本文選題：化學氧化聚合法　切入點：聚噻吩　出處：《太原理工大學學報》2017年04期

【摘要】：采用化學氧化聚合法,以氯仿為溶劑、無水氯化鐵為氧化劑,制得了聚噻吩樣品,使用傅里葉變換紅外光譜儀、紫外可見漫反射光譜儀和高阻計對樣品結構和電導率進行了分析測試,考察了噻吩濃度(0.05~0.20mol/L)、反應時間(1~12h)、反應溫度(-32~0℃)、氧化劑與噻吩摩爾比(2~5)、后處理方式對聚噻吩樣品電導率的影響。研究表明:上述條件均會影響聚噻吩的聚合程度和連接方式,進而影響其電導率。當噻吩濃度由0.05mol/L增至0.20mol/L時,樣品電導率從10~(-13) S/m降至10~(-8) S/m;反應時間為3h所得樣品的電導率最大,為10~(-10) S/m;當反應溫度在0~-32℃時,其電導率均在10~(-13) S/m數量級;氧化劑與噻吩摩爾比n(FeCl_3)/n(Th)的增大會使其電導率增加(10~(-13)~10~(-10) S/m);反應結束后直接對反應物進行過濾洗滌得到的樣品比室溫揮發(fā)完溶劑再洗滌得到樣品的電導率高五個數量級。綜合聚噻吩的電導率和原料成本,選定噻吩濃度為0.10mol/L、反應時間為3h、反應溫度為0℃、n(FeCl_3)/n(Th)=2,對反應物直接過濾洗滌為最佳制備條件,該條件下所得聚噻吩樣品的電導率高達2.49×10~(-8) S/m。
[Abstract]:Polythiophene samples were prepared by chemical oxidation polymerization with chloroform as solvent and anhydrous ferric chloride as oxidant.The structure and conductivity of the samples were analyzed and tested by UV-Vis diffuse reflectance spectrometer and high resistive meter.The effects of thiophene concentration of 0. 05 ~ 0. 20 mol / L ~ (-1), reaction time of 1 ~ 12 h ~ (-1), reaction temperature of ~ 32 ~ 0 鈩，

本文編號：1717060