采用瞬態(tài)數(shù)值模型模擬鎵原料在不同冷端溫度（T_c）下的軸向結(jié)晶提純（ADCP）過程,分析熔晶界面形狀、溫度分布和熱應(yīng)力的變化。結(jié)果表明:在ADCP過程中,T_c決定鎵材料內(nèi)部的熔晶界面形狀、溫度分布和熱應(yīng)力。生長的鎵晶體中溫度梯度和熱應(yīng)力隨著T_c的降低而增大。在T_c=15℃時,熔晶界面呈現(xiàn)平面或略凸的形狀,可為鎵材料提供理想的溫度梯度、較低熱應(yīng)力、合適的熔晶界面和理想的雜質(zhì)去除效率。采用ADCP工藝在T_c=15℃條件下重復(fù)6次,鎵純度可達到6N標準。計算數(shù)據(jù)與實驗數(shù)據(jù)吻合較好。 

【文章來源】：Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2020,30(12)EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：13 頁


本文編號：3196978