本文選題：碳納米管薄膜 + 金屬型�。� 參考：《科學(xué)通報(bào)》2016年21期

【摘要】：正與現(xiàn)有的薄膜晶體管技術(shù)相比,碳納米管薄膜晶體管(CNT-TFT)具有載流子遷移率高、穩(wěn)定性好、加工溫度低、工藝過程簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì),因而被認(rèn)為在顯示驅(qū)動(dòng)背板、柔性電子器件及傳感器等方面具有廣泛的實(shí)用前景.通常CNT-TFT的制備多是采用CNT溶液沉積法,在基底上得到的是無序的網(wǎng)絡(luò)狀薄膜,存在大量的CNT交叉結(jié).受CNT材料制備的限制,溶液中通常含有一定比例的金屬型CNT,從而有可能形成連接源漏電極的金屬
[Abstract]:Compared with the existing thin-film transistor technology, CNT-TFTs have the advantages of high carrier mobility, good stability, low processing temperature and simple process, so CNT-TFTs are considered to be in the display drive backplane. Flexible electronic devices and sensors have a wide range of practical prospects. The preparation of CNT-TFT is usually by CNT solution deposition, and on the substrate, there are a large number of CNT cross-junctions. Limited by the preparation of CNT materials, the solution usually contains a certain proportion of metal CNTs, which may form the metal connected to the source leakage electrode.
【作者單位】： 北京大學(xué)納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN321.5

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10 趙青靚;劉e，

本文編號(hào)：1930112