dǎo)致材料的熱導(dǎo)率降低,同時(shí)提高了Seebeck系數(shù);(2)同時(shí)引入In、S兩種元素的樣品與只引入In元素的樣品相比較,電導(dǎo)率幾乎不變,熱導(dǎo)率稍有增大,而Seebeck系數(shù)略有下降,原因是引入S原子后,可能增加了Ge空位,載流子濃度增大,同時(shí)造成晶格缺陷,對(duì)載流子的散射作用增強(qiáng);(3)Zn元素引入量較小時(shí),樣品的電導(dǎo)率、Seebeck系數(shù)和熱導(dǎo)率變化很小;當(dāng)Zn摻雜量為5%時(shí),樣品的電導(dǎo)率、Seebeck系數(shù)和熱導(dǎo)率變化明顯。
【關(guān)鍵詞】:熱電性能 GeTe 高能球磨 熱導(dǎo)率
【學(xué)位授予單位】:西華大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類(lèi)號(hào)】:TB34
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-8
  • 第1章 前言8-28
  • 1.1 熱電學(xué)基本理論9-23
  • 1.1.1 熱電效應(yīng)9-12
  • 1.1.2 熱電器件主要性能參數(shù)12-15
  • 1.1.3 與熱電學(xué)參數(shù)相關(guān)的固體理論15-23
  • 1.2 熱電材料的研究進(jìn)展23-27
  • 1.2.1 半導(dǎo)體合金24
  • 1.2.2 金屬氧化物24-25
  • 1.2.3 Skutterudite25
  • 1.2.4 金屬合金固溶體25-26
  • 1.2.5 Half-Heusler化合物26
  • 1.2.6 Clathrate26
  • 1.2.7 低維熱電材料26-27
  • 1.3 本文的研究目的和意義27-28
  • 第2章 實(shí)驗(yàn)方法28-32
  • 2.1 實(shí)驗(yàn)材料28
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及步驟28-29
  • 2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備28
  • 2.2.2 實(shí)驗(yàn)步驟28-29
  • 2.3 熱電性能測(cè)試29-32
  • 2.3.1 熱導(dǎo)率測(cè)試29-30
  • 2.3.2 電學(xué)性能測(cè)試30-32
  • 第3章 Ge~(1-x)In_xTe材料的熱電性能及微觀結(jié)構(gòu)32-41
  • 3.1 Ge~(1-x)In_xTe材料的物相組成32-33
  • 3.2 Ge~(1-x)In_xTe材料的微觀結(jié)構(gòu)33
  • 3.3 Ge~(1-x)In_xTe材料的熱電性能33-37
  • 3.4 數(shù)據(jù)對(duì)比37-39
  • 3.5 本章小結(jié)39-41
  • 第4章 Ge~(1-x)In_xTe~(1-y)Sy材料的熱電性能及微觀結(jié)構(gòu)41-47
  • 4.1 Ge~(1-x)In_xTe~(1-y)S_y材料的微觀結(jié)構(gòu)41-42
  • 4.2 Ge~(1-x)In_xTe~(1-y)S_y材料的熱電性能42-46
  • 4.3 本章小結(jié)46-47
  • 第5章 Ge~(1-x)Zn_xTe材料的熱電性能及微觀結(jié)構(gòu)47-53
  • 5.1 Ge~(1-x)Zn_xTe材料的物相組成47-48
  • 5.2 Ge~(1-x)Zn_xTe材料的熱電性能48-52
  • 5.3 本章小結(jié)52-53
  • 結(jié)論53-54
  • 參考文獻(xiàn)54-58
  • 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表論文及科研成果58-59
  • 致謝59-60

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7 李奕l,

本文編號(hào):1029444



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