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稀土電解過(guò)程中氧化釹顆粒在不同工況下運(yùn)動(dòng)軌跡分析研究

發(fā)布時(shí)間:2021-02-24 12:14
  借助3kA稀土電解槽,通過(guò)搭建稀土電解槽電解過(guò)程的流場(chǎng)分布模型和DPM離散相模型,仿真模擬了氧化釹的下料,通過(guò)改變電極插入的深度來(lái)探究顆粒的運(yùn)動(dòng)過(guò)程。研究發(fā)現(xiàn):當(dāng)臨界粒徑處于合理范圍內(nèi)時(shí),隨電極插入深度的增大,氧化釹顆粒臨界粒徑也相應(yīng)增大,顆粒的運(yùn)動(dòng)距離也會(huì)相應(yīng)增大,但在這個(gè)范圍內(nèi)顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡相似。當(dāng)電極插入深度為220mm、且控制臨界粒徑為0.8mm,最有利于電解的進(jìn)行,且此時(shí)為控制結(jié)瘤物的生成的最優(yōu)條件;同時(shí),還發(fā)現(xiàn)在兩電極中間位置下料最佳。進(jìn)行此研究可為電解槽內(nèi)減少雜質(zhì)形成提供很好建議,進(jìn)而為控制結(jié)瘤提供理論指導(dǎo)和技術(shù)幫助。 

【文章來(lái)源】:中國(guó)鑄造裝備與技術(shù). 2020,55(06)

【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)

【部分圖文】:

稀土電解過(guò)程中氧化釹顆粒在不同工況下運(yùn)動(dòng)軌跡分析研究


電解槽示意圖

分析圖,分析圖,顆粒,受力


氧化釹顆粒受力分析圖

云圖,流場(chǎng),云圖,電極


分析圖3的流場(chǎng)云圖可知,在電解過(guò)程中當(dāng)電極的插入深度由150mm不斷增加時(shí),相應(yīng)的會(huì)有陽(yáng)極氣體不斷產(chǎn)生并冒出,具體表現(xiàn)為在橫向表面上相應(yīng)延長(zhǎng),兩極之間的旋渦下移。氣體的運(yùn)動(dòng)也會(huì)導(dǎo)致電解槽內(nèi)電解質(zhì)的流動(dòng)區(qū)域相應(yīng)變廣,表現(xiàn)在流場(chǎng)里就是使得流場(chǎng)的擾動(dòng)不斷增強(qiáng),隨著電解的進(jìn)行,相應(yīng)的變化可加速顆粒熔解,這樣就可使得氧化釹顆粒在電解質(zhì)中及時(shí)熔解,避免了其來(lái)不及熔解就沉入電解槽底部形成渣,很好的解決了過(guò)程中的造渣難題,進(jìn)一步提高原料利用率和電解效率。不斷下插陰極致其深度超過(guò)220mm時(shí),兩極之間的漩渦不斷下降,此時(shí)流場(chǎng)運(yùn)動(dòng)不斷增強(qiáng),導(dǎo)致金屬釹的純度降低。綜上,電極最優(yōu)插入深度為220mm,此時(shí)原料利用率和電解效率最高。2.2 顆粒軌跡的模擬研究

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
[1]稀土電解槽內(nèi)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)軌跡的數(shù)值模擬[D]. 張雪嬌.內(nèi)蒙古科技大學(xué) 2015
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本文編號(hào):3049357

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