【摘要】：非晶硅薄膜是一種應(yīng)用廣泛的薄膜材料,特別是在太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域內(nèi),由于其襯底易獲取,制造工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本較低,且易于實(shí)現(xiàn)薄膜大面積沉積等諸多優(yōu)點(diǎn)而受到人們的極大關(guān)注,也使得目前非晶硅薄膜材料的研究成為了熱點(diǎn)之一。 本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法,以硅烷和氫氣作為反應(yīng)氣體,在普通玻璃載玻片上沉積出非晶硅薄膜。首先,通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)的方法對(duì)制備工藝進(jìn)行篩選,利用顯微激光拉曼光譜儀(Raman)、X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)等設(shè)備對(duì)制備出的非晶硅薄膜進(jìn)行測(cè)試分析,篩選出制備非晶硅薄膜的工藝參數(shù)。其次,以篩選出的工藝為基礎(chǔ)再進(jìn)行單因素實(shí)驗(yàn),分別研究不同襯底溫度、硅烷流量、射頻功率和兩極板間距離這四個(gè)因素對(duì)非晶硅薄膜成膜質(zhì)量的影響,獲得制備高質(zhì)量非晶硅薄膜的優(yōu)化工藝參數(shù)：襯底溫度300℃,硅烷氣體流量60SCCM,射頻功率150W,兩極板間距離25.0mm。最后,利用薄膜分析測(cè)試儀(NKD)和直流四探針?lè)治鰷y(cè)試儀對(duì)制備出的非晶硅薄膜的光電性質(zhì)進(jìn)行分析研究,研究不同因素對(duì)非晶硅薄膜光電性質(zhì)的影響,獲得應(yīng)用于非晶硅太陽(yáng)能電池的優(yōu)化工藝參數(shù)：襯底溫度300℃,硅烷氣體流量50SCCM,射頻功率75W,兩極板間距離25.0mm。
【圖文】：

圖3一234#的XRI〕衍射譜為了分析非晶硅薄膜的形貌特征，對(duì)34#還進(jìn)行了sEM測(cè)試，結(jié)果如圖3一3放大倍數(shù)為40000下進(jìn)行觀察，可以看出34“表面是由細(xì)小的不規(guī)則圓形顆粒所粒大小相近則薄膜均勻，而所制備樣品還是不夠均勻，出現(xiàn)了一些大型顆粒。測(cè)量可知這些小顆粒直徑大概為20nm左右，而大顆粒的直徑達(dá)到了1OOnln以

400500Ral，la，， 151，in(e，1，一，)圖3一 134#的Raman譜，刃r

本文編號(hào)：2575519