隨著0.18微米邏輯集成電路工藝技術(shù)的成熟,缺陷成為影響良率的主要因素,為了提高公司產(chǎn)品的競爭力,需建立有效的缺陷檢測方法。在集成電路制造中,硅和多晶硅蝕刻是實現(xiàn)淺溝道隔離技術(shù)和定義晶體管柵極的重要制程,蝕刻后產(chǎn)生的硅殘留和多晶硅殘留這兩種關(guān)鍵缺陷通常會導(dǎo)致器件功能失效,因此對硅和多晶硅蝕刻后缺陷檢測方法的研究顯得很有必要�，F(xiàn)階段在硅和多晶硅蝕刻后缺陷檢測中遇到的問題主要有兩個,一是發(fā)生平均良率降低時,良率損失與為了防止其發(fā)生而統(tǒng)計的關(guān)鍵缺陷基準(zhǔn)值出現(xiàn)不匹配現(xiàn)象,分析該現(xiàn)象發(fā)生的原因是由于在硅和多晶硅蝕刻后的亮場掃描中干擾信息過多,導(dǎo)致關(guān)鍵缺陷基準(zhǔn)值的統(tǒng)計不準(zhǔn)確。針對這一問題,本文通過調(diào)整掃描程式參數(shù),運用缺陷自動分類篩選,運用邊界比較光學(xué)模式的方法來優(yōu)化亮場缺陷掃描程式以分離干擾缺陷,通過實驗對上述方法進(jìn)行可行性分析和可靠性測試,結(jié)果表明硅蝕刻后的亮場掃描程式運用缺陷自動分類篩選法,多晶硅蝕刻后的亮場掃描程式運用邊界比較模式可以在保持對關(guān)鍵缺陷敏感度的同時過濾干擾缺陷。將優(yōu)化后的亮場掃描程式運用于生產(chǎn),改善了良率損失與關(guān)鍵缺陷基準(zhǔn)值不匹配的問題,有效的防止平均良率降低現(xiàn)象的發(fā)生。二是... 

【文章來源】：上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 引言
    1.1 集成電路的應(yīng)用和發(fā)展
    1.2 良率對集成電路制造的重要意義
    1.3 良率和缺陷的關(guān)系
    1.4 缺陷檢測技術(shù)的發(fā)展
    1.5 現(xiàn)階段缺陷檢測遇到的問題
    1.6 研究方法和難點
第二章 缺陷檢測相關(guān)工藝技術(shù)
    2.1 缺陷檢測系統(tǒng)簡介
    2.2 缺陷掃描機臺
        2.2.1 亮場機臺簡介
        2.2.2 暗場機臺簡介
    2.3 缺陷可視化機臺簡介
    2.4 硅和多晶硅蝕刻工藝及常見缺陷
    2.5 小結(jié)
第三章 平均良率降低的改善
    3.1 不匹配現(xiàn)象的原因及改善方法
    3.2 硅和多晶硅蝕刻后缺陷檢測中KLA掃描程式的優(yōu)化
        3.2.1 閾值，尺寸篩分，光斑類型對KLA掃描程式的影響
        3.2.2 焦距對KLA掃描程式的影響
        3.2.3 缺陷自動分類篩選法
        3.2.4 邊界比較模式
    3.3 平均良率降低現(xiàn)象的改善
    3.4 小結(jié)
第四章 部分產(chǎn)品良率過低的改善
    4.1 部分產(chǎn)品良率過低的原因及改善方法
    4.2 硅和多晶硅蝕刻后缺陷檢測產(chǎn)能的改善
        4.2.1 暗場機臺入射光斑的選擇
        4.2.2 AIT掃描程式參數(shù)的研究
        4.2.3 Compass掃描程式參數(shù)的研究
        4.2.4 AIT和Compass掃描程式的比較及可靠性分析
        4.2.5 缺陷檢測流程的優(yōu)化
    4.3 缺陷檢測中抽樣模式的優(yōu)化
        4.3.1 對按照機臺生產(chǎn)數(shù)量取樣的分析
        4.3.2 對按照機臺生產(chǎn)時間取樣的分析
        4.3.3 對按機臺狀態(tài)的變化抽樣的研究
    4.4 部分產(chǎn)品良率過低的改善
    4.5 小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間已發(fā)表或錄用的論文



本文編號：3347392