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種子層及摻雜濃度對(duì)溶膠-凝膠法制備ZnO∶Al薄膜光電性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2018-08-01 17:46
【摘要】:本文采用溶膠-凝膠法以提拉的方式在普通玻璃基底上制備出n型摻雜具有優(yōu)良光電性能的氧化鋅摻鋁(AZO)薄膜,并以磁控濺射AZO薄膜為種子層引導(dǎo)液相法所制備AZO薄膜生長(zhǎng)。Al摻雜濃度區(qū)間為0.25at%~5.00at%。通過(guò)X射線衍射儀、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、輪廓儀、方塊電阻測(cè)試儀、霍爾效應(yīng)測(cè)試儀、紫外-可見(jiàn)-紅外分光光度計(jì)分別研究了薄膜物相、微觀結(jié)構(gòu)、膜厚及光電性能,進(jìn)一步分析了Al摻雜濃度、種子層對(duì)薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明:經(jīng)10次提拉所制備薄膜可見(jiàn)光透過(guò)率85%以上。Al摻雜濃度、種子層的引入對(duì)AZO薄膜的光電性能有重要影響。無(wú)種子層時(shí),摻雜濃度為0.50at%的AZO薄膜在5%H2、95%N2還原氣氛下于550℃保溫60 min得到最優(yōu)電學(xué)性能,方塊電阻約為166Ω/□,電阻率約為1.99×10-3Ω·cm;預(yù)鍍AZO種子層所制備薄膜方塊電阻下降到約42Ω/□,電阻率下降到約7.56×10-4Ω·cm。
[Abstract]:In this paper, a sol-gel method is used to prepare n doped aluminum (AZO) doped aluminum (AZO) thin film with excellent photoelectric properties on the ordinary glass substrate, and the.Al doping concentration range of the AZO film is prepared by the magnetron sputtering AZO film as the seed layer guided liquid phase method. The field emission scanning is passed by the X ray diffractometer through the X ray diffractometer. Electron microscopy, profilometer, block resistance tester, Holzer effect tester, ultraviolet visible infrared spectrophotometer respectively studied the phase, microstructure, film thickness and photoelectrical properties of the film, and further analyzed the Al doping concentration and the effect of the seed layer on the photoelectric properties of the film. The results showed that the visible light transmission of the film was prepared by 10 times. The introduction of seed layer has an important effect on the photoelectric properties of AZO film. When no seed layer is seedless, the AZO film with the doping concentration of 0.50at% is optimum electrical properties in 5%H2,95%N2 reduction atmosphere at 550 C and 60 min, the resistance of the block is about 1.99 * 10-3 Omega cm, the resistance rate is about 1.99 * 10-3 Omega cm, and the pre plated AZO seed layer is made. The film resistance of the film is reduced to about 42 ohm / cm., and the resistivity decreases to about 7.56 * 10-4 ohm.
【作者單位】: 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院浮法玻璃新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家“973”計(jì)劃(2012CB724608) 安徽省自然科學(xué)基金(1408085MKL67) 安徽省科技攻關(guān)計(jì)劃項(xiàng)目(1301021015)
【分類號(hào)】:O484.4

【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2158356

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