本文選題：等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積 + 氧化硅薄膜　； 參考：《儀表技術(shù)與傳感器》2016年04期

【摘要】：以SH_4和O_2作為反應(yīng)氣體,利用電感耦合等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(ICPECVD)技術(shù)制備了氧化硅薄膜,通過正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法研究了反應(yīng)室壓強(qiáng)、襯底溫度和射頻功率3個(gè)關(guān)鍵工藝參數(shù)對氧化硅薄膜淀積速率的影響及其顯著性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:反應(yīng)室壓強(qiáng)和射頻功率對淀積速率的影響具有高度顯著性,各參數(shù)對刻蝕速率的影響程度依次為反應(yīng)室壓強(qiáng)射頻功率襯底溫度,并討論了所選參數(shù)對淀積速率的影響機(jī)理。
[Abstract]:Silicon oxide thin films were prepared by inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (ICP-ECVD) using SH_4 and O _ 2 as reaction gases. The pressure of the reaction chamber was studied by orthogonal design. The effects of substrate temperature and RF power on the deposition rate of silicon oxide thin films were investigated. The experimental results show that the influence of the reaction chamber pressure and RF power on the deposition rate is highly significant, and the influence of each parameter on the etching rate is in turn the substrate temperature of the reactive chamber pressure RF power substrate. The influence mechanism of the selected parameters on the deposition rate is also discussed.
【作者單位】： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室電子測試技術(shù)國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家杰出青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51425505)
【分類號】：TN304.055

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本文編號：1807730