本文選題：氧化鎳薄膜 + 溶膠-凝膠��； 參考：《長春理工大學(xué)》2011年碩士論文

【摘要】：氧化鎳是具有典型的3d電子結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體,是一種p型半導(dǎo)體材料,禁帶寬度是在3.6～4.0eV之間。因?yàn)檠趸嚤∧ぞ哂袃?yōu)良的光電特性,而被廣泛應(yīng)用于紫外探測器,電致變色器件,電池電極及電化學(xué)電容器等領(lǐng)域。 氧化鎳薄膜的制備方法有：磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、脈沖激光沉積等。這些方法設(shè)備昂貴,技術(shù)較復(fù)雜,不易于大面積的薄膜制備。目前發(fā)展的溶膠-凝膠法則成本低廉、工藝簡單、成分均勻,適用于多元摻雜薄膜的制備。 本論文采用溶膠-凝膠法,用不同濃度的溶液,在不同熱處理溫度下制備了多組NiO薄膜。為了調(diào)節(jié)NiO薄膜的禁帶寬度,使其更好的應(yīng)用于紫外探測器領(lǐng)域,還制備了摻Mg的NiO薄膜,并采用紫外-可見(UV-VIS)分光光度計(jì),X射線衍射儀(XRD),原子力顯微鏡對所得薄膜進(jìn)行測試,研究了薄膜的結(jié)構(gòu),光學(xué),表面形貌等特性。
[Abstract]:Nickel oxide is a typical oxide semiconductor with 3D electronic structure. It is a p-type semiconductor material and its band gap is between 3.6~4.0eV. Nickel oxide thin films are widely used in ultraviolet detectors, electrochromic devices, battery electrodes and electrochemical capacitors because of their excellent photoelectric properties. The preparation methods include magnetron sputtering, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, pulsed laser deposition and so on. These methods are expensive in equipment, complex in technology and difficult to prepare large-area thin-film. The developed sol-gel rule is simple in cost, uniform in composition and suitable for the preparation of multicomponent doped films. In this paper, NiO thin films were prepared by sol-gel method with different concentrations of solution at different heat treatment temperatures. In order to adjust the band gap of NiO thin films and make them better used in the field of ultraviolet detectors, mg doped NiO thin films were prepared. The films were measured by UV-Vis spectrophotometer and X-ray diffractometer, and atomic force microscopy (AFM) was used to test the films. The structure, optics and surface morphology of the films were studied.
【學(xué)位授予單位】：長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1860926