化學(xué)氧化法制備條件對(duì)聚噻吩導(dǎo)電性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2018-04-06 00:04
本文選題:化學(xué)氧化聚合法 切入點(diǎn):聚噻吩 出處:《太原理工大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年04期
【摘要】:采用化學(xué)氧化聚合法,以氯仿為溶劑、無(wú)水氯化鐵為氧化劑,制得了聚噻吩樣品,使用傅里葉變換紅外光譜儀、紫外可見(jiàn)漫反射光譜儀和高阻計(jì)對(duì)樣品結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率進(jìn)行了分析測(cè)試,考察了噻吩濃度(0.05~0.20mol/L)、反應(yīng)時(shí)間(1~12h)、反應(yīng)溫度(-32~0℃)、氧化劑與噻吩摩爾比(2~5)、后處理方式對(duì)聚噻吩樣品電導(dǎo)率的影響。研究表明:上述條件均會(huì)影響聚噻吩的聚合程度和連接方式,進(jìn)而影響其電導(dǎo)率。當(dāng)噻吩濃度由0.05mol/L增至0.20mol/L時(shí),樣品電導(dǎo)率從10~(-13) S/m降至10~(-8) S/m;反應(yīng)時(shí)間為3h所得樣品的電導(dǎo)率最大,為10~(-10) S/m;當(dāng)反應(yīng)溫度在0~-32℃時(shí),其電導(dǎo)率均在10~(-13) S/m數(shù)量級(jí);氧化劑與噻吩摩爾比n(FeCl_3)/n(Th)的增大會(huì)使其電導(dǎo)率增加(10~(-13)~10~(-10) S/m);反應(yīng)結(jié)束后直接對(duì)反應(yīng)物進(jìn)行過(guò)濾洗滌得到的樣品比室溫?fù)]發(fā)完溶劑再洗滌得到樣品的電導(dǎo)率高五個(gè)數(shù)量級(jí)。綜合聚噻吩的電導(dǎo)率和原料成本,選定噻吩濃度為0.10mol/L、反應(yīng)時(shí)間為3h、反應(yīng)溫度為0℃、n(FeCl_3)/n(Th)=2,對(duì)反應(yīng)物直接過(guò)濾洗滌為最佳制備條件,該條件下所得聚噻吩樣品的電導(dǎo)率高達(dá)2.49×10~(-8) S/m。
[Abstract]:Polythiophene samples were prepared by chemical oxidation polymerization with chloroform as solvent and anhydrous ferric chloride as oxidant.The structure and conductivity of the samples were analyzed and tested by UV-Vis diffuse reflectance spectrometer and high resistive meter.The effects of thiophene concentration of 0. 05 ~ 0. 20 mol / L ~ (-1), reaction time of 1 ~ 12 h ~ (-1), reaction temperature of ~ 32 ~ 0 鈩,
本文編號(hào):1717060
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