隨著晶體管在物理材料、能耗、性能以及經(jīng)濟方面的限制,摩爾定律正在受到挑戰(zhàn)。為了延續(xù)摩爾定律,人們提出了許多思路,其中之一是尋找尺寸更小的器件,用以代替CMOS晶體管。50年前Chua提出了憶阻器的定義,然而直到2008年才發(fā)現(xiàn)了首個憶阻器。憶阻器是一種納米記憶器件,具有兩種（或多種）不同的阻值狀態(tài)RON和ROFF（對應二值邏輯狀態(tài)“1”和“0”）�；趹涀杵鞯姆且资Ш投堤匦�,既可以設計新型的非易失存儲器,也可以設計新型的邏輯運算電路,還可以實現(xiàn)存儲和運算一體化的新型計算機體系結構。本文主要研究憶阻器基本邏輯門及組合邏輯電路的設計,主要內(nèi)容如下:（1）基于憶阻器的基本理論,對HP憶阻器線性漂移模型以及通用模型展開研究。通過LTSPICE仿真,測試不同理論模型在實際電路中的特性,為組合邏輯電路設計尋找最理想的憶阻器模型。（2）研究基于憶阻器的蘊含邏輯（IMPLY）,給出了基于蘊含邏輯的基礎門電路以及解決扇出問題的方法,并以此構建了“異/同或”門。研究輔助邏輯（MAGIC）,給出了基于輔助邏輯的基本門電路。研究比例邏輯（MRL）,基于比例邏輯基礎門電路,設計了“異或”門,并根據(jù)該“異或”門... 

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

四個電路變量之間的數(shù)學關系

Biolek憶阻器模型在不同參數(shù)下的滯回曲線仿真圖

Biolek憶阻器模型在輸入信號為15HZ時的I-V曲線仿真圖


本文編號：3672692