磁場(chǎng)對(duì)結(jié)晶器保護(hù)渣結(jié)晶特性及傳熱性能的影響研究
【學(xué)位單位】:重慶大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2016
【中圖分類】:TF777
【部分圖文】:
先生長(zhǎng)趨向遷移,生長(zhǎng)成具有一定幾何形狀的晶體,隨著晶速度逐漸放慢;(c)晶體再生階段,雖然相變材料已完對(duì)運(yùn)動(dòng),晶體形狀、大小仍會(huì)改變。質(zhì)形核,保護(hù)渣結(jié)晶時(shí)晶核自由能與溫度的關(guān)系如下圖所示能,G液表示液相在不同溫度下自由能,當(dāng)溫度處于臨界溫等,兩相可以同時(shí)存在;當(dāng)溫度高于 T0時(shí),液相自由能較低于 T0時(shí),固相自由能較低,故熔體結(jié)晶。液體與晶體之晶的驅(qū)動(dòng)力。實(shí)際結(jié)晶溫度T1與理論結(jié)晶溫度T0之間的溫差度越大,自由能差值便越大,即結(jié)晶驅(qū)動(dòng)力越大,結(jié)晶傾達(dá)式為[6]:mm-h()()TTTHHTSSGGGSLSLSL
圖 1.2 晶核半徑與 ΔG 的關(guān)系[6]Fig. 1.2 relationship of Gibbs free energy and crystal nucleus radius自由能變化可以表示為GVGA V V 為形成新相體積,ΔGV為固液相之間單位體積自由能之σ 為新相單位體積的表面能,晶核為圓球形,半徑為 r,則體系自由能的變化為:,求臨界形核半徑 r*,得2*vrG 及上式可以看出來(lái),ΔG(r)開始時(shí)隨著 r 的增加而增加,當(dāng)(r)達(dá)到最大值,然后隨著 r 的增加,ΔG(r)開始下降。由此3 2443V G r G r
圖 1.3 不同硅氧團(tuán)結(jié)構(gòu)圖Fig. 1.3 Structure diagram of silicon oxide在保護(hù)渣中含量較多,屬于主要的網(wǎng)絡(luò)解聚物,提高氧化鈣含解成 Ca2+和 O2-,從而降低粘度[6]。但 CaO 也是許多晶體的構(gòu),結(jié)晶化傾向則會(huì)增加,使得結(jié)晶器摩擦力增加,潤(rùn)滑性變差主要的網(wǎng)絡(luò)形成體,是硅氧四面體的骨架結(jié)構(gòu)。CaO 與 SiO2是主要成分,一般將其比值成為二元堿度,是衡量保護(hù)渣物性的O3是中型氧化物,即在氧含量較高時(shí),其會(huì)吸收氧離子,形成網(wǎng)絡(luò)形成體的角色;當(dāng)養(yǎng)含量較低時(shí),其會(huì)成為堿性氧化物,含量過(guò)高不利于保護(hù)渣潤(rùn)滑和傳熱功能的發(fā)揮。助熔劑有 NaO、MnO 等。其中,Na2O 為網(wǎng)絡(luò)外體,但也是霞石(Na2O·Al2分,含量過(guò)高不利于保護(hù)渣的潤(rùn)滑,一般控制其的含量在 10%<10%時(shí),對(duì)于硅酸鹽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)具有破壞作用,易降低保護(hù)渣粘用不明顯;含量過(guò)高會(huì)促進(jìn)槍晶石(3CaOSiO2·CaF2)析出,惡
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