【摘要】： 本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,在常規(guī)反應(yīng)氣氛條件(H2:CH4:N2=500 sccm:60 sccm:1.8 sccm)下,引入二氧化碳(CO2)氣體,在(100)取向金剛石單晶襯底上同質(zhì)外延生長金剛石。研究了不同流量的CO2對(duì)樣品生長的影響。通入適量的CO2,樣品的生長速率從未通入CO2的45μm/h提高到70μm/h,生長面的粗糙度在CO2流量10 sccm降低到1.1 nm。表面生長臺(tái)階流動(dòng)方式也發(fā)生變化。光發(fā)射譜(OES)結(jié)果證明了CO2的引入改變了等離子體球內(nèi)各反應(yīng)基團(tuán)的比例,并進(jìn)一步影響了樣品的與氮相關(guān)的光致發(fā)光譜(PL)。
[Abstract]:In this paper, the microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) method was used to introduce carbon dioxide (CO2) gas under conventional reaction atmosphere (H2:CH4:N2=500 sccm:60 sccm:1.8 sccm) conditions. Diamond was grown on (100) oriented diamond substrate by homogeneous epitaxy. The effects of different flow rates of CO2 on the growth of samples were studied. The growth rate of CO2, samples was increased to 70 渭 m / h at 45 渭 m / h of CO2, and the roughness of growth surface was reduced to 1.1 nm. at CO2 flow rate of 10 sccm. The flow pattern of the surface growing step has also changed. The (OES) results showed that the introduction of CO2 changed the proportion of the reactive groups in the plasma sphere, and further affected the nitrogen-related photoluminescence spectrum (PL). Of the sample.
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號(hào)】：TQ164

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