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工藝參數(shù)對(duì)直流磁控濺射法制備氧化鋁薄膜的試驗(yàn)研究

發(fā)布時(shí)間:2018-01-30 02:36

  本文關(guān)鍵詞: 直流磁控濺射 氧化鋁薄膜 沉積速率 正交試驗(yàn) 非晶態(tài) 出處:《制造技術(shù)與機(jī)床》2017年03期  論文類型:期刊論文


【摘要】:采用直流磁控濺射法在載玻片和不銹鋼基底上制備某設(shè)計(jì)要求的氧化鋁薄膜,首先采用單因素法分別分析濺射功率、氧氣流量、工作壓強(qiáng)、負(fù)偏壓及本底真空度等制備參數(shù)對(duì)薄膜沉積速率的影響;在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)正交試驗(yàn),研究優(yōu)化范圍內(nèi)濺射功率、氧氣流量、工作壓強(qiáng)對(duì)沉積速率的影響,并進(jìn)行極差與方差分析。結(jié)果表明,在一定工藝參數(shù)范圍內(nèi),隨著濺射功率的增加,薄膜的沉積速率不斷增大;氧氣流量增加時(shí)薄膜的沉積速率不斷下降;隨著工作壓強(qiáng)的增大,薄膜的沉積速率先增大后減小,在1.0 Pa時(shí)達(dá)到最大速率;加載的負(fù)偏壓增加時(shí),薄膜的沉積速率不斷降低;本底真空度提高時(shí)薄膜的沉積速率不斷增大;通過使用XRD衍射儀對(duì)制備的薄膜進(jìn)行物相檢測,研究結(jié)果表明,常溫下不同氧氣流量制備的氧化鋁薄膜均為非晶態(tài);獲取了制備所需薄膜的較優(yōu)的制備工藝。
[Abstract]:Aluminum oxide thin films were prepared on glass slide and stainless steel substrate by DC magnetron sputtering. Firstly, the sputtering power, oxygen flow rate and working pressure were analyzed by single factor method. The influence of negative bias voltage and background vacuum on the deposition rate of films; On this basis, orthogonal experiments were designed to study the effects of sputtering power, oxygen flow rate and working pressure on deposition rate in the optimized range, and the range and variance analysis were carried out. The results showed that the influence of sputtering power, oxygen flow rate and working pressure on deposition rate was within a certain range of technological parameters. The deposition rate of the films increases with the increase of sputtering power. The deposition rate of the films decreases with the increase of oxygen flow rate. With the increase of the working pressure, the deposition rate of the film first increases and then decreases, and reaches the maximum rate at 1.0 Pa. The deposition rate of the film decreases with the increase of negative bias voltage. The deposition rate of the film increases with the increase of background vacuum. By using XRD diffractometer to detect the phase of the films, the results show that the alumina films prepared with different oxygen flow rate are amorphous at room temperature. The optimal preparation process of the required films was obtained.
【作者單位】: 中北大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院;
【基金】:山西省國際科技合作項(xiàng)目(2015081018)
【分類號(hào)】:TQ133.1;TB383.2
【正文快照】: 氧化鋁薄膜因其有高的介電常數(shù)、高的熱導(dǎo)率、高硬度,機(jī)械強(qiáng)度及耐腐蝕性強(qiáng),化學(xué)惰性好,是一種非常重要的功能薄膜材料,它特別適合在薄膜傳感器制備工藝中用于制作合金薄膜與金屬基底的絕緣層[1-2]。目前需要設(shè)計(jì)一種薄膜傳感器,其中傳感器氧化鋁絕緣層的設(shè)計(jì)要求見本課題組成

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本文編號(hào):1475053

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