發(fā)布時間：2018-05-27 08:30

  本文選題：Ⅲ族氮化物 + 化學(xué)氣相沉積��； 參考：《新疆大學(xué)》2011年碩士論文

【摘要】：本文主要研究了化學(xué)氣相沉積法合成Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體納米材料。合成了獨(dú)立自支撐的一維AlN納米柱陣列,并在AlN納米柱陣列上生長包覆了GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu);生長了InN納米結(jié)構(gòu),合成了Sn摻雜的InN納米結(jié)構(gòu)。 用兩步法生長氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)的異質(zhì)結(jié)。第一步,以無水AlCl_3和NH_3氣為源,利用做石墨襯底,制備了獨(dú)立自支撐的一維AlN納米柱陣列;第二步,以Ga金屬和NH_3氣為源,在已生成的AlN納米柱陣列上包覆生長GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。分析顯示,AlN納米棒為單晶六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),GaN包覆結(jié)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。用掃描電鏡(SEM)測試研究了異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形貌。用高分辨透射電鏡(HRTEM)研究了異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長方向。用光致發(fā)光譜(PL)研究了異質(zhì)結(jié)構(gòu)的的發(fā)光特性。 以In_2O_3和NH_3氣為源,在原位生長InN納米結(jié)構(gòu)。將Sn粉和In_2O_3以1:10~1:5的比例為前驅(qū)物,以NH_3氣為反應(yīng)氣體,制備了Sn摻雜的InN納米結(jié)構(gòu)。用X射線衍射(XRD)、X射線能量散射譜(EDS)、X-射線熒光光譜(XRF)、SEM、PL等多種表征手段分析產(chǎn)物結(jié)構(gòu)和特性。 用AlCl_3和NH_3氣為源制備了自支撐的AlN納米花狀結(jié)構(gòu),用XRD、SEM、PL對結(jié)構(gòu)和特性進(jìn)行了表征。 本論文采用的合成路線方法簡單,對InN納米結(jié)構(gòu)的摻雜和AlN/GaN納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長做了研究,提供了簡單制備Ⅲ族氮化物納米材料的方法。
[Abstract]:In this paper, the synthesis of group 鈪，

本文編號：1941257