鋁電解槽內(nèi)電解質(zhì)中氧化鋁的濃度,是維持鋁電解槽正常生產(chǎn)最重要的參數(shù)之一,而目前氧化鋁濃度辨識(shí)所采用的信號(hào)為激勵(lì)信號(hào),其響應(yīng)速度較慢,滯后性較強(qiáng),辨識(shí)結(jié)果容易受電流、分子比、溫度、噪聲等干擾因素的影響,這些辨識(shí)過(guò)程的不穩(wěn)定性對(duì)電解槽的穩(wěn)定造成了較大的影響。初晶溫度對(duì)于鋁電解過(guò)程是極其重要的參數(shù),而且對(duì)于鋁電解過(guò)程中氧化鋁濃度的監(jiān)視,也主要體現(xiàn)在對(duì)電解質(zhì)初晶溫度的監(jiān)測(cè)方面,它反映了電解槽中電解質(zhì)的揮發(fā)性、流動(dòng)性等性能,而且掌握初晶溫度信息對(duì)提高鋁電解過(guò)程中電流效率、降低能耗、電解槽控制有積極意義。因此,初晶溫度是鋁電解生產(chǎn)工藝不可或缺的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)和參數(shù),初晶溫度的研究是展開(kāi)低溫電解工藝、開(kāi)發(fā)新型節(jié)能降耗電解裝備等綠色環(huán)保生產(chǎn)研究的重要前提之一。在通過(guò)調(diào)查研究和大量的文獻(xiàn)閱讀基礎(chǔ)上,本文以軟硬件相結(jié)合設(shè)計(jì)的方法,對(duì)初晶溫度的測(cè)量方法進(jìn)行了研究,從而達(dá)到對(duì)氧化鋁濃度的監(jiān)視,同時(shí)對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中遇到的問(wèn)題提出了相應(yīng)的解決方案,最終是以實(shí)現(xiàn)合理控制鋁電解過(guò)程中氧化鋁的加料為目的。論文主要工作如下:1、提出基于電解質(zhì)溫度的測(cè)量與采集方法,設(shè)計(jì)溫度的檢測(cè)系統(tǒng)方案,并且詳細(xì)論證了方案的可行性。2、在硬件設(shè)... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：92 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

Bi-Cd體系冷卻曲線(xiàn)

圖 2-2 8051 引腳圖1、Vcc 和 VssVcc：接+5V 電源Vss：接電源地2、時(shí)鐘電路引腳 X1 和 X2X1：接外部晶體的一端。反相放大器的輸入端，該引腳必須接地；對(duì)于 CHMOS單片機(jī)，該引腳懸空。X2：接外部晶體的別一端。3、輸入/輸出（I/O）引腳 P0、P1、P2 和 P3P0.0~P0.7：P0 口是 8 位雙向 I/O 端口，作為各個(gè)芯片的數(shù)據(jù)/地址線(xiàn)。P1.0~P1.7：P1 口是 8 位雙向 I/O 端口，可以驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) LSTTL 負(fù)載。P2.0~P2.7：P2 口是 8 位準(zhǔn)雙向 I/O 端口，作為各擴(kuò)展芯片的高 8 位地址線(xiàn)和控制線(xiàn)使用。

鋁電解槽控制系統(tǒng)，是本著控制功能分散與決策管理集中的原則進(jìn)行設(shè)計(jì)三級(jí)網(wǎng)絡(luò)式控制和決策管理相結(jié)合的結(jié)構(gòu)形式。系統(tǒng)分為過(guò)程控制級(jí)、級(jí)，過(guò)程管理監(jiān)控級(jí)。將系列數(shù)據(jù)采集、過(guò)程監(jiān)控和生產(chǎn)管理有機(jī)地結(jié)制系統(tǒng)具有可靠性高、適應(yīng)性強(qiáng)和靈活方便等特點(diǎn)。系統(tǒng)配置方案如后圖。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3286095