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雙層石墨烯的化學氣相沉積法制備及其光電器件

發(fā)布時間:2018-01-29 00:58

  本文關鍵詞: 雙層石墨烯 化學氣相沉積法 器件 生長機理 出處:《物理學報》2017年21期  論文類型:期刊論文


【摘要】:石墨烯是一種具有優(yōu)異性質,在光電及能源領域具有巨大應用前景的二維材料.盡管單層石墨烯具有超高的遷移率,但是它的能帶結構具有狄拉克錐(K點),即價帶和導帶并未有明顯分離,所以在半導體器件方面的應用受到一定的限制.由雙層石墨烯搭建而成的雙門器件,在施加外加電場的情況下,它的帶隙可以打開,并在一定范圍內可調,這種性質賦予了雙層石墨烯在半導體器件應用方面的前景.然而機械或者液相剝離石墨烯,在層數和大小方面可控性較差.如何通過化學氣相沉積法可控制備雙層石墨烯是目前研究的核心問題之一.本文主要綜述了如何通過化學氣相沉積法制備雙層石墨烯和制備雙層石墨烯器件的一系列工作,其中包括最新的研究進展,對生長機理的研究做了詳細的介紹和討論,并對該領域的發(fā)展進行了展望.
[Abstract]:Graphene is a two-dimensional material with excellent properties and potential applications in the fields of photoelectricity and energy. Although the monolayer graphene has high mobility, its energy band structure has Dirac cone K point. That is, there is no obvious separation of valence band and conduction band, so the application of semiconductor devices is limited to a certain extent. Its band gap can be opened and adjustable to a certain extent, which gives the application of double layer graphene in semiconductor devices the prospect. However, mechanical or liquid phase exfoliation of graphene. The preparation of bilayer graphene by chemical vapor deposition (CVD) is one of the core problems. This paper reviews how to prepare bilayer by chemical vapor deposition (CVD). A series of work on ink and preparation of bilayer graphene devices. Including the latest research progress, the research of growth mechanism is introduced and discussed in detail, and the development of this field is prospected.
【作者單位】: 中國科學院化學研究所北京分子科學國家實驗室中國科學院有機固體重點實驗室;中國科學院大學;
【基金】:國家自然科學基金(批準號:21633012,21273243,51233006,61390500) 國家重點研發(fā)計劃(批準號:2016YFA0200101) 國家重點基礎研究發(fā)展計劃(批準號:2013CB933500,2013CBA01602) 北京市科技計劃(批準號:Z161100002116025) 中國科學院先導專項B類項目(批準號:XDB12030100)資助的課題~~
【分類號】:O613.71
【正文快照】: 1引言石墨烯是當前材料世界中的明星.由于其優(yōu)異的性質,在復合材料、傳感、高性能電子器件、柔性器件等領域具有潛在的應用前景.可控制備高質量的石墨烯材料是其應用的瓶頸問題之一,也是當前研究的熱點.在各種制備石墨烯的方法中,機械剝離法(mechanical exfoliation)可以獲得

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本文編號:1472050

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