本文關鍵詞： 鈷 氧化鈷 氮化鋁 薄層 化學氣相沉積　出處：《清華大學》2011年碩士論文　論文類型：學位論文

【摘要】：本研究的背景為稀磁半導體薄膜的制作，共分兩個部分。前一部分是關于生成的氧化鈷及鈷膜的形貌和性能，而后一部分則是關于氮化鋁和鈷復合膜的結(jié)構與性能的研究。兩個部分材料的制作都是采用化學氣相沉積法進行。 在第一部分實驗中，鈷及氧化鈷的納米晶體以水化硝酸鈷（Co(NO_3)_26H_2O）為原料，，通過化學氣相沉積法沉積到硅基板上。掃描電鏡（SEM）和透射電鏡（TEM）的觀察顯示，合成溫度不同，得到的膜顯示不同的表面形態(tài)。如連續(xù)薄膜，納米棒，納米丁等。另外還利用X射線衍射，拉曼光譜，和VSM進行了膜的結(jié)構與性能的分析。 在第二部分的實驗中，合成了氮化鋁及鈷的復合膜。同樣采用化學氣相沉積法，以鋁及鈷硅從Al和水化硝酸鈷（Co(NO_3)26H_2O）為原料，單晶硅為基板。XRD，SEM和VSM的結(jié)果表明，表面形態(tài)的不同會導致磁化強度改變。在這部分研究工作中成功地用TEM觀察到了氮化鋁的納米線結(jié)構。鈷的粒子則分布在氮化鋁的納米線中。這個結(jié)果表明所合成的氮化鋁和鈷在納米尺度是完全分離的一種復合結(jié)構。
[Abstract]:The background of this study is the fabrication of thin magnetic semiconductor thin films , which are divided into two parts . The former part is about the morphology and properties of the cobalt oxide and cobalt films generated . The latter part is the research on the structure and properties of the aluminum nitride and cobalt composite films . Both of these materials are made by chemical vapor deposition . In the first experiment , cobalt and cobalt oxide nanocrystals were prepared by chemical vapor deposition ( XRD ) , Raman spectroscopy ( SEM ) and transmission electron microscopy ( TEM ) . The structures and properties of the films were analyzed by X - ray diffraction , Raman spectroscopy and TEM . In the experiment of the second part , the composite films of aluminum nitride and cobalt were synthesized . The results showed that Al and Co ( NO _ 3 ) 26H _ 2O were used as the raw materials and single crystal silicon as the substrate . The results of XRD , SEM and VSMs show that the different surface morphology results in the change of magnetization intensity . In this part of the research , the structure of the nanowires of aluminum nitride has been observed successfully . The results show that the synthesized aluminum nitride and cobalt are completely separated in the nano - scale .

【學位授予單位】：清華大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2011
【分類號】：TB383.2

【共引文獻】

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本文編號：1538843